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    • 2. 发明专利
    • 製造包含穿過基板延伸之通孔之互連的方法
    • 制造包含穿过基板延伸之通孔之互连的方法
    • TW201733066A
    • 2017-09-16
    • TW106101376
    • 2017-01-16
    • 可布斯股份有限公司KOBUS SAS
    • 維提依羅 朱利安VITIELLO, JULIEN皮阿拉提 斐賓恩PIALLAT, FABIEN
    • H01L23/52H01L21/60
    • H01L21/76898C23C16/45523H01L21/28556
    • 本發明關於製造包含穿過基板(1)延伸之通孔(V)之互連的方法,其依序包含:(a)將氮化鈦或氮化鉭層(11)沉積在基板的主要表面(1A)上,以及在延伸到該基板的至少部分厚度裡之至少一孔洞(10)的內表面(10A、10B)上,(b)將銅層(12)沉積在該氮化鈦或氮化鉭層(11)上,(c)以銅來填充孔洞(10),該方法的特徵在於:在步驟(a)期間,基板(1)安排於第一沉積腔室(100)中;以及特徵在於:該步驟(a)包含根據第一序列脈衝、經由第一注射途徑而將氣相鈦或鉭前驅物注射到沉積腔室裡,以及包含以第二序列脈衝、經由不同於第一注射途徑的第二注射途徑而將氮基反應性氣體注射到沉積腔室裡,而第一序列脈衝和第二序列脈衝不同相。
    • 本发明关于制造包含穿过基板(1)延伸之通孔(V)之互连的方法,其依序包含:(a)将氮化钛或氮化钽层(11)沉积在基板的主要表面(1A)上,以及在延伸到该基板的至少部分厚度里之至少一孔洞(10)的内表面(10A、10B)上,(b)将铜层(12)沉积在该氮化钛或氮化钽层(11)上,(c)以铜来填充孔洞(10),该方法的特征在于:在步骤(a)期间,基板(1)安排于第一沉积腔室(100)中;以及特征在于:该步骤(a)包含根据第一串行脉冲、经由第一注射途径而将气相钛或钽前驱物注射到沉积腔室里,以及包含以第二串行脉冲、经由不同于第一注射途径的第二注射途径而将氮基反应性气体注射到沉积腔室里,而第一串行脉冲和第二串行脉冲不同相。