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1. 发明专利

TW201534446A 脆性材料切割刀頭审中-公开
简体标题：脆性材料切割刀头
公开(公告)号：TW201534446A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103107495
申请日：2014-03-05
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNG-HSING UNIVERSITY
发明人：蔡志成 , TSAI, JHY CHERNG , 劉家安 , LIU, CHIA AN , 簡孟俞 , CHIEN, MENG YU , 王國禎 , WANG, GOU JEN
IPC分类号： B28D1/26 , B28D1/32 , C03B33/10
摘要：一種脆性材料切割刀頭，適用於安裝在一刀座上且能供一切割刀輪組裝設，並包含一殼體單元，及一高頻振動裝置，該殼體單元包括一圍繞一參考軸線且界定出一容置空間的主殼體，及一位於該參考軸線上且設置於該主殼體的其中一側，並能供該切割刀輪組連接裝設的端蓋，該高頻振動裝置設置於該容置空間內，並包括一具有一能產生高頻振動之振動面的振動子，及一環繞該振動子設置，且與該振動面相接觸，並能固定該切割刀輪組的撓性體，其中，藉由該撓性體能將該振動面的高頻振動傳遞至該切割刀輪組。
简体摘要：一种脆性材料切割刀头，适用于安装在一刀座上且能供一切割刀轮组装设，并包含一壳体单元，及一高频振动设备，该壳体单元包括一围绕一参考轴线且界定出一容置空间的主壳体，及一位于该参考轴在线且设置于该主壳体的其中一侧，并能供该切割刀轮组连接装设的端盖，该高频振动设备设置于该容置空间内，并包括一具有一能产生高频振动之振动面的振动子，及一环绕该振动子设置，且与该振动面相接触，并能固定该切割刀轮组的挠性体，其中，借由该挠性体能将该振动面的高频振动传递至该切割刀轮组。

2. 发明专利

TW201531438A 核殼奈米柱陣列及其製造方法审中-公开
简体标题：核壳奈米柱数组及其制造方法
公开(公告)号：TW201531438A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103103807
申请日：2014-02-05
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY
发明人：王國禎 , WANG, GOU JEN , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI
IPC分类号： B82Y15/00 , B82Y40/00
摘要：一種核殼奈米柱陣列之製造方法，包括有下列步驟：準備一多孔模板，其具有相對之第一、第二面以及複數相互平行且連通該第一、第二面的奈米孔道；於該多孔模板之第一面上形成一生物相容金屬層；將一第一金屬沉積於各該奈米孔道中；移除該多孔模板以獲得一奈米柱陣列；以及於該奈米柱陣列之各該奈米柱表面形成一生物相容金屬膜。藉此，本發明之製造方法能夠製得具有高深寬比的核殼奈米柱陣列。
简体摘要：一种核壳奈米柱数组之制造方法，包括有下列步骤：准备一多孔模板，其具有相对之第一、第二面以及复数相互平行且连通该第一、第二面的奈米孔道；于该多孔模板之第一面上形成一生物兼容金属层；将一第一金属沉积于各该奈米孔道中；移除该多孔模板以获得一奈米柱数组；以及于该奈米柱数组之各该奈米柱表面形成一生物兼容金属膜。借此，本发明之制造方法能够制得具有高深宽比的核壳奈米柱数组。

3. 发明专利

TW201525144A 檢測ＭＤ２基因啓動子突變之探針、晶片與方法审中-公开
简体标题：检测ＭＤ２基因启动子突变之探针、芯片与方法
公开(公告)号：TW201525144A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW102148292
申请日：2013-12-25
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY
发明人：王國禎 , WANG, GOU JEN , 蔡肇基 , TSAI, JAW JI , 廖恩慈 , LIAO, EN CHIH , 秦于婷 , CHIN, YU TING
IPC分类号： C12Q1/68 , G01N27/04
摘要：本發明揭露一種檢測MD2基因啟動子突變之探針、晶片與方法，主要是利用奈米半球型的微陣列結構作為感測基板，以針對MD2基因啟動子區域上的特定突變位點設計檢測探針，利用電阻值的差異來區分具有突變與正常的病患。
简体摘要：本发明揭露一种检测MD2基因启动子突变之探针、芯片与方法，主要是利用奈米半球型的微数组结构作为传感基板，以针对MD2基因启动子区域上的特定突变位点设计检测探针，利用电阻值的差异来区分具有突变与正常的病患。

4. 发明专利

TWI541116B 脆性材料切割刀頭有权
简体标题：脆性材料切割刀头
公开(公告)号：TWI541116B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW103107495
申请日：2014-03-05
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNG-HSING UNIVERSITY
发明人：蔡志成 , TSAI, JHY CHERNG , 劉家安 , LIU, CHIA AN , 簡孟俞 , CHIEN, MENG YU , 王國禎 , WANG, GOU JEN
IPC分类号： B28D1/26 , B28D1/32 , C03B33/10

5. 发明专利

TW201532951A 複合奈米線陣列及其製造方法审中-公开
简体标题：复合奈米线数组及其制造方法
公开(公告)号：TW201532951A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103105900
申请日：2014-02-21
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY
发明人：王國禎 , WANG, GOU JEN , 馮文昭 , FENG, WEN CHAO
IPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要：一種複合奈米線陣列之製造方法，包括有下列步驟：將一矽基板浸於一酸性蝕刻溶液中，以獲得一矽奈米線陣列，該酸性蝕刻溶液包含有莫耳濃度比例為1：148~1：153的金屬化合物與酸性溶液；以一無機酸清洗該矽奈米線陣列；以及於該矽奈米線陣列之各該奈米線的表面形成一金屬層，以獲得一複合奈米線陣列。
简体摘要：一种复合奈米线数组之制造方法，包括有下列步骤：将一硅基板浸于一酸性蚀刻溶液中，以获得一硅奈米线数组，该酸性蚀刻溶液包含有莫耳浓度比例为1：148~1：153的金属化合物与酸性溶液；以一无机酸清洗该硅奈米线数组；以及于该硅奈米线数组之各该奈米线的表面形成一金属层，以获得一复合奈米线数组。

6. 发明专利

TWI493041B 檢測ＭＤ２基因啓動子突變之探針、晶片與方法有权
简体标题：检测ＭＤ２基因启动子突变之探针、芯片与方法
公开(公告)号：TWI493041B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW102148292
申请日：2013-12-25
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY
发明人：王國禎 , WANG, GOU JEN , 蔡肇基 , TSAI, JAW JI , 廖恩慈 , LIAO, EN CHIH , 秦于婷 , CHIN, YU TING
IPC分类号： C12Q1/68 , G01N27/04

7. 发明专利

TW201300309A 奈米半球結構陣列模具製造方法及其模具审中-公开
简体标题：奈米半球结构数组模具制造方法及其模具
公开(公告)号：TW201300309A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW100121972
申请日：2011-06-23
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY
发明人：王國禎 , WANG, GOU JEN , 陳毓姍 , CHEN, YU SHAN
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y5/00
摘要：一種奈米半球結構陣列模具製造方法及其模具，以一陽極氧化鋁膜之背阻障層做為一基材，於該基材表面上形成複數個半球形奈米凸部陣列結構，於該基材上濺鍍上一薄膜電極並做為一電鑄之工作電極，將金屬靶材做為一電鑄之對電極，透過電化學電鍍的原理，施以電能使該薄膜電極的表面產生氧化還原反應，進而讓金屬靶材的原子能附著於工作電極上的半球形奈米凸部陣列結構上，並透過蝕刻的方式移除掉該基材，即可得到該具有複數個半球形奈米凹部陣列結構的金屬模具，提供一可大量製造、降低成本及具高靈敏度的奈米半球結構陣列模具製造方法。
简体摘要：一种奈米半球结构数组模具制造方法及其模具，以一阳极氧化铝膜之背阻障层做为一基材，于该基材表面上形成复数个半球形奈米凸部数组结构，于该基材上溅镀上一薄膜电极并做为一电铸之工作电极，将金属靶材做为一电铸之对电极，透过电化学电镀的原理，施以电能使该薄膜电极的表面产生氧化还原反应，进而让金属靶材的原子能附着于工作电极上的半球形奈米凸部数组结构上，并透过蚀刻的方式移除掉该基材，即可得到该具有复数个半球形奈米凹部数组结构的金属模具，提供一可大量制造、降低成本及具高灵敏度的奈米半球结构数组模具制造方法。

8. 发明专利

TWI467090B 往復式腳踏發電裝置有权
简体标题：往复式脚踏发电设备
公开(公告)号：TWI467090B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW099121441
申请日：2010-06-30
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：蔡志成 , TSAI, JHY CHERNG , 王國禎 , WANG, GOU JEN , 蘇煒淩 , 莊易勳 , 劉浩東
IPC分类号： F03G5/02 , B62J6/06

9. 发明专利

TWI384633B 低照度發電太陽能裝置有权
简体标题：低照度发电太阳能设备
公开(公告)号：TWI384633B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW096120528
申请日：2007-06-07
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：蔡志成 , 王國禎 , WANG, GOU JEN , 謝貴璽 , 陳明風 , 廖國忠
IPC分类号： H01L31/052
CPC分类号： Y02E10/50

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