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1. 发明专利

TWI489560B 畫素結構及其製作方法有权
简体标题：像素结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI489560B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW100143135
申请日：2011-11-24
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 邱皓麟 , CHIU, HAO LIN , 林俊男 , LIN, CHUN NAN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78603

2. 发明专利

TWI476931B 薄膜電晶體與具有此薄膜電晶體的畫素結構有权
简体标题：薄膜晶体管与具有此薄膜晶体管的像素结构
公开(公告)号：TWI476931B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW100116496
申请日：2011-05-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：吳貞儀 , WU, CHEN YI , 高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/41733 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696

3. 发明专利

TWI419098B 主動元件陣列基板、顯示面板與修補方法有权
简体标题：主动组件数组基板、显示皮肤与修补方法
公开(公告)号：TWI419098B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099125127
申请日：2010-07-29
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：邱皓麟 , CHIU, HAO LIN , 高逸群 , KAO, YIH CHYUN
IPC分类号： G09F9/30
CPC分类号： G02F1/136259

4. 发明专利

TW201322342A 畫素結構及其製作方法审中-公开
简体标题：像素结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201322342A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100143135
申请日：2011-11-24
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 邱皓麟 , CHIU, HAO LIN , 林俊男 , LIN, CHUN NAN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78603
摘要：本發明提出一種畫素結構的製作方法。首先，於基板上形成第一圖案化金屬層，包括掃描線以及閘極。再於第一圖案化金屬層上依序形成第一絕緣層、半導體層、蝕刻阻擋圖案以及金屬層。接著，圖案化此金屬層和半導體層以形成第二圖案化金屬層和圖案化半導體層。第二圖案化金屬層包括資料線、源極與汲極。圖案化半導體層包括完全重疊於第二圖案化金屬層的第一半導體圖案以及不重疊於第二圖案化金屬層的第二半導體圖案，其中第二半導體圖案包括位於源極與汲極之間的通道圖案以及包圍第一半導體圖案的邊緣圖案。
简体摘要：本发明提出一种像素结构的制作方法。首先，于基板上形成第一图案化金属层，包括扫描线以及闸极。再于第一图案化金属层上依序形成第一绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡图案以及金属层。接着，图案化此金属层和半导体层以形成第二图案化金属层和图案化半导体层。第二图案化金属层包括数据线、源极与汲极。图案化半导体层包括完全重叠于第二图案化金属层的第一半导体图案以及不重叠于第二图案化金属层的第二半导体图案，其中第二半导体图案包括位于源极与汲极之间的信道图案以及包围第一半导体图案的边缘图案。

5. 发明专利

TWI416736B 薄膜電晶體及其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI416736B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099140006
申请日：2010-11-19
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 陳惠軍 , CHEN, HUI CHUN , 林俊男 , LIN, CHUN NAN , 吳淑芬 , WU, SHU FENG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336

6. 发明专利

TWI470808B 半導體元件及其製作方法有权
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI470808B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW100149292
申请日：2011-12-28
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：杜振源 , TU, CHEN YUAN , 高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 吳淑芬 , WU, SHU FENG , 林俊男 , LIN, CHUN NAN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/316
CPC分类号： H01L29/43 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/786 , H01L29/7869

7. 发明专利

TWI426432B 觸控顯示面板、觸控面板、觸控元件及觸控電路有权
简体标题：触摸显示皮肤、触摸皮肤、触摸组件及触摸电路
公开(公告)号：TWI426432B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW099146626
申请日：2010-12-29
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：邱皓麟 , CHIU, HAO LIN , 黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO , 高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 戴亞翔 , TAI, YA HSIANG , 周祿盛 , CHOU, LU SHENG , 林寬達 , LIN, KUAN DA
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/044 , G06F3/041 , G06F3/0416

8. 发明专利

TW201327834A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201327834A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100149292
申请日：2011-12-28
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：杜振源 , TU, CHEN YUAN , 高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 吳淑芬 , WU, SHU FENG , 林俊男 , LIN, CHUN NAN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/316
CPC分类号： H01L29/43 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/786 , H01L29/7869
摘要：一種半導體元件及其製作方法，其中半導體元件包括一閘極、一通道層、一閘絕緣層、一源極、一汲極以及一矽鋁氧化物層。閘極配置於基板上。通道層配置於基板上，且與閘極重疊設置。閘極絕緣層位於閘極與通道層之間。源極以及汲極設置於通道層二側。矽鋁氧化物層配置於基板上並覆蓋源極、汲極以及通道層。
简体摘要：一种半导体组件及其制作方法，其中半导体组件包括一闸极、一信道层、一闸绝缘层、一源极、一汲极以及一硅铝氧化物层。闸极配置于基板上。信道层配置于基板上，且与闸极重叠设置。闸极绝缘层位于闸极与信道层之间。源极以及汲极设置于信道层二侧。硅铝氧化物层配置于基板上并覆盖源极、汲极以及信道层。

9. 发明专利

TWI422035B 半導體元件結構及其製造方法有权
简体标题：半导体组件结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI422035B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW098144288
申请日：2009-12-22
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 林俊男 , LIN, CHUN NAN , 陳立凱 , CHEN, LI KAI , 蔡文慶 , TSAI, WEN CHING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/76
CPC分类号： H01L29/7869

10. 发明专利

TWI456662B 修補氧化物半導體層之缺陷的方法有权
简体标题：修补氧化物半导体层之缺陷的方法
公开(公告)号：TWI456662B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW100134784
申请日：2011-09-27
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 杜振源 , TU, CHEN YUAN , 林俊男 , LIN, CHUN NAN , 吳淑芬 , WU, SHU FENG
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/786

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