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1. 发明专利

TW201800176A 產生至少一個微粒遮罩體的設備审中-公开
简体标题：产生至少一个微粒遮罩体的设备
公开(公告)号：TW201800176A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106107930
申请日：2017-03-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：游秋山 , YOO, CHUE-SAN , 陳慶躍 , CHEN, CHING-YUEH , 鄭文豪 , CHENG, WEN-HAO
IPC分类号： B23Q11/08 , H01L21/67
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/707 , G03F7/70875 , H01L21/67115 , H01L21/67253
摘要：本發明的實施例提供一種用於產生至少一個微粒遮罩體的設備。所述至少一個微粒遮罩體包括第一部件及第二部件。所述第一部件及所述第二部件能夠用於形成所述至少一個微粒遮罩體中的第一微粒遮罩體，以阻擋微粒接觸物體的接近表面，所述第一微粒遮罩體實質上平行於所述物體的所述接近表面並與所述物體的所述接近表面在實體上隔開，且所述第一微粒遮罩體包括能量梯度力或速度梯度力。
简体摘要：本发明的实施例提供一种用于产生至少一个微粒遮罩体的设备。所述至少一个微粒遮罩体包括第一部件及第二部件。所述第一部件及所述第二部件能够用于形成所述至少一个微粒遮罩体中的第一微粒遮罩体，以阻挡微粒接触物体的接近表面，所述第一微粒遮罩体实质上平行于所述物体的所述接近表面并与所述物体的所述接近表面在实体上隔开，且所述第一微粒遮罩体包括能量梯度力或速度梯度力。

2. 发明专利

TWI630158B 存放盒及顆粒檢測方法有权
简体标题：存放盒及颗粒检测方法
公开(公告)号：TWI630158B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW106100678
申请日：2017-01-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳慶躍 , CHEN, CHING-YUEH , 翁國倫 , WEN, GO-LUM , 賴俊宏 , LAI, CHUN-HUNG
IPC分类号： B65G47/90 , B65G49/07 , H01L21/66 , G01N21/88

3. 发明专利

TW201825371A 存放盒及顆粒檢測方法审中-公开
简体标题：存放盒及颗粒检测方法
公开(公告)号：TW201825371A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106100678
申请日：2017-01-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳慶躍 , CHEN, CHING-YUEH , 翁國倫 , WEN, GO-LUM , 賴俊宏 , LAI, CHUN-HUNG
IPC分类号： B65G47/90 , B65G49/07 , H01L21/66 , G01N21/88
摘要：一種存放盒，適於存放基板，存放盒包括底座以及上蓋。上蓋覆蓋底座上並且與底座組裝，其中基板適於被存放在底座與上蓋之間的存放空間內，而上蓋具有位於基板上方的透光檢測窗，且透光檢測窗的尺寸大於基板的尺寸。此外，一種使用前述的存放盒的顆粒檢測方法亦被提出。
简体摘要：一种存放盒，适于存放基板，存放盒包括底座以及上盖。上盖覆盖底座上并且与底座组装，其中基板适于被存放在底座与上盖之间的存放空间内，而上盖具有位于基板上方的透光检测窗，且透光检测窗的尺寸大于基板的尺寸。此外，一种使用前述的存放盒的颗粒检测方法亦被提出。

4. 发明专利

TW544767B 邊緣減光複合式相位移光罩的製造方法失效
简体标题：边缘减光复合式相位移光罩的制造方法
公开(公告)号：TW544767B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091117361
申请日：2002-08-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳慶躍
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係揭露一種邊緣減光複合式相位移光罩的製造方法。首先，提供一透光基底，其具有一相位移層、一罩幕層。接著，圖案化上述罩幕層，直到露出上述相位移層表面。接著，等向性蝕刻上述相位移層，用以使上述罩幕層與上述相位移層部分形成一倒T形凹槽。全面性形成一光阻層，用以填滿上述倒T形凹槽。以上述罩幕層為罩幕，實施一顯影程序，去除部分上述光阻層，只留下上述罩幕層下方的上述光阻層部分。以上述圖案化罩幕層與殘留之光阻為罩幕，蝕刻上述透光基底至一定厚度，以形成一透光區。最後，去除上述殘留之光阻與上述罩幕層。
简体摘要：本发明系揭露一种边缘减光复合式相位移光罩的制造方法。首先，提供一透光基底，其具有一相位移层、一罩幕层。接着，图案化上述罩幕层，直到露出上述相位移层表面。接着，等向性蚀刻上述相位移层，用以使上述罩幕层与上述相位移层部分形成一倒T形凹槽。全面性形成一光阻层，用以填满上述倒T形凹槽。以上述罩幕层为罩幕，实施一显影进程，去除部分上述光阻层，只留下上述罩幕层下方的上述光阻层部分。以上述图案化罩幕层与残留之光阻为罩幕，蚀刻上述透光基底至一定厚度，以形成一透光区。最后，去除上述残留之光阻与上述罩幕层。

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