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1. 发明专利

TW578234B 晶圓蝕刻製程控制線寬均勻度的方法失效
简体标题：晶圆蚀刻制程控制线宽均匀度的方法
公开(公告)号：TW578234B
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092103121
申请日：2003-02-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳立勛 CHEN, LI SHIUN , 張銘慶 , 林煥哲 , 林立德 LIN, LI TE S. , 邱遠鴻 CHIU, YUAN HUNG , 陶宏遠 TAO, HUN JAN
IPC分类号： H01L
摘要：一種增進大尺寸晶圓蝕刻製程線寬均勻度的方法於此揭露。首先建立靜電吸附座之溫度梯度變化與線寬的關係圖。進行顯影後檢查，分別量度晶圓核心和外圍晶片的線寬平均值。接著，載入晶圓於靜電吸附座上。當晶圓核心和外圍晶片的線寬平均值之差值大於容許誤差值，則根據關係圖調整靜電吸附座的溫度。然後，蝕刻此晶圓至絕緣層。再進行蝕刻後檢查，分別量度晶圓核心和外圍晶片的線寬平均值。當晶圓核心和外圍晶片的線寬平均值之差值大於容許誤差值，則根據關係圖調整靜電吸附座的溫度。最後，蝕刻此晶圓以定義出導線層。五、(一)、本案代表圖為：第＿＿＿＿六＿＿＿＿圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：100 提供晶圓的步驟 110 顯影後檢查ADI的步驟120 載入晶圓的步驟 130 檢查線寬線性度是否大於容
許誤差值的步驟135 進行蝕刻的步驟 140 調整ESC的溫度150 進行蝕刻的步驟 160 蝕刻後檢查AEI的步驟170 檢查線寬線性度是否大於容許誤差值的步驟180 調整ESC溫度的步驟190進行蝕刻的步驟
简体摘要：一种增进大尺寸晶圆蚀刻制程线宽均匀度的方法于此揭露。首先创建静电吸附座之温度梯度变化与线宽的关系图。进行显影后检查，分别量度晶圆内核和外围芯片的线宽平均值。接着，加载晶圆于静电吸附座上。当晶圆内核和外围芯片的线宽平均值之差值大于容许误差值，则根据关系图调整静电吸附座的温度。然后，蚀刻此晶圆至绝缘层。再进行蚀刻后检查，分别量度晶圆内核和外围芯片的线宽平均值。当晶圆内核和外围芯片的线宽平均值之差值大于容许误差值，则根据关系图调整静电吸附座的温度。最后，蚀刻此晶圆以定义出导线层。五、(一)、本案代表图为：第＿＿＿＿六＿＿＿＿图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明：100 提供晶圆的步骤 110 显影后检查ADI的步骤120 加载晶圆的步骤 130 检查线宽线性度是否大于容许误差值的步骤135 进行蚀刻的步骤 140 调整ESC的温度150 进行蚀刻的步骤 160 蚀刻后检查AEI的步骤170 检查线宽线性度是否大于容许误差值的步骤180 调整ESC温度的步骤190进行蚀刻的步骤

2. 发明专利

TWI222118B 半導體元件的製作方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：半导体组件的制作方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI222118B
公开(公告)日：2004-10-11
申请号：TW092118679
申请日：2003-07-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張銘慶 , 林立德 LIN, LI TE S. , 王祐藝 WANG, YU I , 邱遠鴻 CHIU, YUAN HUNG , 陶宏遠 TAO, HUN JAN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種半導體元件的製作方法，包括下列步驟：提供一基底；於基底上依序形成一閘極氧化層、一閘極導電層與一硬罩幕層；以及進行一蝕刻製程，依序蝕刻上述硬罩幕層、閘極導電層與閘極氧化層，以形成一閘極結構於基底上，其中於上述蝕刻製程中加入一電漿處理步驟，以不會蝕刻閘極導電層與閘極氧化層之來源氣體以產生一電漿，並利用上述電漿改變閘極結構內之電荷分布，以防止閘極結構產生底切或凹陷輪廓。
简体摘要：本发明提供一种半导体组件的制作方法，包括下列步骤：提供一基底；于基底上依序形成一闸极氧化层、一闸极导电层与一硬罩幕层；以及进行一蚀刻制程，依序蚀刻上述硬罩幕层、闸极导电层与闸极氧化层，以形成一闸极结构于基底上，其中于上述蚀刻制程中加入一等离子处理步骤，以不会蚀刻闸极导电层与闸极氧化层之来源气体以产生一等离子，并利用上述等离子改变闸极结构内之电荷分布，以防止闸极结构产生底切或凹陷轮廓。

3. 发明专利

TW200503084A 半導體元件的製作方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体组件的制作方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200503084A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW092118679
申请日：2003-07-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張銘慶 , 林立德 LIN, LI-TE S. , 王祐藝 WANG, YU-I , 邱遠鴻 CHIU, YUAN-HUNG , 陶宏遠 TAO, HUN-JAN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種半導體元件的製作方法，包括下列步驟：提供一基底；於基底上依序形成一閘極氧化層、一閘極導電層與一硬罩幕層；以及進行一蝕刻製程，依序蝕刻上述硬罩幕層、閘極導電層與閘極氧化層，以形成一閘極結構於基底上，其中於上述蝕刻製程中加入一電漿處理步驟，以不會蝕刻閘極導電層與閘極氧化層之來源氣體以產生一電漿，並利用上述電漿改變閘極結構內之電荷分布，以防止閘極結構產生底切或凹陷輪廓。
简体摘要：本发明提供一种半导体组件的制作方法，包括下列步骤：提供一基底；于基底上依序形成一闸极氧化层、一闸极导电层与一硬罩幕层；以及进行一蚀刻制程，依序蚀刻上述硬罩幕层、闸极导电层与闸极氧化层，以形成一闸极结构于基底上，其中于上述蚀刻制程中加入一等离子处理步骤，以不会蚀刻闸极导电层与闸极氧化层之来源气体以产生一等离子，并利用上述等离子改变闸极结构内之电荷分布，以防止闸极结构产生底切或凹陷轮廓。

4. 发明专利

TW200415721A 晶圓蝕刻製程控制線寬均勻度的方法失效
简体标题：晶圆蚀刻制程控制线宽均匀度的方法
公开(公告)号：TW200415721A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW092103121
申请日：2003-02-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳立勛 CHEN, LI SHIUN , 張銘慶 , 林煥哲 LIN, HUAN JER , 林立德 LIN, LI TE S. , 邱遠鴻 CHIU, YUAN HUNG , 陶宏遠 TAO, HUN JAN
IPC分类号： H01L
摘要：一種增進大尺寸晶圓蝕刻製程線寬均勻度的方法於此揭露。首先建立靜電吸附座之溫度梯度變化與線寬的關係圖。進行顯影後檢查，分別量度晶圓核心和外圍晶片的線寬平均值。接著，載入晶圓於靜電吸附座上。當晶圓核心和外圍晶片的線寬平均值之差值大於容許誤差值，則根據關係圖調整靜電吸附座的溫度。然後，蝕刻此晶圓至絕緣層。再進行蝕刻後檢查，分別量度晶圓核心和外圍晶片的線寬平均值。當晶圓核心和外圍晶片的線寬平均值之差值大於容許誤差值，則根據關係圖調整靜電吸附座的溫度。最後，蝕刻此晶圓以定義出導線層。
简体摘要：一种增进大尺寸晶圆蚀刻制程线宽均匀度的方法于此揭露。首先创建静电吸附座之温度梯度变化与线宽的关系图。进行显影后检查，分别量度晶圆内核和外围芯片的线宽平均值。接着，加载晶圆于静电吸附座上。当晶圆内核和外围芯片的线宽平均值之差值大于容许误差值，则根据关系图调整静电吸附座的温度。然后，蚀刻此晶圆至绝缘层。再进行蚀刻后检查，分别量度晶圆内核和外围芯片的线宽平均值。当晶圆内核和外围芯片的线宽平均值之差值大于容许误差值，则根据关系图调整静电吸附座的温度。最后，蚀刻此晶圆以定义出导线层。

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