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1. 发明专利

TW201727860A 半導體裝置結構审中-公开
简体标题：半导体设备结构
公开(公告)号：TW201727860A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105141744
申请日：2016-12-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 包天一 , BAO, TIEN I , 蔡榮訓 , TSAI, JUNG HSUN
IPC分类号： H01L23/532
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L21/7681 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295
摘要：根據一些實施例，本發明提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包括基底。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一導電結構。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一介電層。第一介電層具有暴露第一導電結構的第一開口。半導體裝置結構包括覆蓋第一開口的第一內壁之覆蓋層，且覆蓋層具有暴露第一導電結構的第二開口。覆蓋層包括金屬氧化物。半導體裝置結構包括第二導電結構，其填入第一開口且被覆蓋層所圍繞。第二導電結構電性連接至第一導電結構。
简体摘要：根据一些实施例，本发明提供一种半导体设备结构。半导体设备结构包括基底。半导体设备结构包括位于基底上方之第一导电结构。半导体设备结构包括位于基底上方之第一介电层。第一介电层具有暴露第一导电结构的第一开口。半导体设备结构包括覆盖第一开口的第一内壁之覆盖层，且覆盖层具有暴露第一导电结构的第二开口。覆盖层包括金属氧化物。半导体设备结构包括第二导电结构，其填入第一开口且被覆盖层所围绕。第二导电结构电性连接至第一导电结构。

2. 发明专利

TW201727745A 積體電路結構及其製造方法审中-公开
简体标题：集成电路结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201727745A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135086
申请日：2016-10-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蔡榮訓 , TSAI, JUNG HSUN , 鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I , 黃建樺 , HUANG, CHIEN HUA
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/0206 , H01L21/02071 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76807 , H01L21/76834 , H01L21/7684 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/53295
摘要：本揭露提供一種方法，包括提供具有第一介電材料層及藉由第一介電材料層之區段彼此橫向分離之第一導電特徵之基板。在第一介電材料層及第一導電特徵上沉積第一蝕刻終止層，從而形成具有與第一介電材料層之區段自對準之富氧部分及與第一導電特徵自對準之缺氧部分的第一蝕刻終止層。執行選擇性移除製程以選擇性移除第一蝕刻終止層之缺氧部分。在第一導電特徵及第一蝕刻終止層之富氧部分上形成第二蝕刻終止層。在第二蝕刻終止層上形成第二介電材料層。在第二介電材料層中形成導電結構。
简体摘要：本揭露提供一种方法，包括提供具有第一介电材料层及借由第一介电材料层之区段彼此横向分离之第一导电特征之基板。在第一介电材料层及第一导电特征上沉积第一蚀刻终止层，从而形成具有与第一介电材料层之区段自对准之富氧部分及与第一导电特征自对准之缺氧部分的第一蚀刻终止层。运行选择性移除制程以选择性移除第一蚀刻终止层之缺氧部分。在第一导电特征及第一蚀刻终止层之富氧部分上形成第二蚀刻终止层。在第二蚀刻终止层上形成第二介电材料层。在第二介电材料层中形成导电结构。

3. 发明专利

TW201735253A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201735253A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138811
申请日：2016-11-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 李劭寬 , LEE, SHAO KUAN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76865 , H01L21/76846 , H01L21/7685 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295
摘要：一種半導體裝置，包括一第一金屬導線層；一層間介電層，形成於第一金屬導線層上方；一第二金屬導線結構，埋置於該層間介電層中並連接至第一金屬導線層；以及一蝕刻停止層，設置於第一金屬導線層與層間介電層之間。蝕刻停止層包括一或多個子層。蝕刻停止層包括一第一子層，其係由鋁基絕緣材料、氧化鉿、氧化鋯或氧化鈦所製成。
简体摘要：一种半导体设备，包括一第一金属导线层；一层间介电层，形成于第一金属导线层上方；一第二金属导线结构，埋置于该层间介电层中并连接至第一金属导线层；以及一蚀刻停止层，设置于第一金属导线层与层间介电层之间。蚀刻停止层包括一或多个子层。蚀刻停止层包括一第一子层，其系由铝基绝缘材料、氧化铪、氧化锆或氧化钛所制成。

4. 发明专利

TW201714209A 製造半導體裝置之方法审中-公开
简体标题：制造半导体设备之方法
公开(公告)号：TW201714209A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105132604
申请日：2016-10-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 蔡榮訓 , TSAI, JUNG HSUN , 鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L23/5329 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/31105 , H01L21/32051 , H01L21/32131 , H01L21/32133 , H01L21/76802 , H01L21/76879 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L29/41783 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66477 , H01L29/78
摘要：於基板上形成多個高介電係數金屬閘極結構。高介電係數金屬閘極結構被多個間隙所隔開。高介電係數金屬閘極結構各包含第一介電層於高介電係數金屬閘極結構的上表面。以第一導電材料填充間隙。透過回蝕製程來於各間隙中移除部分的第一導電材料。使用旋轉塗佈沉積製程來形成金屬氧化層。於高介電係數金屬閘極結構上且於第一導電材料上形成金屬氧化層。於金屬氧化層上形成第二介電層。在第二介電層中蝕刻開口。開口被蝕刻貫穿第二介電層且貫穿金屬氧化層。以第二導電材料填充開口。
简体摘要：于基板上形成多个高介电系数金属闸极结构。高介电系数金属闸极结构被多个间隙所隔开。高介电系数金属闸极结构各包含第一介电层于高介电系数金属闸极结构的上表面。以第一导电材料填充间隙。透过回蚀制程来于各间隙中移除部分的第一导电材料。使用旋转涂布沉积制程来形成金属氧化层。于高介电系数金属闸极结构上且于第一导电材料上形成金属氧化层。于金属氧化层上形成第二介电层。在第二介电层中蚀刻开口。开口被蚀刻贯穿第二介电层且贯穿金属氧化层。以第二导电材料填充开口。

5. 发明专利

TWI628743B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI628743B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105138811
申请日：2016-11-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 李劭寬 , LEE, SHAO KUAN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532

7. 发明专利

TW201733069A 半導體元件結構审中-公开
简体标题：半导体组件结构
公开(公告)号：TW201733069A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105139647
申请日：2016-12-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李劭寬 , LEE, SHAO KUAN , 黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76835 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/5329 , H01L23/53295
摘要：本揭露提供了一種半導體元件結構及其形成方法。半導體元件結構包括半導體基底及位於半導體基底上之介電層。介電層具有保護區域及較下部分，較下部分介於保護區域與半導體基底之間。保護區域較介電層之較下部分包含更多的碳。半導體元件結構還包括導電部件。導電部件穿過保護區域，且導電部件之較低部分由介電層之較下部分所圍繞。
简体摘要：本揭露提供了一种半导体组件结构及其形成方法。半导体组件结构包括半导体基底及位于半导体基底上之介电层。介电层具有保护区域及较下部分，较下部分介于保护区域与半导体基底之间。保护区域较介电层之较下部分包含更多的碳。半导体组件结构还包括导电部件。导电部件穿过保护区域，且导电部件之较低部分由介电层之较下部分所围绕。

8. 发明专利

TWI525748B 半導體積體電路及其製造方法有权
简体标题：半导体集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TWI525748B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW102146534
申请日：2013-12-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 張鈺聲 , CHANG, YU SHENG , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/5329 , H01L21/7682 , H01L21/76835 , H01L23/528 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

9. 发明专利

TW201431004A 半導體積體電路及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TW201431004A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102146534
申请日：2013-12-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 張鈺聲 , CHANG, YU SHENG , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/5329 , H01L21/7682 , H01L21/76835 , H01L23/528 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體積體電路的製造方法，包括：接收一前驅物，其包括：一基板；多個導電特徵，延伸於基板之上；以及一間隔，位於導電特徵之間；在前驅物上的導電特徵之間的間隔中沉積一可分解聚合物層(decomposable polymer layer;DPL)；對可分解聚合物層(DPL)進行退火以在導電特徵之間形成不同類型的聚合物奈米結構的一有序的週期性圖案；實施一第一選擇性蝕刻以分解聚合物奈米結構的一第一類型，在導電特徵之間形成一溝槽及一模板(template)，其具有溝槽及聚合物奈米結構的一第二類型之有序的重複週期性圖案；將一介電層填入溝槽以形成一介電塊(block)；以及實施一第二選擇性蝕刻以分解聚合物奈米結構的第二類型以在導電特徵之間形成由多個奈米氣隙(nano-air gaps)及介電塊形成之一介電矩陣(matrix)。本發明亦提供一種半導體積體電路。
简体摘要：本发明提供一种半导体集成电路的制造方法，包括：接收一前驱物，其包括：一基板；多个导电特征，延伸于基板之上；以及一间隔，位于导电特征之间；在前驱物上的导电特征之间的间隔中沉积一可分解聚合物层(decomposable polymer layer;DPL)；对可分解聚合物层(DPL)进行退火以在导电特征之间形成不同类型的聚合物奈米结构的一有序的周期性图案；实施一第一选择性蚀刻以分解聚合物奈米结构的一第一类型，在导电特征之间形成一沟槽及一模板(template)，其具有沟槽及聚合物奈米结构的一第二类型之有序的重复周期性图案；将一介电层填入沟槽以形成一介电块(block)；以及实施一第二选择性蚀刻以分解聚合物奈米结构的第二类型以在导电特征之间形成由多个奈米气隙(nano-air gaps)及介电块形成之一介电矩阵(matrix)。本发明亦提供一种半导体集成电路。

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