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1. 发明专利

TW201215714A 長晶爐之氣流導引裝置审中-公开
简体标题：长晶炉之气流导引设备
公开(公告)号：TW201215714A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW099135242
申请日：2010-10-15
申请人：國立中央大學
发明人：陳志臣 , 鄧應揚 , 呂中偉 , 陳學億
IPC分类号： C30B
摘要：本發明主要提供長晶爐一種能夠有效降低雜質濃度，藉以提升晶體品質之氣流導引裝置；所述之氣流導引裝置係包括有：一相對罩設於坩堝外圍的絕熱層、一設於絕熱層上的輸氣管，以及若干設於絕熱層的排氣孔；其中，輸氣管之管口處設有若干呈放射狀配置之導流板，使熔湯之自由表面得以同步接受導引氣流之吹拂作用，而加速將雜質帶離自由表面之速率，以有效降低雜質濃度，藉以提熔湯冷卻固化後之晶體品質。
简体摘要：本发明主要提供长晶炉一种能够有效降低杂质浓度，借以提升晶体品质之气流导引设备；所述之气流导引设备系包括有：一相对罩设于坩埚外围的绝热层、一设于绝热层上的输气管，以及若干设于绝热层的排气孔；其中，输气管之管口处设有若干呈放射状配置之导流板，使熔汤之自由表面得以同步接受导引气流之吹拂作用，而加速将杂质带离自由表面之速率，以有效降低杂质浓度，借以提熔汤冷却固化后之晶体品质。

2. 发明专利

TW201215713A 長晶爐之供氣裝置审中-公开
简体标题：长晶炉之供气设备
公开(公告)号：TW201215713A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW099135239
申请日：2010-10-15
申请人：國立中央大學
发明人：陳志臣 , 鄧應揚 , 呂中偉 , 陳學億
IPC分类号： C30B
摘要：本發明主要提供長晶爐一種能夠有效降低雜質濃度，藉以提升晶體品質之供氣裝置；所述之供氣裝置係包括有：一相對罩設於坩堝外圍的絕熱層、一設於絕熱層上的輸氣管，以及若干設於絕熱層的排氣孔；其中，輸氣管之管口處設有一組可供調整角度之導流罩，使熔湯之自由表面得以同步接受導引氣流之吹拂作用，而加速將雜質帶離自由表面之速率，以有效降低雜質濃度，藉以提熔湯冷卻固化後之晶體品質。
简体摘要：本发明主要提供长晶炉一种能够有效降低杂质浓度，借以提升晶体品质之供气设备；所述之供气设备系包括有：一相对罩设于坩埚外围的绝热层、一设于绝热层上的输气管，以及若干设于绝热层的排气孔；其中，输气管之管口处设有一组可供调整角度之导流罩，使熔汤之自由表面得以同步接受导引气流之吹拂作用，而加速将杂质带离自由表面之速率，以有效降低杂质浓度，借以提熔汤冷却固化后之晶体品质。

3. 发明专利

TW201215712A 熱場裝置审中-公开
简体标题：热场设备
公开(公告)号：TW201215712A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW099135238
申请日：2010-10-15
申请人：國立中央大學
发明人：陳志臣 , 鄧應揚 , 呂中偉 , 陳學億
IPC分类号： C30B , F27D
摘要：本發明之熱場裝置係由一相對罩設於坩堝外圍的絕熱層為主體，在絕熱層相對於坩堝上方的位置處設有一可相對伸入坩堝內部的輸氣管，另於絕熱層上設有預定數量之排氣孔。俾，可利用該輸氣管相對伸入坩堝內部之設計，使輸氣管之管口與坩堝內部熔湯之自由表面保持在10cm距離的範圍內，使熔湯之自由表面得以同步接受導引氣流之吹拂作用，進而加速將雜質帶離自由表面之速率，以有效降低雜質濃度，藉以提熔湯冷卻固化後之晶體品質。
简体摘要：本发明之热场设备系由一相对罩设于坩埚外围的绝热层为主体，在绝热层相对于坩埚上方的位置处设有一可相对伸入坩埚内部的输气管，另于绝热层上设有预定数量之排气孔。俾，可利用该输气管相对伸入坩埚内部之设计，使输气管之管口与坩埚内部熔汤之自由表面保持在10cm距离的范围内，使熔汤之自由表面得以同步接受导引气流之吹拂作用，进而加速将杂质带离自由表面之速率，以有效降低杂质浓度，借以提熔汤冷却固化后之晶体品质。

4. 发明专利

TWI418675B 長晶爐之氣流導引裝置有权
简体标题：长晶炉之气流导引设备
公开(公告)号：TWI418675B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099135242
申请日：2010-10-15
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：陳志臣 , CHEN, JYH CHEN , 鄧應揚 , TENG, YING YANG , 呂中偉 , LU, CHUNG WEI , 陳學億 , CHEN, HSUEH I
IPC分类号： C30B35/00 , C30B11/00

5. 发明专利

TWI418674B 長晶爐之供氣裝置有权
简体标题：长晶炉之供气设备
公开(公告)号：TWI418674B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099135239
申请日：2010-10-15
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：陳志臣 , CHEN, JYH CHEN , 鄧應揚 , TENG, YING YANG , 呂中偉 , LU, CHUNG WEI , 陳學億 , CHEN, HSUEH I
IPC分类号： C30B35/00

6. 发明专利

TWI418673B 熱場裝置有权
简体标题：热场设备
公开(公告)号：TWI418673B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099135238
申请日：2010-10-15
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：陳志臣 , CHEN, JYH CHEN , 鄧應揚 , TENG, YING YANG , 呂中偉 , LU, CHUNG WEI , 陳學億 , CHEN, HSUEH I
IPC分类号： C30B35/00 , F27D1/00

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