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1. 发明专利

TW201911574A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201911574A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106135536
申请日：2017-10-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI , 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 方子韋 , FANG, ZI-WEI , 張毅敏 , CHANG, I MING , 峰地輝 , MINEJI, AKIRA , 林佑明 , LIN, YU MING , 蕭孟軒 , HSIAO, MENG HSUAN
IPC分类号： H01L29/43 , H01L21/28
摘要：一種包括場效電晶體(FET)的半導體裝置。場效電晶體包括通道區域及相鄰通道區域之源極/汲極區域。場效電晶體亦包括設置在通道區域上方之閘極電極。場效電晶體為n型場效電晶體且通道區域是由Si製成。源極/汲極區域包括含有Si1-x-yM1xM2y的磊晶層，其中M1為Ge及Sn中的一者或多者，M2為P及As中的一者或多者，並且0.01x0.1。
简体摘要：一种包括场效应管(FET)的半导体设备。场效应管包括信道区域及相邻信道区域之源极/汲极区域。场效应管亦包括设置在信道区域上方之闸极电极。场效应管为n型场效应管且信道区域是由Si制成。源极/汲极区域包括含有Si1-x-yM1xM2y的磊晶层，其中M1为Ge及Sn中的一者或多者，M2为P及As中的一者或多者，并且0.01x0.1。

2. 发明专利

TW201830496A 包含鰭式場效電晶體之半導體裝置及其形成方法审中-公开
简体标题：包含鳍式场效应管之半导体设备及其形成方法
公开(公告)号：TW201830496A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106131054
申请日：2017-09-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蕭孟軒 , HSIAO, MENG HSUAN , 楊育佳 , YEO, YEE-CHIA , 李東穎 , LEE, TUNG YING , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/43
摘要：在形成包含鰭式場效電晶體之半導體裝置的方法中，在鰭式場效電晶體結構的源極/汲極結構和隔離絕緣層上形成第一犧牲層。圖案化第一犧牲層，從而形成開口。形成第一襯墊層於開口底部的隔離絕緣層上和圖案化第一犧牲層的至少一側壁上。在形成第一襯墊層之後，於開口內形成介電層。在形成介電層之後，移除圖案化第一犧牲層，從而在源極/汲極結構上形成接觸開口。形成導電層於接觸開口內。
简体摘要：在形成包含鳍式场效应管之半导体设备的方法中，在鳍式场效应管结构的源极/汲极结构和隔离绝缘层上形成第一牺牲层。图案化第一牺牲层，从而形成开口。形成第一衬垫层于开口底部的隔离绝缘层上和图案化第一牺牲层的至少一侧壁上。在形成第一衬垫层之后，于开口内形成介电层。在形成介电层之后，移除图案化第一牺牲层，从而在源极/汲极结构上形成接触开口。形成导电层于接触开口内。

3. 发明专利

TW201830491A 半導體元件與其製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件与其制造方法
公开(公告)号：TW201830491A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106120241
申请日：2017-06-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李東穎 , LEE, TUNG YING , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 李宗霖 , LEE, TSUNG LIN , 楊育佳 , YEO, YEE-CHIA , 蕭孟軒 , HSIAO, MENG HSUAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/41 , H01L29/78
摘要：含鰭式場效電晶體半導體元件的製造方法中，於鰭式場效電晶體的源極/汲極結構及分隔絕緣層的上方形成犧牲層。於犧牲層上方形成圖案遮罩。藉由使用圖案遮罩作為蝕刻遮罩來圖案化犧牲層與源極/汲極結構，進而在經圖案化之犧牲層與源極/汲極結構鄰近處形成開口。於開口中形成介電層。在形成介電層之後，移除經圖案化之犧牲層以於經圖案化之源極/汲極結構上方形成接點開口。於接點開口中形成導電層。
简体摘要：含鳍式场效应管半导体组件的制造方法中，于鳍式场效应管的源极/汲极结构及分隔绝缘层的上方形成牺牲层。于牺牲层上方形成图案遮罩。借由使用图案遮罩作为蚀刻遮罩来图案化牺牲层与源极/汲极结构，进而在经图案化之牺牲层与源极/汲极结构邻近处形成开口。于开口中形成介电层。在形成介电层之后，移除经图案化之牺牲层以于经图案化之源极/汲极结构上方形成接点开口。于接点开口中形成导电层。

4. 发明专利

TWI653761B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI653761B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106135536
申请日：2017-10-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：奧野泰利 , OKUNO, YASUTOSHI , 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 方子韋 , FANG, ZI-WEI , 張毅敏 , CHANG, I MING , 峰地輝 , MINEJI, AKIRA , 林佑明 , LIN, YU MING , 蕭孟軒 , HSIAO, MENG HSUAN
IPC分类号： H01L29/43 , H01L21/28

5. 发明专利

TW201830497A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201830497A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106133204
申请日：2017-09-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李東穎 , LEE, TUNG YING , 方子韋 , FANG, ZI-WEI , 楊育佳 , YEO, YEE-CHIA , 蕭孟軒 , HSIAO, MENG HSUAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/43
摘要：在形成鰭式場效電晶體(FinFET)的方法中，第一犧牲層形成於鰭式場效電晶體的源極/汲極結構及隔離絕緣層上方。使第一犧牲層凹陷使得第一犧牲層的剩餘層形成於隔離絕緣層上，且曝露出源極/汲極結構的上部。第二犧牲層形成於剩餘層及曝露出的源極/汲極結構上。將第二犧牲層及剩餘層圖案化，進而形成開口。介電層形成於開口中。在形成介電層後，移除經圖案化之第一及第二犧牲層以形成接觸開口於源極/汲極結構上方。導電層形成於接觸開口中。
简体摘要：在形成鳍式场效应管(FinFET)的方法中，第一牺牲层形成于鳍式场效应管的源极/汲极结构及隔离绝缘层上方。使第一牺牲层凹陷使得第一牺牲层的剩余层形成于隔离绝缘层上，且曝露出源极/汲极结构的上部。第二牺牲层形成于剩余层及曝露出的源极/汲极结构上。将第二牺牲层及剩余层图案化，进而形成开口。介电层形成于开口中。在形成介电层后，移除经图案化之第一及第二牺牲层以形成接触开口于源极/汲极结构上方。导电层形成于接触开口中。

6. 发明专利

TW201919108A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201919108A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107110798
申请日：2018-03-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：蕭孟軒 , HSIAO, MENG-HSUAN , 陳維寧 , CHEN, WINNIE VICTORIA WEI-NING , 李東穎 , LEE, TUNG YING
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/36
摘要：本發明實施例係關於一種半導體結構，其包含一第一電晶體及一第二電晶體。該第一電晶體包含一半導體基板，其具有一頂面及該頂面處之摻雜有一第一導電性摻雜劑之一第一抗穿通區域。該第一電晶體進一步包含位於該半導體基板之該頂面上方一第一距離處之一第一通道。該第二電晶體包含該半導體基板之該頂面處之摻雜有一第二導電性摻雜劑之一第二抗穿通區域。該第二電晶體進一步包含位於該半導體基板之該頂面上方一第二距離處之一第二通道，該第二距離大於該第一距離。本發明實施例亦係關於一種用於製造本文中所描述之半導體結構的方法。
简体摘要：本发明实施例系关于一种半导体结构，其包含一第一晶体管及一第二晶体管。该第一晶体管包含一半导体基板，其具有一顶面及该顶面处之掺杂有一第一导电性掺杂剂之一第一抗穿通区域。该第一晶体管进一步包含位于该半导体基板之该顶面上方一第一距离处之一第一信道。该第二晶体管包含该半导体基板之该顶面处之掺杂有一第二导电性掺杂剂之一第二抗穿通区域。该第二晶体管进一步包含位于该半导体基板之该顶面上方一第二距离处之一第二信道，该第二距离大于该第一距离。本发明实施例亦系关于一种用于制造本文中所描述之半导体结构的方法。

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