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1. 发明专利

TWI649862B 光感測器及其之訊號讀出方法以及固體攝像裝置及其之訊號讀出方法有权
简体标题：光传感器及其之信号读出方法以及固体摄像设备及其之信号读出方法
公开(公告)号：TWI649862B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW104137743
申请日：2015-11-16
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：須川成利 , SUGAWA, SHIGETOSHI , 黒田理人 , KURODA, RIHITO , 若嶋駿一 , WAKASHIMA, SHUNICHI
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374

2. 发明专利

TW201820602A 光感測器之訊號讀出方法以及攝像裝置之訊號讀出方法审中-公开
简体标题：光传感器之信号读出方法以及摄像设备之信号读出方法
公开(公告)号：TW201820602A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW107103299
申请日：2015-11-16
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：須川成利 , SUGAWA, SHIGETOSHI , 黒田理人 , KURODA, RIHITO , 若嶋駿一 , WAKASHIMA, SHUNICHI
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
摘要：本發明之其中一個課題，係在於提供一種對於產業之更進一步的發展以及實現更為安心、安全之社會一事能夠發揮極大之貢獻的光感測器及固體攝像裝置以及該些之訊號讀出方法驅動。本發明之解決手段的其中一者，係為一種光感測器之訊號讀出方法，前述光感測器，係具備有：感測部，其係於每一像素部之各者中，具備有受光元件、和積蓄電荷之積蓄電容、和用以將藉由被輸入至前述受光元件中之光所產生的電荷傳輸至前述積蓄電容中之傳輸開關，前述積蓄電容，係為浮動擴散電容和橫型溢流積蓄電容，前述傳輸開關，係為MOS電晶體；和像素訊號輸出線，係使各像素部被作接線；和訊號讀出路徑，係被接線於該像素訊號輸出線處，該光感測器之訊號讀出方法，係包含有：在將前述像素訊號輸出線重置之後，維持於浮游電容狀態之工程，在前述像素訊號輸出線被維持於浮游電容狀態的期間中，實施：藉由前述浮動擴散電容來將對於讀出有所影響的電荷量之電荷進行電荷電壓轉換並形成第1像素輸出訊號之工程；和將前述浮動擴散電容與前述橫型溢流積蓄電容作結合而將對於讀出有所影響的電荷量之電荷進行電荷電壓轉換並形成第2像素輸出訊號之工程；和將此些之2個的像素輸出訊號輸入至前述訊號讀出路徑中之工程，並且，前述第1像素輸出訊號，係在前述訊號讀出路徑中，藉由包含有至少1個的放大率為較1而更大之放大器的複數之放大器，而被作放大。
简体摘要：本发明之其中一个课题，系在于提供一种对于产业之更进一步的发展以及实现更为安心、安全之社会一事能够发挥极大之贡献的光传感器及固体摄像设备以及该些之信号读出方法驱动。本发明之解决手段的其中一者，系为一种光传感器之信号读出方法，前述光传感器，系具备有：传感部，其系于每一像素部之各者中，具备有受光组件、和积蓄电荷之积蓄电容、和用以将借由被输入至前述受光组件中之光所产生的电荷传输至前述积蓄电容中之传输开关，前述积蓄电容，系为浮动扩散电容和横型溢流积蓄电容，前述传输开关，系为MOS晶体管；和像素信号输出线，系使各像素部被作接线；和信号读出路径，系被接线于该像素信号输出线处，该光传感器之信号读出方法，系包含有：在将前述像素信号输出线重置之后，维持于浮游电容状态之工程，在前述像素信号输出线被维持于浮游电容状态的期间中，实施：借由前述浮动扩散电容来将对于读出有所影响的电荷量之电荷进行电荷电压转换并形成第1像素输出信号之工程；和将前述浮动扩散电容与前述横型溢流积蓄电容作结合而将对于读出有所影响的电荷量之电荷进行电荷电压转换并形成第2像素输出信号之工程；和将此些之2个的像素输出信号输入至前述信号读出路径中之工程，并且，前述第1像素输出信号，系在前述信号读出路径中，借由包含有至少1个的放大率为较1而更大之放大器的复数之放大器，而被作放大。

3. 发明专利

TW201633518A 光感測器及其之訊號讀出方法以及固體攝像裝置及其之訊號讀出方法审中-公开
简体标题：光传感器及其之信号读出方法以及固体摄像设备及其之信号读出方法
公开(公告)号：TW201633518A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104137743
申请日：2015-11-16
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：須川成利 , SUGAWA, SHIGETOSHI , 黒田理人 , KURODA, RIHITO , 若嶋駿一 , WAKASHIMA, SHUNICHI
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/3559 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/14612 , H01L27/14656 , H01L27/14689 , H01L28/40 , H01L29/78 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N5/378
摘要：本發明之其中一個課題，係在於提供一種對於產業之更進一步的發展以及實現更為安心、安全之社會一事能夠發揮極大之貢獻的光感測器及固體攝像裝置以及該些之訊號讀出方法驅動。本發明之解決手段的其中一者，係為一種光感測器，其係具備有受光元件、和積蓄電荷之積蓄電容、以及用以將藉由被輸入至前述受光元件中之光所產生的電荷傳輸至前述積蓄電容中之傳輸開關，前述積蓄電容，係為浮動擴散電容和橫型溢流積蓄電容(Lateral Overflow Integration Capacitor)，前述傳輸開關，係為非LDD、MOS電晶體，並且係為其之汲極區域中的雜質濃度之減少50%的濃度。
简体摘要：本发明之其中一个课题，系在于提供一种对于产业之更进一步的发展以及实现更为安心、安全之社会一事能够发挥极大之贡献的光传感器及固体摄像设备以及该些之信号读出方法驱动。本发明之解决手段的其中一者，系为一种光传感器，其系具备有受光组件、和积蓄电荷之积蓄电容、以及用以将借由被输入至前述受光组件中之光所产生的电荷传输至前述积蓄电容中之传输开关，前述积蓄电容，系为浮动扩散电容和横型溢流积蓄电容(Lateral Overflow Integration Capacitor)，前述传输开关，系为非LDD、MOS晶体管，并且系为其之汲极区域中的杂质浓度之减少50%的浓度。

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