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1. 发明专利

TW201728241A 用於處理流體之抽吸裝置及包含該抽吸裝置之蝕刻裝置审中-公开
简体标题：用于处理流体之抽吸设备及包含该抽吸设备之蚀刻设备
公开(公告)号：TW201728241A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135587
申请日：2016-11-02
申请人：吉伯史密德公司 , GEBR. SCHMID GMBH
发明人：弘格斯喬更 , HAUNGS, JUERGEN
IPC分类号： H05K3/00 , H05K3/26 , B08B5/04
CPC分类号： H05K3/068 , C23F1/08 , H01L21/6708 , H01L21/6776 , H05K3/0085 , H05K2203/075 , H05K2203/085
摘要：本發明係關於一種用於藉由沿一基本水平運送方向自由運送輥(8、10)運送之處理基板(3)之一基本平坦處理表面(3a)吸取來抽取一處理流體之抽吸裝置，其具有：一吸取源；一抽吸控制單元，其啟動該吸取源；及一抽吸管單元，其連接至該吸取源且具有至少一抽吸噴管，該至少一抽吸噴管可具有定位於相距於該處理表面之抽吸距離處之一或多個入口側抽吸噴嘴開口。本發明亦關於一種配備有此一抽吸裝置之蝕刻裝置。就根據本發明之抽吸裝置而言，該吸取源及該抽吸控制單元經設計以使每一抽吸噴管之一吸取體積流量為至少30 m3/h且使一負吸壓不超過8 kPa。另外或作為一替代，該抽吸噴管具有一梳狀抽吸結構，其具有一抽吸收集管(17)及複數個抽吸管(18)，該複數個抽吸管(18)依一梳狀方式自該收集管延伸且在該入口側處具有該等抽吸噴嘴開口(19)。本發明用於蝕刻(例如)印刷電路板、導體箔或半導體晶圓。
简体摘要：本发明系关于一种用于借由沿一基本水平运送方向自由运送辊(8、10)运送之处理基板(3)之一基本平坦处理表面(3a)吸取来抽取一处理流体之抽吸设备，其具有：一吸取源；一抽吸控制单元，其启动该吸取源；及一抽吸管单元，其连接至该吸取源且具有至少一抽吸喷管，该至少一抽吸喷管可具有定位于相距于该处理表面之抽吸距离处之一或多个入口侧抽吸喷嘴开口。本发明亦关于一种配备有此一抽吸设备之蚀刻设备。就根据本发明之抽吸设备而言，该吸取源及该抽吸控制单元经设计以使每一抽吸喷管之一吸取体积流量为至少30 m3/h且使一负吸压不超过8 kPa。另外或作为一替代，该抽吸喷管具有一梳状抽吸结构，其具有一抽吸收集管(17)及复数个抽吸管(18)，该复数个抽吸管(18)依一梳状方式自该收集管延伸且在该入口侧处具有该等抽吸喷嘴开口(19)。本发明用于蚀刻(例如)印刷电路板、导体箔或半导体晶圆。

2. 发明专利

TW201314829A 用以生成薄層之裝置及方法审中-公开
简体标题：用以生成薄层之设备及方法
公开(公告)号：TW201314829A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101127820
申请日：2012-08-01
申请人：吉伯史密德公司 , GEBR. SCHMID GMBH
发明人：史密德克里斯宣 , SCHMID, CHRISTIAN , 漢伯曼德克 , HABERMANN, DIRK , 弘格斯喬更 , HAUNGS, JUERGEN , 安泰瑪恰克 , ATTEMA, CHUCK , 史都華湯姆 , STEWART, TOM , 波凡查肯尼斯 , PROVANCHA, KENNETH
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/0209 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/403 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/453 , C23C16/4551 , C23C16/45521 , C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/4558 , C23C16/45595 , C23C16/458 , C23C16/4581 , C23C16/466 , C23C16/545 , H01L21/02271 , H01L21/67115 , H01L21/67706 , H01L21/6776 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/18 , H01L31/1884 , H01L31/206 , Y02E10/50
摘要：本發明係關於用以在用於太陽能電池生產之基板上生成薄層之裝置，其中該等薄層係在超過250℃之溫度下藉由APCVD方法施加，該等基板係以連續操作方式在水平輸送機路徑上輸送並藉助APCVD塗覆進行塗覆。該輸送機路徑具有輸送機滾筒，該等輸送機滾筒係由耐熱非金屬材料(較佳陶瓷)組成。將加熱器件及/或吹掃氣體進給器件配置在該輸送機路徑之遠離該塗覆裝置之一側。
简体摘要：本发明系关于用以在用于太阳能电池生产之基板上生成薄层之设备，其中该等薄层系在超过250℃之温度下借由APCVD方法施加，该等基板系以连续操作方式在水平输送机路径上输送并借助APCVD涂覆进行涂覆。该输送机路径具有输送机滚筒，该等输送机滚筒系由耐热非金属材料(较佳陶瓷)组成。将加热器件及/或吹扫气体进给器件配置在该输送机路径之远离该涂覆设备之一侧。

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