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1. 发明专利

TWI404062B 燒錄（ＰＲＯＧＲＡＭＭＩＮＧ）、讀取及抹除記憶體-二極體陣列中之記憶體-二極體之方法有权
简体标题：刻录（ＰＲＯＧＲＡＭＭＩＮＧ）、读取及抹除内存-二极管数组中之内存-二极管之方法
公开(公告)号：TWI404062B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW094145795
申请日：2005-12-22
申请人：史班遜有限公司 , SPANSION LLC
发明人：比爾柯林S , BILL, COLIN S. , 卡薩史瓦路浦 , KAZA, SWAROOP , 方自寧 , FANG, TZU NING , 史皮哲史都特 , SPITZER, STUART
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： G11C11/36

2. 发明专利

TWI387054B 選擇電阻式記憶體裝置之操作特性之方法有权
简体标题：选择电阻式内存设备之操作特性之方法
公开(公告)号：TWI387054B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW096133184
申请日：2007-09-06
申请人：史班遜有限公司 , SPANSION LLC
发明人：方自寧 , FANG, TZU NING , 卡薩史瓦路浦 , KAZA, SWAROOP , 陳安 , CHEN, AN , 哈達山米爾 , HADDAD, SAMEER
IPC分类号： H01L21/8239
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633

3. 发明专利

TWI420719B 使用由混合材料製成之主動層的記憶體元件有权
简体标题：使用由混合材料制成之主动层的内存组件
公开(公告)号：TWI420719B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW095103985
申请日：2006-02-07
申请人：史班遜有限公司 , SPANSION LLC
发明人：加恩大衛 , GAUN, DAVID , 卡薩史瓦路浦 , KAZA, SWAROOP , 史皮哲史都特 , SPITZER, STUART , 克里格朱利 , KRIEGER, JURI , 金斯伯夫理察 , KINGSBOROUGH, RICHARD
IPC分类号： H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L27/285 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016

4. 发明专利

TWI355089B 具有可變耐破壞特性之二極體 VARIABLE BREAKDOWN CHARACTERISTIC DIODE 有权
简体标题：具有可变耐破坏特性之二极管 VARIABLE BREAKDOWN CHARACTERISTIC DIODE
公开(公告)号：TWI355089B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW095109799
申请日：2006-03-22
申请人：史班遜有限公司
发明人：加恩大衛 , 比爾柯林S , 卡薩史瓦路浦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0575 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C11/5692 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/11 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/285
摘要：本發明揭示了一種記憶體單元(100、200、904、1006)，係由至少兩個電極(110、120、906、908、1002、1004)以及在該等至少兩個電極(110、120、906、908、1002、1004)之間的可控制的導電媒介(conductive media)(130、910)所構成。當將諸如施加的電場等的外部激源施加於該第一及第二電極(110、120、906、908、1002、1004)時，離子移動，且摻雜聚合物，及(或)消除對該聚合物的摻雜。用來摻雜該聚合物的施加之外部激源大於用來操作該記憶體單元(100、200、904、1006)的施加之外部激源。該聚合物用來作為具有可變耐破壞特性(breakdown characteristic)之二極體，而該二極體具有為摻雜程度的結果之電氣特性。該記憶體元件可具有限流式讀取信號。本發明也揭示了製造該記憶體裝置/單元之方法、使用該記憶體裝置/單元之方法、以及包含記憶體單元(100、200、904、1006)的裝置。
简体摘要：本发明揭示了一种内存单元(100、200、904、1006)，系由至少两个电极(110、120、906、908、1002、1004)以及在该等至少两个电极(110、120、906、908、1002、1004)之间的可控制的导电媒介(conductive media)(130、910)所构成。当将诸如施加的电场等的外部激源施加于该第一及第二电极(110、120、906、908、1002、1004)时，离子移动，且掺杂聚合物，及(或)消除对该聚合物的掺杂。用来掺杂该聚合物的施加之外部激源大于用来操作该内存单元(100、200、904、1006)的施加之外部激源。该聚合物用来作为具有可变耐破坏特性(breakdown characteristic)之二极管，而该二极管具有为掺杂程度的结果之电气特性。该内存组件可具有限流式读取信号。本发明也揭示了制造该内存设备/单元之方法、使用该内存设备/单元之方法、以及包含内存单元(100、200、904、1006)的设备。

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