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1. 发明专利

TWI353371B 酸鹼緩衝顆粒 ACID-BASE BUFFER PARTICLE 有权
简体标题：酸碱缓冲颗粒 ACID-BASE BUFFER PARTICLE
公开(公告)号：TWI353371B
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW096126638
申请日：2007-07-20
申请人：國立台灣大學
发明人：邱文英 , 戴子安 , 李佳芬 , 何國川 , 陳文章 , 陳泰佑 , 鄭竹芸 , 梁乃允 , 張勝善 , 鐘裕杰
IPC分类号： C08L , C08K , C08F
摘要：本發明揭露一種酸鹼緩衝乳膠顆粒，其包含一種導電高分子以及一種兩性粒子。本發明所揭露之酸鹼緩衝乳膠顆粒具有第一型態與第二型態，其中，第一型態為中空結構且第二型態為實心結構。上述之第一型態酸鹼緩衝乳膠顆粒包含一殼層部分以及一中空部份，其中，上述之兩性粒子形成殼層部份的主體，且上述之導電高分子附著於殼層主體之外側表面、內側表面或形成於殼層主體不連續處之間。上述之第二型態酸鹼緩衝乳膠顆粒包含一由上述之導電高分子所形成的顆粒主體，且上述之兩性粒子分佈於顆粒主體表面以及/或是內部。
简体摘要：本发明揭露一种酸碱缓冲乳胶颗粒，其包含一种导电高分子以及一种两性粒子。本发明所揭露之酸碱缓冲乳胶颗粒具有第一型态与第二型态，其中，第一型态为中空结构且第二型态为实心结构。上述之第一型态酸碱缓冲乳胶颗粒包含一壳层部分以及一中空部份，其中，上述之两性粒子形成壳层部份的主体，且上述之导电高分子附着于壳层主体之外侧表面、内侧表面或形成于壳层主体不连续处之间。上述之第二型态酸碱缓冲乳胶颗粒包含一由上述之导电高分子所形成的颗粒主体，且上述之两性粒子分布于颗粒主体表面以及/或是内部。

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