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1. 发明专利

TW200717715A 錨接金屬鑲嵌結構 ANCHORED DAMASCENE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：锚接金属镶嵌结构 ANCHORED DAMASCENE STRUCTURE
公开(公告)号：TW200717715A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095138448
申请日：2006-10-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：魯定中 LU, DINGCHUNG , 曾鴻輝 TSENG, HORNGHUEI , 章勳明 JANG, SYUNMING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種錨接金屬鑲嵌的結構及其形成方法。此錨接金屬鑲嵌結構係包覆於一多重密度介電層中,包含一介電層,且具有一開口延伸貫穿此介電層。此介電層包含至少一相對較高密度部分及一相對較低密度部分。相對較低密度部分形成介電層之一主要連續部分。貫穿此介電層的開口於相對較低密度部分比相對較高密度部分具有相對擴大的橫向尺寸以形成錨接階梯結構。
简体摘要：一种锚接金属镶嵌的结构及其形成方法。此锚接金属镶嵌结构系包覆于一多重密度介电层中,包含一介电层,且具有一开口延伸贯穿此介电层。此介电层包含至少一相对较高密度部分及一相对较低密度部分。相对较低密度部分形成介电层之一主要连续部分。贯穿此介电层的开口于相对较低密度部分比相对较高密度部分具有相对扩大的横向尺寸以形成锚接阶梯结构。

2. 发明专利

TW200618051A 減少低介電常數介電層之介電常數的方法 A METHOD OF REDUCING DIELECTRIC CONSTANT OF A LOW-K DIELECTRIC LAYER 审中-公开
简体标题：减少低介电常数介电层之介电常数的方法 A METHOD OF REDUCING DIELECTRIC CONSTANT OF A LOW-K DIELECTRIC LAYER
公开(公告)号：TW200618051A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094135381
申请日：2005-10-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：柯忠祁 KO, CHUNGCHI , 黎麗萍 LI, LIHPING , 李連忠 LI, LAINJONG , 章勳明 JANG, SYUNMING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76835 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/31633 , H01L21/76807 , H01L21/76834 , H01L21/76843
摘要：一種減少低介電常數介電層之介電常數的方法。先以氣體攜帶液體狀之前趨物的蒸汽進入可進行化學氣相沈積反應之反應區域中，然後活化上述之前趨物與氣體以進行化學氣相沈積反應，此化學氣相沈積反應在位於反應區域中之基底上沈積具有低介電常數之介電層。上述之氣體可為一氧化碳、二氧化碳、氮氣或一氧化二氮。
简体摘要：一种减少低介电常数介电层之介电常数的方法。先以气体携带液体状之前趋物的蒸汽进入可进行化学气相沉积反应之反应区域中，然后活化上述之前趋物与气体以进行化学气相沉积反应，此化学气相沉积反应在位于反应区域中之基底上沉积具有低介电常数之介电层。上述之气体可为一氧化碳、二氧化碳、氮气或一氧化二氮。

3. 发明专利

TWI258191B 製作具有侷限形變源極/汲極之電晶體之方法 METHOD OF MAKING TRANSISTOR WITH STRAINED SOURCE/DRAIN 有权
简体标题：制作具有局限形变源极/汲极之晶体管之方法 METHOD OF MAKING TRANSISTOR WITH STRAINED SOURCE/DRAIN
公开(公告)号：TWI258191B
公开(公告)日：2006-07-11
申请号：TW093134990
申请日：2004-11-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳永修 CHEN, YUNHSIU , 章勳明 JANG, SYUNMING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7842 , H01L21/823814 , H01L29/66636 , H01L29/7848
摘要：一種製造電晶體的方法，包含步驟：形成一閘電極於一基材之上，其中該基材為一具有一第一晶格的第一半導體材料所製成；形成複數個凹槽於該半導體基材中，分別會設置形成一源極區域極一汲極區域的位置；磊晶長成一第二半導體材料於該些凹槽中，其中該第二半導體材料具有與該第一晶格間隙不同之一第二晶格間隙；以及在該長成步驟之後，植入一摻雜物於該第二半導體材料之中。
简体摘要：一种制造晶体管的方法，包含步骤：形成一闸电极于一基材之上，其中该基材为一具有一第一晶格的第一半导体材料所制成；形成复数个凹槽于该半导体基材中，分别会设置形成一源极区域极一汲极区域的位置；磊晶长成一第二半导体材料于该些凹槽中，其中该第二半导体材料具有与该第一晶格间隙不同之一第二晶格间隙；以及在该长成步骤之后，植入一掺杂物于该第二半导体材料之中。

4. 发明专利

TW578216B 低介電常數層之製造方法有权
简体标题：低介电常数层之制造方法
公开(公告)号：TW578216B
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092100364
申请日：2003-01-08
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黎麗萍 LI, LIH PING , 呂新賢 LU, HSIN HSIEN , 章勳明 JANG, SYUNMING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76828 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76835
摘要：一種低介電常數層之製造方法，係利用電漿處理已形成之低介電常數層，之後再進行一道去除步驟。其中，此去除步驟係藉以去除低介電常數層表面形成的緻密層。去除步驟可利用例如化學機械研磨法、氬氣濺擊法、氟化氫氣體製程、濕式蝕刻法或乾式蝕刻法等。伍、(一)、本案代表圖為：第---4----圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
50 形成低介電常數層之步驟
52 進行電漿處理之步驟
54 去除緻密層之步驟
简体摘要：一种低介电常数层之制造方法，系利用等离子处理已形成之低介电常数层，之后再进行一道去除步骤。其中，此去除步骤系借以去除低介电常数层表面形成的致密层。去除步骤可利用例如化学机械研磨法、氩气溅击法、氟化氢气体制程、湿式蚀刻法或干式蚀刻法等。伍、(一)、本案代表图为：第---4----图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 50 形成低介电常数层之步骤 52 进行等离子处理之步骤 54 去除致密层之步骤

5. 发明专利

TW574746B 具凹陷通道之金氧半場效應電晶體之製造方法有权
简体标题：具凹陷信道之金氧半场效应晶体管之制造方法
公开(公告)号：TW574746B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW091136749
申请日：2002-12-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：卡羅司 CARLOS H. DIAZ , 許義明 YI-MING SHEU , 章勳明 JANG, SYUNMING , 陶宏遠 TAO, HUN JAN , 楊富量 YANG, FU LIANG
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種具凹陷通道之金氧半場效應電晶體之製造方法，此製造方法先形成一第一犧牲層於一半導體基材上方，然後形成一源/汲極於未覆蓋有第一犧牲層之半導體基材，再形成一第二犧牲層於源/汲極上方，移除第一犧牲層與其下方之部分半導體基材以形成一開孔，形成一犧牲間隙壁於開孔側壁，形成一閘極介電層於開孔底部，形成一閘極導體層而填滿開孔，移除該第二犧牲層與該犧牲間隙壁，最後，形成一輕摻雜源/汲極於該半導體基材。伍、(一)、本案代表圖為：第＿＿＿2L＿＿＿＿＿圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：20 半導體基材 21 隔離區 25 源/汲極30 閘極氧化層 31 閘極導體層 32 輕摻雜源/汲極34 矽化遮蔽間隙壁35 金屬矽化物層
简体摘要：本发明提供一种具凹陷信道之金氧半场效应晶体管之制造方法，此制造方法先形成一第一牺牲层于一半导体基材上方，然后形成一源/汲极于未覆盖有第一牺牲层之半导体基材，再形成一第二牺牲层于源/汲极上方，移除第一牺牲层与其下方之部分半导体基材以形成一开孔，形成一牺牲间隙壁于开孔侧壁，形成一闸极介电层于开孔底部，形成一闸极导体层而填满开孔，移除该第二牺牲层与该牺牲间隙壁，最后，形成一轻掺杂源/汲极于该半导体基材。伍、(一)、本案代表图为：第＿＿＿2L＿＿＿＿＿图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明：20 半导体基材 21 隔离区 25 源/汲极30 闸极氧化层 31 闸极导体层 32 轻掺杂源/汲极34 硅化屏蔽间隙壁35 金属硅化物层

6. 发明专利

TW569346B 在無邊界接觸窗製程中形成蝕刻終止層之方法有权
简体标题：在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法
公开(公告)号：TW569346B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW091122713
申请日：2002-10-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：傅竹韻 FU, CHU YUN , 謝奇勳 HSIEH, CHI HSUN , 許義明 YI-MING SHEU , 章勳明 JANG, SYUNMING
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭示一種在無邊界接觸窗製程中形成蝕刻終止層之方法。首先，提供一具有至少一主動區及用以隔離主動區之隔離結構之基底。接著，在主動區形成一n型或是p型金氧半導體電晶體。之後，利用流量在20~100sccm範圍之氨氣及流量在60~150sccm範圍之矽烷作為製程氣體，在n型電晶體及隔離結構上方形成一富含氫之氮化矽層，或是於500~600℃範圍之沉積溫度下，在p型電晶體及隔離結構上方形成一氮化矽層。
简体摘要：本发明揭示一种在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法。首先，提供一具有至少一主动区及用以隔离主动区之隔离结构之基底。接着，在主动区形成一n型或是p型金属氧化物半导体晶体管。之后，利用流量在20~100sccm范围之氨气及流量在60~150sccm范围之硅烷作为制程气体，在n型晶体管及隔离结构上方形成一富含氢之氮化硅层，或是于500~600℃范围之沉积温度下，在p型晶体管及隔离结构上方形成一氮化硅层。

7. 发明专利

TWI308777B 雙層介電層的製造方法 A METHOD FOR FABRICATING TWO DIELECTRIC LAYERS 有权
简体标题：双层介电层的制造方法 A METHOD FOR FABRICATING TWO DIELECTRIC LAYERS
公开(公告)号：TWI308777B
公开(公告)日：2009-04-11
申请号：TW093110279
申请日：2004-04-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黎麗萍 LI, LIHPING , 盧永誠 LU, YUNGCHENG , 章勳明 JANG, SYUNMING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76835 , H01L21/3105 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76831
摘要：一種雙層介電層的製造方法,適用於一基底之上,僅需要一步沉積製程。此一方法係先形成一低介電係數材質層於基底之上,接著,以一電漿後處理將低介電係數材質層上半部的預定厚度轉變成一介電層而形成雙層介電層。
简体摘要：一种双层介电层的制造方法,适用于一基底之上,仅需要一步沉积制程。此一方法系先形成一低介电系数材质层于基底之上,接着,以一等离子后处理将低介电系数材质层上半部的预定厚度转变成一介电层而形成双层介电层。

8. 发明专利

TW200641964A 清洗組成溶液及利用清洗組成溶液清洗晶圓之方法 CLEANING COMPOSITION SOLUTION AND METHOD OF CLEANING WAFERS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：清洗组成溶液及利用清洗组成溶液清洗晶圆之方法 CLEANING COMPOSITION SOLUTION AND METHOD OF CLEANING WAFERS USING THE SAME
公开(公告)号：TW200641964A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW094116324
申请日：2005-05-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：呂新賢 LU, HSINHSIEN , 郭涵馨 KUO, HANHSIN , 陳盈和 CHEN, YINGHO , 章勳明 JANG, SYUNMING
IPC分类号： H01L
摘要：一種典型用於化學機械研磨製程時清洗晶圓之方法，包括在連續研磨步驟中研磨晶圓上之材料層；在至少一研磨步驟之後，利用新穎的界面活性劑組成溶液潤洗晶圓；以及利用去離子水潤洗晶圓。界面活性劑組成溶液為晶圓上之疏水性材料層，例如低介電常數介電層，賦予一般親水的特性。結果此層變得可經由去離子水清洗，因而顯著促進去除此層上之顆粒，並降低與化學機械研磨製程相關之缺陷數。
简体摘要：一种典型用于化学机械研磨制程时清洗晶圆之方法，包括在连续研磨步骤中研磨晶圆上之材料层；在至少一研磨步骤之后，利用新颖的界面活性剂组成溶液润洗晶圆；以及利用去离子水润洗晶圆。界面活性剂组成溶液为晶圆上之疏水性材料层，例如低介电常数介电层，赋予一般亲水的特性。结果此层变得可经由去离子水清洗，因而显着促进去除此层上之颗粒，并降低与化学机械研磨制程相关之缺陷数。

9. 发明专利

TW200536051A 利用三甲基矽烷氣體改善銅鑲嵌內連線之SiOC蝕刻終止層的可靠度之方法 RELIABILITY IMPROVEMENT OF SiOC ETCH STOP WITH TRIMETHYLSILANE GAS PASSIVATION IN Cu DAMASCENE INTERCONNECTS 审中-公开
简体标题：利用三甲基硅烷气体改善铜镶嵌内连接之SiOC蚀刻终止层的可靠度之方法 RELIABILITY IMPROVEMENT OF SiOC ETCH STOP WITH TRIMETHYLSILANE GAS PASSIVATION IN Cu DAMASCENE INTERCONNECTS
公开(公告)号：TW200536051A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW094106340
申请日：2005-03-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳振誠 WU, ZHENCHENG , 陳筆聰 CHEN, BITROUG , 張文 CHANG, WEN , 章勳明 JANG, SYUNMING , 林思宏 LIN, SUHORNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31633 , H01L21/02046 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02315 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/3148 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76832
摘要：本發明提供一種形成銅鑲嵌內連線之SiCOH蝕刻終止層的方法，先以氫或氨電漿處理步驟移除設有曝露金屬層的基材上之金屬氧化物。接著將三甲基矽烷通入關閉RF功率之350℃的反應室中，以於曝露的金屬層上形成材質層。然後利用三甲基矽烷及二氧化碳進行PECVD製程，以形成SiCOH層。隨後在基材上形成具有低壓縮應力材質層之複合SiCOH層，其中低壓縮應力層位於高壓縮應力材質層上方。接著在曝露的金屬層上形成第二金屬層。本發明以三甲基矽烷形成保護層來改善介層窗的Rc值之穩定性，並且解決漏電流問題。而且複合的SiCOH層亦改善單一應力值之SiCOH層的應力漂移效應。
简体摘要：本发明提供一种形成铜镶嵌内连接之SiCOH蚀刻终止层的方法，先以氢或氨等离子处理步骤移除设有曝露金属层的基材上之金属氧化物。接着将三甲基硅烷通入关闭RF功率之350℃的反应室中，以于曝露的金属层上形成材质层。然后利用三甲基硅烷及二氧化碳进行PECVD制程，以形成SiCOH层。随后在基材上形成具有低压缩应力材质层之复合SiCOH层，其中低压缩应力层位于高压缩应力材质层上方。接着在曝露的金属层上形成第二金属层。本发明以三甲基硅烷形成保护层来改善介层窗的Rc值之稳定性，并且解决漏电流问题。而且复合的SiCOH层亦改善单一应力值之SiCOH层的应力漂移效应。

10. 发明专利

TW200412652A 金屬鑲嵌之製造方法及其結構 METHOD FOR MANUFACTURING METAL DAMASCENE AND STRUCTURE THEREOF 审中-公开
简体标题：金属镶嵌之制造方法及其结构 METHOD FOR MANUFACTURING METAL DAMASCENE AND STRUCTURE THEREOF
公开(公告)号：TW200412652A
公开(公告)日：2004-07-16
申请号：TW092127343
申请日：2003-10-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳振誠 WU, ZHENCHENG , 盧永誠 LU, YUNGCHEN , 陳盈淙 CHEN, YINGTSUNG , 章勳明 JANG, SYUNMING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/7684 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種金屬鑲嵌之製造方法與其結構，此製造方法先依序沉積一蝕刻終止層與一介電層於一基礎層上方，然後於介電層與蝕刻終止層中形成一開孔，再於介電層表面與開孔側邊及底部沉積一碳化矽層，最後於開孔中形成一金屬層。本發明之碳化矽層可避免金屬層擴散至介電層，得以降低漏電流，並能提高與半導體元件可靠度相關的時依性介電崩潰時間與改善偏壓溫度衝擊性能。
简体摘要：一种金属镶嵌之制造方法与其结构，此制造方法先依序沉积一蚀刻终止层与一介电层于一基础层上方，然后于介电层与蚀刻终止层中形成一开孔，再于介电层表面与开孔侧边及底部沉积一碳化硅层，最后于开孔中形成一金属层。本发明之碳化硅层可避免金属层扩散至介电层，得以降低漏电流，并能提高与半导体组件可靠度相关的时依性介电崩溃时间与改善偏压温度冲击性能。

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