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    • 2. 发明专利
    • 用於降低壅塞的靜態隨機存取記憶體序列化存取
    • 用于降低壅塞的静态随机存取内存串行化存取
    • TW201820318A
    • 2018-06-01
    • TW106124605
    • 2017-07-21
    • 台灣積體電路製造股份有限公司TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
    • 陳新正CHEN, HSIN-CHENG劉 逸群LIU, JACK
    • G11C7/06G11C16/26
    • 本發明實施例係關於一種電路,其包含一序列化器,該序列化器經組態以接收具有一第一位元寬度之一非序列化輸入訊號且產生各具有一第二位元寬度之複數個序列化輸入訊號。一靜態隨機存取記憶體(SRAM)陣列經組態以接收該複數個序列化輸入訊號之各者。該SRAM陣列進一步經組態以產生複數個序列化輸出訊號。一解序列化器經組態以接收該複數個序列化輸出訊號且產生一非序列化輸出訊號。該複數個序列化輸出訊號各具有等於第二位元寬度之一位元寬度且該非序列化輸出訊號具有等於該第一位元寬度之一位元寬度。
    • 本发明实施例系关于一种电路,其包含一串行化器,该串行化器经组态以接收具有一第一比特宽度之一非串行化输入信号且产生各具有一第二比特宽度之复数个串行化输入信号。一静态随机存取内存(SRAM)数组经组态以接收该复数个串行化输入信号之各者。该SRAM数组进一步经组态以产生复数个串行化输出信号。一解串行化器经组态以接收该复数个串行化输出信号且产生一非串行化输出信号。该复数个串行化输出信号各具有等于第二比特宽度之一比特宽度且该非串行化输出信号具有等于该第一比特宽度之一比特宽度。