专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201511048A 電感及包含該電感之開關電路审中-公开
简体标题：电感及包含该电感之开关电路
公开(公告)号：TW201511048A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW102138190
申请日：2013-10-23
申请人：台達電子企業管理(上海)有限公司 , DELTA ELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD.
发明人：王昭暉 , WANG, ZHAOHUI , 褚江 , CHU, JIANG , 黃智 , HUANG, ZHI
IPC分类号： H01F17/04
CPC分类号： H02M1/14 , H01F38/023 , H01F2003/106
摘要：本案關於一種電感及包含該電感之開關電路。電感包括繞組及磁芯，磁芯包括至少一個心柱，更包括用於形成閉合磁路的至少一軛部，繞組繞在心柱上，至少一個心柱的至少一端部與至少一軛部之間設有間隙，間隙中設有平面磁芯單元，平面磁芯單元爲高磁導率低飽和磁感應强度材料，心柱和軛部爲高磁導率高飽和磁感應强度材料，且平面磁芯單元的材料的飽和磁感應强度低於心柱和軛部的材料的飽和磁感應强度。本發明之電感能提供非線性電感量，並可通過調節高磁導率低飽和材料的厚度和截面積改善非線性感量曲線，同時降低成本，減少線圈中的渦流損耗。
简体摘要：本案关于一种电感及包含该电感之开关电路。电感包括绕组及磁芯，磁芯包括至少一个心柱，更包括用于形成闭合磁路的至少一轭部，绕组绕在心柱上，至少一个心柱的至少一端部与至少一轭部之间设有间隙，间隙中设有平面磁芯单元，平面磁芯单元为高磁导率低饱和磁感应强度材料，心柱和轭部为高磁导率高饱和磁感应强度材料，且平面磁芯单元的材料的饱和磁感应强度低于心柱和轭部的材料的饱和磁感应强度。本发明之电感能提供非线性电感量，并可通过调节高磁导率低饱和材料的厚度和截面积改善非线性感量曲线，同时降低成本，减少线圈中的涡流损耗。

2. 发明专利

TWI529756B 磁芯有权
公开(公告)号：TWI529756B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW103110389
申请日：2014-03-20
申请人：台達電子企業管理(上海)有限公司 , DELTA ELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD.
发明人：黃智 , HUANG, ZHI , 王昭暉 , WANG, ZHAOHUI , 張偉 , ZHANG, WEI , 胡居明 , HU, JUMING
IPC分类号： H01F27/245 , H01F17/06
CPC分类号： H01F3/02 , H01F3/08 , H01F3/14 , H01F2003/106

3. 发明专利

TWI514427B 電感及包含該電感之開關電路有权
简体标题：电感及包含该电感之开关电路
公开(公告)号：TWI514427B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW102138190
申请日：2013-10-23
申请人：台達電子企業管理(上海)有限公司 , DELTA ELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD.
发明人：王昭暉 , WANG, ZHAOHUI , 褚江 , CHU, JIANG , 黃智 , HUANG, ZHI
IPC分类号： H01F17/04
CPC分类号： H02M1/14 , H01F38/023 , H01F2003/106

4. 发明专利

TW201532088A 磁芯审中-公开
公开(公告)号：TW201532088A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103110389
申请日：2014-03-20
申请人：台達電子企業管理(上海)有限公司 , DELTA ELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD.
发明人：黃智 , HUANG, ZHI , 王昭暉 , WANG, ZHAOHUI , 張偉 , ZHANG, WEI , 胡居明 , HU, JUMING
IPC分类号： H01F27/245 , H01F17/06
CPC分类号： H01F3/02 , H01F3/08 , H01F3/14 , H01F2003/106
摘要：一種磁芯，可應用於電抗器。磁芯包含一上軛部、一下軛部，以及至少兩個芯柱，芯柱與上軛部和下軛部構成一閉合磁路，兩個芯柱中至少有一個是第一芯柱，第一芯柱包括芯柱主體，平衡磁性單元和氣隙，平衡磁性單元和氣隙相鄰組合為混合式氣隙分割第一芯柱且設置於芯柱主體的一側。上軛部、下軛部和芯柱主體由平面疊片磁性材料製作，平衡磁性單元的磁導率低於平面疊片磁性材料。
简体摘要：一种磁芯，可应用于电抗器。磁芯包含一上轭部、一下轭部，以及至少两个芯柱，芯柱与上轭部和下轭部构成一闭合磁路，两个芯柱中至少有一个是第一芯柱，第一芯柱包括芯柱主体，平衡磁性单元和气隙，平衡磁性单元和气隙相邻组合为混合式气隙分割第一芯柱且设置于芯柱主体的一侧。上轭部、下轭部和芯柱主体由平面叠片磁性材料制作，平衡磁性单元的磁导率低于平面叠片磁性材料。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式