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1. 发明专利

TWI468559B 表面處理銅箔及覆銅層積板有权
简体标题：表面处理铜箔及覆铜层积板
公开(公告)号：TWI468559B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW098124822
申请日：2009-07-22
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：藤澤哲 , FUJISAWA, SATOSHI , 鈴木裕二 , SUZUKI, YUJI , 宇野岳夫 , UNO, TAKEO
IPC分类号： C25D7/06 , C25D3/56 , B32B15/08
CPC分类号： H05K3/384 , B32B15/01 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , B32B2307/20 , B32B2307/306 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/714 , B32B2457/08 , C22C19/03 , C25D3/562 , C25D7/0614 , H05K1/0346 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2203/0723 , Y10T428/12438 , Y10T428/12472 , Y10T428/12569 , Y10T428/12882 , Y10T428/1291 , Y10T428/12944 , Y10T428/12993

2. 发明专利

TWI397352B 具有載體之極薄銅箔及印刷電路基板（一）有权
简体标题：具有载体之极薄铜箔及印刷电路基板（一）
公开(公告)号：TWI397352B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW095143951
申请日：2006-11-28
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：鈴木裕二 , YUUJI SUZUKI , 茂木貴實 , TAKAMI MOTEKI , 星野和弘 , KAZUHIRO HOSHINO , 藤澤哲 , SATOSHI FUJISAWA , 川上昭 , AKIRA KAWAKAMI
IPC分类号： H05K1/09
CPC分类号： C25D5/10 , B32B7/06 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , B32B2457/08 , H05K3/022 , Y10T428/12812 , Y10T428/1284 , Y10T428/12847 , Y10T428/12861 , Y10T428/1291 , Y10T428/12931 , Y10T428/24917

4. 发明专利

TWI405509B 具有載體之極薄銅箔及印刷電路基板（二）有权
简体标题：具有载体之极薄铜箔及印刷电路基板（二）
公开(公告)号：TWI405509B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW095143950
申请日：2006-11-28
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：鈴木裕二 , YUUJI SUZUKI , 茂木貴實 , TAKAMI MOTEKI , 星野和弘 , KAZUHIRO HOSHINO , 藤澤哲 , SATOSHI FUJISAWA , 川上昭 , AKIRA KAWAKAMI
IPC分类号： H05K1/09 , H05K3/38
CPC分类号： H05K3/025 , C25D1/04 , C25D1/20 , Y10T428/12438 , Y10T428/12458 , Y10T428/12514 , Y10T428/12771 , Y10T428/12812 , Y10T428/1284 , Y10T428/12854 , Y10T428/12861 , Y10T428/1291 , Y10T428/12931

5. 发明专利

TW201139752A 表面處理銅箔、其製造方法以及覆銅層積板审中-公开
简体标题：表面处理铜箔、其制造方法以及覆铜层积板
公开(公告)号：TW201139752A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100102464
申请日：2011-01-24
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , 新日鐵化學股份有限公司
发明人：藤澤哲 , 宇野岳夫 , 服部公一
IPC分类号： C25D , B32B , H05K
CPC分类号： C25D5/34 , B32B15/01 , B32B15/08 , B32B2457/00 , C22C19/002 , C22C19/03 , C25D3/562 , C25D5/48 , H05K3/384 , H05K2201/0154 , Y10T156/10 , Y10T428/12438 , Y10T428/12451 , Y10T428/12472 , Y10T428/12535 , Y10T428/12556 , Y10T428/12792 , Y10T428/12882 , Y10T428/1291
摘要：提供一種滿足和聚醯亞胺等之絕緣樹脂之密合性、耐熱密合性、耐藥品性、輕蝕刻性而具有良好之工業性的表面處理銅箔。此外,提供一種增强絕緣樹脂和銅箔之接合强度,在形成電路時,具有耐藥品性,也在藉由雷射加工而形成通孔之後,具有良好之輕蝕刻性的表面處理銅箔之製造方法。對於母材銅箔而施行表面粗糙度Rz為1.1��m以下之粗化處理,在該粗化處理表面,施行Ni-Zn合金層。前述粗化處理係粗化處理面之幅寬為0.3-0.8��m、高度為0.6-1.8��m、深寬度比為1.2-3.5且成為前端尖銳之凸部形狀的粗化處理,在前述母材銅箔之表面粗糙度Rz增加0.05-0.3��m之範圍,施行粗化處理,前述Ni-Zn合金層係Zn含有率(wt%)為6-30%,Zn附著量為0.08mg/dm2以上。
简体摘要：提供一种满足和聚酰亚胺等之绝缘树脂之密合性、耐热密合性、耐药品性、轻蚀刻性而具有良好之工业性的表面处理铜箔。此外,提供一种增强绝缘树脂和铜箔之接合强度,在形成电路时,具有耐药品性,也在借由激光加工而形成通孔之后,具有良好之轻蚀刻性的表面处理铜箔之制造方法。对于母材铜箔而施行表面粗糙度Rz为1.1��m以下之粗化处理,在该粗化处理表面,施行Ni-Zn合金层。前述粗化处理系粗化处理面之幅宽为0.3-0.8��m、高度为0.6-1.8��m、深宽度比为1.2-3.5且成为前端尖锐之凸部形状的粗化处理,在前述母材铜箔之表面粗糙度Rz增加0.05-0.3��m之范围,施行粗化处理,前述Ni-Zn合金层系Zn含有率(wt%)为6-30%,Zn附着量为0.08mg/dm2以上。

6. 发明专利

TWI376174B 表面處理銅箔及其表面處理方法以及層積電路基板有权
简体标题：表面处理铜箔及其表面处理方法以及层积电路基板
公开(公告)号：TWI376174B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW097134379
申请日：2008-09-08
申请人：古河電氣工業股份有限公司
发明人：藤澤哲 , 鈴木裕二
IPC分类号： H05K
摘要：提供一種能夠全部滿足與聚醯亞胺的接著強度、耐酸性、蝕刻性的表面處理銅箔、該表面處理銅箔的表面處理方法以及使用該表面處理銅箔的層積電路板。表面處理銅箔在銅箔的至少一側的面上施加有由Ni-P-Zn合金所構成的表面處理層。銅箔的表面處理方法在未處理銅箔的至少一側的面上，以含有Ni：0.1～200g/L、P：0.01～50g/L、Zn：0.01～100g/L的電解浴，形成由Ni-P-Zn合金所構成的表面處理層。層積電路基板是將表面處理銅箔的表面處理層的面與樹脂基板接著而形成，其中前述表面處理銅箔是在未處理銅箔的至少一側的面上設置有由Ni-P-Zn合金所構成的表面處理層而構成。
简体摘要：提供一种能够全部满足与聚酰亚胺的接着强度、耐酸性、蚀刻性的表面处理铜箔、该表面处理铜箔的表面处理方法以及使用该表面处理铜箔的层积电路板。表面处理铜箔在铜箔的至少一侧的面上施加有由Ni-P-Zn合金所构成的表面处理层。铜箔的表面处理方法在未处理铜箔的至少一侧的面上，以含有Ni：0.1～200g/L、P：0.01～50g/L、Zn：0.01～100g/L的电解浴，形成由Ni-P-Zn合金所构成的表面处理层。层积电路基板是将表面处理铜箔的表面处理层的面与树脂基板接着而形成，其中前述表面处理铜箔是在未处理铜箔的至少一侧的面上设置有由Ni-P-Zn合金所构成的表面处理层而构成。

7. 发明专利

TWI593325B 電路基板有权
简体标题：电路基板
公开(公告)号：TWI593325B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW100120833
申请日：2011-06-15
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：藤澤哲 , FUJISAWA, SATOSHI
IPC分类号： H05K1/09 , H05K1/03 , H05K3/32
CPC分类号： B32B15/08 , B32B3/263 , B32B15/01 , H05K3/022 , H05K3/323 , H05K3/383 , H05K3/384 , H05K3/389 , H05K2203/0307 , Y10T428/12431 , Y10T428/12472 , Y10T428/31663 , Y10T428/31681

8. 发明专利

TW201022485A 表面處理銅箔及覆銅層積板审中-公开
简体标题：表面处理铜箔及覆铜层积板
公开(公告)号：TW201022485A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098124822
申请日：2009-07-22
申请人：古河電氣工業股份有限公司
发明人：藤澤哲 , 鈴木裕二 , 宇野岳夫
IPC分类号： C25D , B32B
CPC分类号： H05K3/384 , B32B15/01 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , B32B2307/20 , B32B2307/306 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/714 , B32B2457/08 , C22C19/03 , C25D3/562 , C25D7/0614 , H05K1/0346 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2203/0723 , Y10T428/12438 , Y10T428/12472 , Y10T428/12569 , Y10T428/12882 , Y10T428/1291 , Y10T428/12944 , Y10T428/12993
摘要：為了提供完全滿足銅箔對聚醯亞胺的接著強度、耐酸性、蝕刻性的表面處理銅箔，以及使用該表面處理銅箔的層積線路基板，一種由在未處理銅箔的至少一面上附著Ni-Zn合金而成的表面處理銅箔，該表面處理銅箔之Zn含有率(wt%)=Zn附著量/(Ni附著量+Zn附著量)×100為6%以上15%以下，而且Zn附著量為0.08mg/dm 2 以上，或者一種在聚醯亞胺薄膜上貼合有由在未處理銅箔的至少一面上附著Ni-Zn合金而成的表面處理銅箔之CCL，該CCL的表面處理銅箔係前述銅箔表面上所附著的Ni-Zn合金中之Zn含有率(wt%)=Zn附著量/(Ni附著量+Zn附著量)×100為6%以上15%以下，而且Zn附著量為0.08mg/dm 2 以上。
简体摘要：为了提供完全满足铜箔对聚酰亚胺的接着强度、耐酸性、蚀刻性的表面处理铜箔，以及使用该表面处理铜箔的层积线路基板，一种由在未处理铜箔的至少一面上附着Ni-Zn合金而成的表面处理铜箔，该表面处理铜箔之Zn含有率(wt%)=Zn附着量/(Ni附着量+Zn附着量)×100为6%以上15%以下，而且Zn附着量为0.08mg/dm 2 以上，或者一种在聚酰亚胺薄膜上贴合有由在未处理铜箔的至少一面上附着Ni-Zn合金而成的表面处理铜箔之CCL，该CCL的表面处理铜箔系前述铜箔表面上所附着的Ni-Zn合金中之Zn含有率(wt%)=Zn附着量/(Ni附着量+Zn附着量)×100为6%以上15%以下，而且Zn附着量为0.08mg/dm 2 以上。

9. 发明专利

TW201139756A 粗化處理銅箔、其製造方法、覆銅層積板及印刷電路板审中-公开
简体标题：粗化处理铜箔、其制造方法、覆铜层积板及印刷电路板
公开(公告)号：TW201139756A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100102461
申请日：2011-01-24
申请人：古河電氣工業股份有限公司
发明人：宇野岳夫 , 藤澤哲
IPC分类号： C25D , B32B , H05K
CPC分类号： C22C19/03 , B32B15/01 , C22C19/002 , H05K1/09 , H05K3/384 , H05K3/389 , H05K2201/0355 , Y10T428/12993 , Y10T428/31678
摘要：提供一種微細圖案之電路形成性或高頻帶之傳送特性呈良好並且和樹脂基材之密合性或耐藥品性呈良好的粗化處理銅箔。在母材銅箔(未處理銅箔)之至少單面,施行相對於前述母材銅箔之表面粗糙度Rz而Rz增加0.05-0.3��m之粗化處理,在具有粗化處理後之表面粗糙度Rz為1.1��m以下之粗化處理面之粗化處理銅箔,前述粗化處理面係幅寬為0.3-0.8��m、高度為0.4-1.8��m、深寬度比[高度/幅寬]為1.2-3.5,藉由前端呈尖銳之凸部形狀之粗化粒子而形成之表面粗化處理銅箔。
简体摘要：提供一种微细图案之电路形成性或高频带之发送特性呈良好并且和树脂基材之密合性或耐药品性呈良好的粗化处理铜箔。在母材铜箔(未处理铜箔)之至少单面,施行相对于前述母材铜箔之表面粗糙度Rz而Rz增加0.05-0.3��m之粗化处理,在具有粗化处理后之表面粗糙度Rz为1.1��m以下之粗化处理面之粗化处理铜箔,前述粗化处理面系幅宽为0.3-0.8��m、高度为0.4-1.8��m、深宽度比[高度/幅宽]为1.2-3.5,借由前端呈尖锐之凸部形状之粗化粒子而形成之表面粗化处理铜箔。

10. 发明专利

TWI544115B 粗化處理銅箔、其製造方法、覆銅層積板及印刷電路板有权
简体标题：粗化处理铜箔、其制造方法、覆铜层积板及印刷电路板
公开(公告)号：TWI544115B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW100102461
申请日：2011-01-24
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：宇野岳夫 , UNO, TAKEO , 藤澤哲 , FUJISAWA, SATOSHI
IPC分类号： C25D5/34 , B32B15/04 , B32B15/20 , H05K1/03
CPC分类号： C22C19/03 , B32B15/01 , C22C19/002 , H05K1/09 , H05K3/384 , H05K3/389 , H05K2201/0355 , Y10T428/12993 , Y10T428/31678

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