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1. 发明专利

TWI638399B 半導體製造裝置及其研磨模組有权
简体标题：半导体制造设备及其研磨模块
公开(公告)号：TWI638399B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW105128878
申请日：2016-09-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：簡宏仲 , CHIEN, HUNG CHUNG , 陳淑芳 , CHEN, SHU FANG , 陳俊華 , CHEN, JHUN HUA , 謝弘璋 , HSIEH, HUNG CHANG , 林育賢 , LIN, YU HSIEN
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/463 , H01L21/66

2. 发明专利

TWI573252B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI573252B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104134912
申请日：2015-10-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：郭明誌 , KUO, MING JHIH , 林育賢 , LIN, YU HSIEN , 謝弘璋 , HSIEH, HUNG CHANG , 陳俊華 , CHEN, JHUN HUA
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823475 , H01L21/76829 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823468 , H01L27/088 , H01L29/165 , H01L29/517 , H01L29/6656 , H01L29/66636

3. 发明专利

TWI476818B 微影罩幕的製作方法有权
简体标题：微影罩幕的制作方法
公开(公告)号：TWI476818B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW101148605
申请日：2012-12-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李信昌 , LEE, HSIN CHANG , 林雲躍 , LIN, YUN YUE , 謝弘璋 , HSIEH, HUNG CHANG , 陳嘉仁 , CHEN, CHIA JEN , 蘇益辰 , SU, YIH CHEN , 連大成 , LIEN, TA CHENG , 嚴濤南 , YEN, ANTHONY
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/76

4. 发明专利

TW457404B 節省電子束書寫時間之光罩製作方法有权
简体标题：节省电子束书写时间之光罩制作方法
公开(公告)号：TW457404B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW089110495
申请日：2000-05-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：謝弘璋 , 郭宏瑞 , 游信勝
IPC分类号： G03F
摘要：本發明提供一種節省電子束書寫時間之光罩製作方法，包括以下步驟。首先，提供一圖案，具有至少一非垂直一水平線。接著，使用至少一水平線及一垂直線之組合取代該非垂直-水平線，而使圖案正交化。最後，將正交化之圖案轉移至一光罩底材上以完成一光罩。因此，本發明為配合電子束之書寫而將圖案正交化，使電子束之書寫動作流暢，節省書寫時間並避免圖案失真之問題。
简体摘要：本发明提供一种节省电子束书写时间之光罩制作方法，包括以下步骤。首先，提供一图案，具有至少一非垂直一水平线。接着，使用至少一水平线及一垂直线之组合取代该非垂直-水平线，而使图案正交化。最后，将正交化之图案转移至一光罩底材上以完成一光罩。因此，本发明为配合电子束之书写而将图案正交化，使电子束之书写动作流畅，节省书写时间并避免图案失真之问题。

5. 发明专利

TWI619035B 置入散色條於微影製程的方法有权
简体标题：置入散色条于微影制程的方法
公开(公告)号：TWI619035B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW104140488
申请日：2015-12-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：何育如 , HO, YU JU , 洪愛真 , HUNG, AI JEN , 謝弘璋 , HSIEH, HUNG CHANG , 呂奎亮 , LU, KUEI LIANG , 張雅惠 , CHANG, YA HUI
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5072 , G03F1/144 , G03F1/36 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G06F17/5081

6. 发明专利

TW201616641A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201616641A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104134912
申请日：2015-10-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：郭明誌 , KUO, MING JHIH , 林育賢 , LIN, YU HSIEN , 謝弘璋 , HSIEH, HUNG CHANG , 陳俊華 , CHEN, JHUN HUA
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823475 , H01L21/76829 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823468 , H01L27/088 , H01L29/165 , H01L29/517 , H01L29/6656 , H01L29/66636
摘要：本內容揭露一種半導體裝置的製造方法，包含形成閘極結構於基板之上，此閘極結構包含第一硬罩幕層。此方法還包含形成源極/汲極特徵在鄰近於閘極結構的基板之中；以及形成沿著閘極結構之側壁的側壁間隔物，此側壁間隔物在其上部具有背離閘極結構的外邊緣。此方法更包含形成沿著閘極結構之側壁和側壁間隔物之外邊緣的第二間隔物；形成介電層於閘極結構之上；以及形成溝渠，此溝渠延伸穿越介電層以暴露源極/汲極特徵，與此同時，閘極結構則由第一硬罩幕、側壁間隔物及第二間隔物所保護。此方法另外包含形成接點於溝渠之中。
简体摘要：本内容揭露一种半导体设备的制造方法，包含形成闸极结构于基板之上，此闸极结构包含第一硬罩幕层。此方法还包含形成源极/汲极特征在邻近于闸极结构的基板之中；以及形成沿着闸极结构之侧壁的侧壁间隔物，此侧壁间隔物在其上部具有背离闸极结构的外边缘。此方法更包含形成沿着闸极结构之侧壁和侧壁间隔物之外边缘的第二间隔物；形成介电层于闸极结构之上；以及形成沟渠，此沟渠延伸穿越介电层以暴露源极/汲极特征，与此同时，闸极结构则由第一硬罩幕、侧壁间隔物及第二间隔物所保护。此方法另外包含形成接点于沟渠之中。

7. 发明专利

TW201410332A 成型光阻層之方法审中-公开
简体标题：成型光阻层之方法
公开(公告)号：TW201410332A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102128798
申请日：2013-08-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張浚威 , CHANG, CHUN WEI , 王志謙 , WANG, CHIH CHIEN , 莫忘本 , MO, WANG PEN , 謝弘璋 , HSIEH, HUNG CHANG
IPC分类号： B05C5/02
CPC分类号： H01L21/02282 , B05D1/005 , G03F7/091 , G03F7/162 , H01L21/0271 , H01L21/0276 , H01L21/6715
摘要：一種成型光阻層之方法包括：提供一晶圓；在一第一週期中以一第一速度旋轉該晶圓，其中，一預濕材料係被分配於該晶圓之上；在該第一週期中以一第二速度旋轉該晶圓，其中，該預濕材料係繼續被分配於該晶圓之上；在一第二週期中以該第一速度旋轉該晶圓，其中，該預濕材料係繼續被分配於該晶圓之上；在該第二週期中以該第二速度旋轉該晶圓，其中，該預濕材料係繼續被分配於該晶圓之上；以及以一第三速度旋轉該晶圓，其中，一光阻材料係被分配於具有該預濕材料之該晶圓之上。
简体摘要：一种成型光阻层之方法包括：提供一晶圆；在一第一周期中以一第一速度旋转该晶圆，其中，一预湿材料系被分配于该晶圆之上；在该第一周期中以一第二速度旋转该晶圆，其中，该预湿材料系继续被分配于该晶圆之上；在一第二周期中以该第一速度旋转该晶圆，其中，该预湿材料系继续被分配于该晶圆之上；在该第二周期中以该第二速度旋转该晶圆，其中，该预湿材料系继续被分配于该晶圆之上；以及以一第三速度旋转该晶圆，其中，一光阻材料系被分配于具有该预湿材料之该晶圆之上。

8. 发明专利

TW201349290A 晶圓的製備方法审中-公开
简体标题：晶圆的制备方法
公开(公告)号：TW201349290A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102112990
申请日：2013-04-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張浚威 , CHANG, CHUN WEI , 莫忘本 , MO, WANG PEN , 謝弘璋 , HSIEH, HUNG CHANG
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/0002 , H01L21/0274 , H01L21/3085 , H01L21/31058 , H01L21/31144
摘要：圖案化晶圓之基板上的膜層，以形成多個第一膜層區與多個第二膜層區。移除第一膜層區。保留第二膜層區於基板上。保留膜層的第一部份於基板上。膜層的第一部份之第一邊緣實質上靠近晶圓的邊緣。膜層的第一部份定義用於晶圓的邊界。
简体摘要：图案化晶圆之基板上的膜层，以形成多个第一膜层区与多个第二膜层区。移除第一膜层区。保留第二膜层区于基板上。保留膜层的第一部份于基板上。膜层的第一部份之第一边缘实质上靠近晶圆的边缘。膜层的第一部份定义用于晶圆的边界。

9. 发明专利

TW384417B 相移光罩的製造方法有权
简体标题：相移光罩的制造方法
公开(公告)号：TW384417B
公开(公告)日：2000-03-11
申请号：TW088109679
申请日：1999-06-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：游信勝 , 謝弘璋
IPC分类号： G03F , H01L
摘要：本發明提供一種相移光罩(phase shift mask)的製造方法，其步驟首先為，在透明光罩基板上形成一遮光層以及一光阻層，然後對上述光阻層進行電子束曝光以及顯影步驟處理，以形成一第l光阻圖案。接著，利用上述第l光阻圖案為蝕刻罩幕，並且蝕刻上述遮光層以及上述透明光罩基板，以定義出相位為0度之透光區域，並且直到上述透明光罩基板之蝕刻深度(d)約為1/4倍之曝光波長(λ)為止。其次，灰化去除(ashing)上述第l光阻圖案之外週邊，以形成第2光阻圖案，再利用上述第2光阻圖案為蝕刻罩幕，並且蝕刻上述遮光層，以定義出相位為180度之透光區域，而完成相移光罩。根據本發明的方法，可大幅節省光罩製作成本。
简体摘要：本发明提供一种相移光罩(phase shift mask)的制造方法，其步骤首先为，在透明光罩基板上形成一遮光层以及一光阻层，然后对上述光阻层进行电子束曝光以及显影步骤处理，以形成一第l光阻图案。接着，利用上述第l光阻图案为蚀刻罩幕，并且蚀刻上述遮光层以及上述透明光罩基板，以定义出相位为0度之透光区域，并且直到上述透明光罩基板之蚀刻深度(d)约为1/4倍之曝光波长(λ)为止。其次，灰化去除(ashing)上述第l光阻图案之外周边，以形成第2光阻图案，再利用上述第2光阻图案为蚀刻罩幕，并且蚀刻上述遮光层，以定义出相位为180度之透光区域，而完成相移光罩。根据本发明的方法，可大幅节省光罩制作成本。

10. 发明专利

TW201803020A 半導體裝置的形成方法审中-公开
简体标题：半导体设备的形成方法
公开(公告)号：TW201803020A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106114254
申请日：2017-04-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：羅元彥 , LO, YUAN YEN , 王之妤 , WANG, JHIH YU , 陳俊華 , CHEN, JHUN HUA , 謝弘璋 , HSIEH, HUNG CHANG
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/823475 , H01L21/30604 , H01L21/3085 , H01L21/76895 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L23/535 , H01L27/088 , H01L29/66545 , H01L29/66553
摘要：方法包括沉積蝕刻停止層於基板上；圖案化蝕刻停止層，使圖案化的蝕刻停止層覆蓋第一區的基板，且圖案化的蝕刻停止層的開口露出第二區的基板；沉積第一介電層於第一區中的蝕刻停止層上以及第二區中的基板上；圖案化第一介電層，以形成第一溝槽穿過第一區中的第一介電層，且第一溝槽露出蝕刻停止層；形成金屬結構於第一溝槽中；沉積第二介電層於第一區中的金屬結構上以及第二區中的第一介電層上；以及進行圖案化製程，以形成第二溝槽穿過第一區中的第二介電層，並形成第三溝槽穿過第二區中的第二介電層與第一介電層。
简体摘要：方法包括沉积蚀刻停止层于基板上；图案化蚀刻停止层，使图案化的蚀刻停止层覆盖第一区的基板，且图案化的蚀刻停止层的开口露出第二区的基板；沉积第一介电层于第一区中的蚀刻停止层上以及第二区中的基板上；图案化第一介电层，以形成第一沟槽穿过第一区中的第一介电层，且第一沟槽露出蚀刻停止层；形成金属结构于第一沟槽中；沉积第二介电层于第一区中的金属结构上以及第二区中的第一介电层上；以及进行图案化制程，以形成第二沟槽穿过第一区中的第二介电层，并形成第三沟槽穿过第二区中的第二介电层与第一介电层。

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