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    • 3. 发明专利
    • 畫素結構及畫素結構製造方法
    • 像素结构及像素结构制造方法
    • TW201841034A
    • 2018-11-16
    • TW106144263
    • 2017-12-15
    • 友達光電股份有限公司AU OPTRONICS CORPORATION
    • 羅方禎LUO, FANG CHEN威廉 丹 波爾DEN BOER, WILLEM林祥麟LIN, HSIANG LIN
    • G02F1/136
    • 畫素結構包含開關元件以及儲存電容。開關元件具有一個汲極電極以及設置於高介電常數介電層上的源極電極,高介電常數介電層的介電常數k等於或大於8。儲存電容具有第一電容電極、第二電容電極以及第三電容電極,其中鈍化層設置於第二電容電極與第三電容電極之間,且高介電常數介電層亦設置於第一電容電極與第二電容電極之間。畫素結構亦具有共用線,共用線連接至第一電容電極、資料線以及閘極線,安排第一電容電極、資料線以及閘極線使得其中兩者在低介電常數介電層之跨越區彼此跨越,低介電常數介電層的介電常數k等於或小於5。
    • 像素结构包含开关组件以及存储电容。开关组件具有一个汲极电极以及设置于高介电常数介电层上的源极电极,高介电常数介电层的介电常数k等于或大于8。存储电容具有第一电容电极、第二电容电极以及第三电容电极,其中钝化层设置于第二电容电极与第三电容电极之间,且高介电常数介电层亦设置于第一电容电极与第二电容电极之间。像素结构亦具有共享线,共享线连接至第一电容电极、数据线以及闸极线,安排第一电容电极、数据线以及闸极线使得其中两者在低介电常数介电层之跨越区彼此跨越,低介电常数介电层的介电常数k等于或小于5。