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1. 发明专利

TW201903770A 單端無載式靜態隨機存取記憶體审中-公开
简体标题：单端无载式静态随机存取内存
公开(公告)号：TW201903770A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106119379
申请日：2017-06-12
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：王朝欽 , WANG, CHUA-CHIN , 王登賢 , WANG, DENG-SHIAN , 謝佳龍 , HSIEH, CHIA-LUNG
IPC分类号： G11C11/412 , G11C11/419
摘要：一種單端無載式靜態隨機存取記憶體包含複數個SRAM單元及一資料讀寫單元，各該SRAM單元具有一電晶體對、一寫入電晶體、一傳輸電晶體、一防擾動電晶體及一放電電晶體，該電晶體對電性連接一儲存節點及一反儲存節點，該傳輸電晶體電性連接該反儲存節點及一放電節點，該防擾動電晶體電性連接該放電節點，該放電電晶體電性連接該放電節點及一接地端，其中該放電電晶體受該反儲存節點之一電壓控制，而可在該反儲存節點儲存資料0時提供一漏電流之放電路徑，以避免儲存之資料受到漏電流影響。
简体摘要：一种单端无载式静态随机存取内存包含复数个SRAM单元及一数据读写单元，各该SRAM单元具有一晶体管对、一写入晶体管、一传输晶体管、一防扰动晶体管及一放电晶体管，该晶体管对电性连接一存储节点及一反存储节点，该传输晶体管电性连接该反存储节点及一放电节点，该防扰动晶体管电性连接该放电节点，该放电晶体管电性连接该放电节点及一接地端，其中该放电晶体管受该反存储节点之一电压控制，而可在该反存储节点存储数据0时提供一漏电流之放电路径，以避免存储之数据受到漏电流影响。

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