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1. 发明专利

TWI443777B 形成ＭＯＳ元件的金屬閘的混合方法有权
简体标题：形成ＭＯＳ组件的金属闸的混合方法
公开(公告)号：TWI443777B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW097129483
申请日：2008-08-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：徐鵬富 , HSU, PENG FU , 侯永田 , HOU, YONG TIAN , 李思毅 , LI, SSU YI , 黃國泰 , HUANG, KUO TAI , 梁孟松 , LIANG, MONG SONG
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/283
CPC分类号： H01L21/823857 , H01L21/823842 , H01L27/092

2. 发明专利

TWI390630B 半導體元件的製造方法有权
简体标题：半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TWI390630B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW098115788
申请日：2009-05-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳建豪 , CHEN, CHIEN HAO , 侯永田 , HOU, YONG-TIAN , 徐鵬富 , HSU, PENG FU , 黃國泰 , HUANG, KUO TAI , 趙元舜 , CHAO, DONALD Y. , 洪正隆 , HUNG, CHENG LUNG
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/28185 , H01L21/3221 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/513

3. 发明专利

TWI379385B 半導體結構 SEMICONDUCTOR STRUCTURE 有权
简体标题：半导体结构 SEMICONDUCTOR STRUCTURE
公开(公告)号：TWI379385B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW096143427
申请日：2007-11-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：侯永田 , 徐鵬富 , 金鷹 , 林綱正 , 黃國泰 , 李資良
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28044 , H01L21/28088 , H01L21/823835 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7833 , H01L29/7843
摘要：一種半導體結構，包括：半導體基底；第一導電型的第一金氧半導體裝置，包括：第一閘極介電層，形成於半導體基底上；含有金屬的第一閘極電極層，形成於第一閘極介電層上；矽化層，形成於含有金屬的第一閘極電極層上；以及第二導電型的第二金氧半導體裝置，其導電型與第一導電型相反，包括：第二閘極介電層，形成於半導體基底上；含有金屬的第二閘極電極層，形成於第二閘極介電層上；以及接觸蝕刻停止層，具有一部份形成於含有金屬的第二閘極電極層上，其中介於接觸蝕刻停止層的上述部分與含有金屬的第二閘極電極層之間的區域，實質上不含矽。
简体摘要：一种半导体结构，包括：半导体基底；第一导电型的第一金属氧化物半导体设备，包括：第一闸极介电层，形成于半导体基底上；含有金属的第一闸极电极层，形成于第一闸极介电层上；硅化层，形成于含有金属的第一闸极电极层上；以及第二导电型的第二金属氧化物半导体设备，其导电型与第一导电型相反，包括：第二闸极介电层，形成于半导体基底上；含有金属的第二闸极电极层，形成于第二闸极介电层上；以及接触蚀刻停止层，具有一部份形成于含有金属的第二闸极电极层上，其中介于接触蚀刻停止层的上述部分与含有金属的第二闸极电极层之间的区域，实质上不含硅。

4. 发明专利

TW201013930A 半導體元件及其製法 NOVEL HIGH-K METAL GATE STRUCTURE AND METHOD OF MAKING 审中-公开
简体标题：半导体组件及其制法 NOVEL HIGH-K METAL GATE STRUCTURE AND METHOD OF MAKING
公开(公告)号：TW201013930A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098128480
申请日：2009-08-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳建豪 , 侯永田 , 林綱正 , 黃國泰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28088 , H01L21/28194 , H01L21/28247 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要：本發明提供一種半導體元件，此元件包括一半導體基材，一電晶體形成於基材之中，電晶體具有一高介電常數介電層形成於基材之上，從高介電常數介電層之一側壁測量到另一側壁，其具有一第一長度，以及一金屬閘極層形成於高介電常數介電層之上，且從金屬閘極層之一側壁測量到另一側壁，其具有一第二長度，其中第二長度大於第一長度。
简体摘要：本发明提供一种半导体组件，此组件包括一半导体基材，一晶体管形成于基材之中，晶体管具有一高介电常数介电层形成于基材之上，从高介电常数介电层之一侧壁测量到另一侧壁，其具有一第一长度，以及一金属闸极层形成于高介电常数介电层之上，且从金属闸极层之一侧壁测量到另一侧壁，其具有一第二长度，其中第二长度大于第一长度。

5. 发明专利

TW201009956A 半導體元件及其製造方法 INTEGRATED CIRCUIT METAL GATE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION 审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法 INTEGRATED CIRCUIT METAL GATE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION
公开(公告)号：TW201009956A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098108380
申请日：2009-03-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：侯永田 , 陳建豪 , 趙元舜 , 洪正隆
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L21/28176 , H01L21/28229 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要：本發明實施例提供一種半導體元件及其製法，半導體元件的製造方法包括提供半導體基底；於半導體基底上形成界面層；於界面層上形成第一閘極介電層；於第一閘極介電層上形成金屬層；以及將金屬層氧化以形成金屬氧化層，其中金屬層之氧化包括自界面層捉取氧。
简体摘要：本发明实施例提供一种半导体组件及其制法，半导体组件的制造方法包括提供半导体基底；于半导体基底上形成界面层；于界面层上形成第一闸极介电层；于第一闸极介电层上形成金属层；以及将金属层氧化以形成金属氧化层，其中金属层之氧化包括自界面层捉取氧。

6. 发明专利

TW201009936A 半導體元件的製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE GATE STRUCTURE INCLUDING A GETTERING LAYER 审中-公开
简体标题：半导体组件的制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE GATE STRUCTURE INCLUDING A GETTERING LAYER
公开(公告)号：TW201009936A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098115788
申请日：2009-05-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳建豪 , 侯永田 , 徐鵬富 , 黃國泰 , 趙元舜 , 洪正隆
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/28185 , H01L21/3221 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/513
摘要：本發明提供一種藉由減少閘極結構中界面層厚度來維持等效氧化層厚度的方法。一界面層形成在一基材上；一閘極介電層例如高介電常數介電質形成此界面層上；一吸氣層形成在此基材上方的界面層上，此吸氣層有自界面層吸收氧氣的功能，可使界面層的厚度減小及/或限制此界面層成長。
简体摘要：本发明提供一种借由减少闸极结构中界面层厚度来维持等效氧化层厚度的方法。一界面层形成在一基材上；一闸极介电层例如高介电常数介电质形成此界面层上；一吸气层形成在此基材上方的界面层上，此吸气层有自界面层吸收氧气的功能，可使界面层的厚度减小及/或限制此界面层成长。

7. 发明专利

TWI388003B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI388003B
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW098110376
申请日：2009-03-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：洪正隆 , HUNG, CHENG LUNG , 侯永田 , HOU, YONG-TIAN , 顧克強 , KU, KEH CHIANG , 黃建豪 , HUANG, CHIEN HAO
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28088 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/32155 , H01L21/324 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517

8. 发明专利

TW201017730A 半導體元件及其製造方法 IMPLANTATION METHOD FOR REDUCING THRESHOLD VOLTAGE FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法 IMPLANTATION METHOD FOR REDUCING THRESHOLD VOLTAGE FOR HIGH-K METAL GATE DEVICE
公开(公告)号：TW201017730A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098110376
申请日：2009-03-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：洪正隆 , 侯永田 , 顧克強 , 黃建豪
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28088 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/32155 , H01L21/324 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要：本發明提供一種半導體元件的製造方法。本方法包含在一半導體基材上形成一高介電常數介電層；在該介電常數介電層上形成一蓋層；在該蓋層上形成一金屬層；該金屬層上形成一半導體層；在該半導體層上進行佈植製程，其使用包含氟的雜質；圖案化該高介電常數介電層、該蓋層、該金屬層及該半導體層，以形成一閘極結構。
简体摘要：本发明提供一种半导体组件的制造方法。本方法包含在一半导体基材上形成一高介电常数介电层；在该介电常数介电层上形成一盖层；在该盖层上形成一金属层；该金属层上形成一半导体层；在该半导体层上进行布植制程，其使用包含氟的杂质；图案化该高介电常数介电层、该盖层、该金属层及该半导体层，以形成一闸极结构。

9. 发明专利

TWI478339B 半導體元件及其製法有权
简体标题：半导体组件及其制法
公开(公告)号：TWI478339B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW098128480
申请日：2009-08-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳建豪 , CHEN, CHIEN HAO , 侯永田 , HOU, YONG-TIAN , 林綱正 , LIN, KANG CHENG , 黃國泰 , HUANG, KUO TAI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28088 , H01L21/28194 , H01L21/28247 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/6659 , H01L29/7833

10. 发明专利

TWI438849B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI438849B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW098108380
申请日：2009-03-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：侯永田 , HOU, YONG TIAN , 陳建豪 , CHEN, CHIEN HAO , 趙元舜 , CHAO, DONALD Y. , 洪正隆 , HUNG, CHENG LUNG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L21/28176 , H01L21/28229 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/6659 , H01L29/7833

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