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1. 发明专利

TWI456668B 用於光電化學電池之半導體電極及其形成方法有权
简体标题：用于光电化学电池之半导体电极及其形成方法
公开(公告)号：TWI456668B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW101110039
申请日：2012-03-23
申请人：國立台灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：陳浩銘 , CHEN, HAO MING , 陳致凱 , CHEN, CHIH KAI , 何佑哲 , HO, YOU ZHE , 陳威廷 , CHEN, WEI TING , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 蔡定平 , TSAI, DIN PING
IPC分类号： H01L21/44 , H01M4/04

2. 发明专利

TW201340220A 用於光電化學電池之半導體電極及其形成方法审中-公开
简体标题：用于光电化学电池之半导体电极及其形成方法
公开(公告)号：TW201340220A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101110039
申请日：2012-03-23
申请人：國立台灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：陳浩銘 , CHEN, HAO MING , 陳致凱 , CHEN, CHIH KAI , 何佑哲 , HO, YOU ZHE , 陳威廷 , CHEN, WEI TING , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 蔡定平 , TSAI, DIN PING
IPC分类号： H01L21/44 , H01M4/04
摘要：本發明係揭露一種用於光電化學電池之半導體電極及其形成方法，其中半導體電極包含一導電性基材以及一半導體層。半導體層係形成於該導電性基材的表面上。其中該半導體層係經改質而含有分佈於其中之複數個金屬奈米粒子。如此，本發明之電極對光電子的反應速率可顯著提升，且以該電極組成之光電化學電池之光電轉換效率因而得以增加。
简体摘要：本发明系揭露一种用于光电化学电池之半导体电极及其形成方法，其中半导体电极包含一导电性基材以及一半导体层。半导体层系形成于该导电性基材的表面上。其中该半导体层系经改质而含有分布于其中之复数个金属奈米粒子。如此，本发明之电极对光电子的反应速率可显着提升，且以该电极组成之光电化学电池之光电转换效率因而得以增加。

3. 发明专利

TWI449960B 解析透鏡組有权
简体标题：解析透镜组
公开(公告)号：TWI449960B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW101120871
申请日：2012-06-11
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：蔡定平 , TSAI, DIN PING , 成柏翰 , CHENG, BO HAN , 何佑哲 , HO, YOU ZHE , 藍永強 , LAN, YUNG CHIANG
IPC分类号： G02B3/00 , G02B13/26

4. 发明专利

TWI514097B 可由偏振調控重建影像的多光學維度超穎全像片有权
简体标题：可由偏振调控重建影像的多光学维度超颖全像片
公开(公告)号：TWI514097B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW103120660
申请日：2014-06-13
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：蔡定平 , TSAI, DIN PING , 王智明 , WANG, CHIH MING , 陳威廷 , CHEN, WEI TING , 楊光宇 , YANG, KUANG YU , 黃耀緯 , HUANG, YAO WEI
IPC分类号： G03H1/22 , G03H1/26 , G03H1/16

5. 发明专利

TW201350919A 解析透鏡組审中-公开
简体标题：解析透镜组
公开(公告)号：TW201350919A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW101120871
申请日：2012-06-11
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：蔡定平 , TSAI, DIN PING , 成柏翰 , CHENG, BO HAN , 何佑哲 , HO, YOU ZHE , 藍永強 , LAN, YUNG CHIANG
IPC分类号： G02B3/00 , G02B13/26
摘要：一種解析透鏡組，其包含第一透鏡及第二透鏡。第一透鏡係由數個均為平面之第一金屬層與第一介電層交錯堆疊而形成一半球體或半圓柱體。第二透鏡係由數個均為曲面之第二金屬層與第二介電層交錯堆疊而形成一具有凹槽之半球體或半圓柱體，且凹槽容置有第一透鏡。其中，第一透鏡用以投影待解析物體之波長訊號(高階訊號)至第二透鏡，使第二透鏡放大該波長訊號。藉此，解析透鏡組可突破光的繞射極限，以解析小於半波長之微結構的資訊。
简体摘要：一种解析透镜组，其包含第一透镜及第二透镜。第一透镜系由数个均为平面之第一金属层与第一介电层交错堆栈而形成一半球体或半圆柱体。第二透镜系由数个均为曲面之第二金属层与第二介电层交错堆栈而形成一具有凹槽之半球体或半圆柱体，且凹槽容置有第一透镜。其中，第一透镜用以投影待解析物体之波长信号(高级信号)至第二透镜，使第二透镜放大该波长信号。借此，解析透镜组可突破光的绕射极限，以解析小于半波长之微结构的信息。

6. 发明专利

TWI445187B 光電能轉換元件與光電化學能轉換元件有权
简体标题：光电能转换组件与光电化学能转换组件
公开(公告)号：TWI445187B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW099130825
申请日：2010-09-13
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：何恕德 , HO, SHU TE , 蔡定平 , TSAI, DIN PING
IPC分类号： H01L31/0445 , H01M14/00
CPC分类号： Y02E10/50

7. 发明专利

TW201346980A 熱輻射發射器及其製法审中-公开
简体标题：热辐射发射器及其制法
公开(公告)号：TW201346980A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101117190
申请日：2012-05-15
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：王智明 , WANG, CHIH MING , 蔡定平 , TSAI, DIN PING
IPC分类号： H01K1/02 , H01K3/02
摘要：本發明揭露一種熱輻射發射器及其製法，主要係在一導線外周表面由內而外依序沈積包覆該導線之第一金屬層、介電質層及第二金屬層而形成該熱輻射發射器，其中，第一或第二金屬層可具有次波長結構。當該導線連接電流源時，由該導線所產生之熱輻射直接穿過或藉由表面電漿共振耦合穿隧至介電質層，以在第一金屬層與第二金屬層所組成之共振腔中共振，藉此達到調變熱輻射頻譜及提高特定波段熱輻射的輸出效率之功效。
简体摘要：本发明揭露一种热辐射发射器及其制法，主要系在一导线外周表面由内而外依序沉积包覆该导线之第一金属层、介电质层及第二金属层而形成该热辐射发射器，其中，第一或第二金属层可具有次波长结构。当该导线连接电流源时，由该导线所产生之热辐射直接穿过或借由表面等离子共振耦合穿隧至介电质层，以在第一金属层与第二金属层所组成之共振腔中共振，借此达到调制热辐射频谱及提高特定波段热辐射的输出效率之功效。

8. 发明专利

TW201546580A 可由偏振調控重建影像的多光學維度超穎全像片审中-公开
简体标题：可由偏振调控重建影像的多光学维度超颖全像片
公开(公告)号：TW201546580A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW103120660
申请日：2014-06-13
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：蔡定平 , TSAI, DIN PING , 王智明 , WANG, CHIH MING , 陳威廷 , CHEN, WEI TING , 楊光宇 , YANG, KUANG YU , 黃耀緯 , HUANG, YAO WEI
IPC分类号： G03H1/22 , G03H1/26 , G03H1/16
摘要：本發明係提供一種可由偏振調控重建影像的多光學維度超穎全像片，係基於複數個奈米天線之超穎介面所設計。經由本發明之技術特徵，本發明可重建多重影像之全像片可重建出由偏振態調控的多重影像，並且達到18%的效率、操作頻寬約為880nm的寬頻特性並可操作於非同調光源、且有寬廣的入射角度變化的高容忍度。
简体摘要：本发明系提供一种可由偏振调控重建影像的多光学维度超颖全像片，系基于复数个奈米天线之超颖界面所设计。经由本发明之技术特征，本发明可重建多重影像之全像片可重建出由偏振态调控的多重影像，并且达到18%的效率、操作带宽约为880nm的宽带特性并可操作于非同调光源、且有宽广的入射角度变化的高容忍度。

9. 发明专利

TWI430327B 熱輻射發射器及其製法有权
简体标题：热辐射发射器及其制法
公开(公告)号：TWI430327B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW101117190
申请日：2012-05-15
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：王智明 , WANG, CHIH MING , 蔡定平 , TSAI, DIN PING
IPC分类号： H01K1/02 , H01K3/02

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