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1. 发明专利

TWI697141B 元件基板有权
简体标题：组件基板
公开(公告)号：TWI697141B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107144638
申请日：2018-12-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：謝秀春 , HSIEH, HSIU-CHUN , 陳亦偉 , CHEN, YI-WEI
IPC分类号： H01L33/62 , H01L23/48

2. 发明专利

TWI689770B 電晶體結構及其操作方法有权
简体标题：晶体管结构及其操作方法
公开(公告)号：TWI689770B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW108101612
申请日：2019-01-16
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳信學 , CHEN, SHIN-SHUEH , 劉品妙 , LIU, PIN-MIAO , 張哲嘉 , CHANG, CHE-CHIA , 陳亦偉 , CHEN, YI-WEI
IPC分类号： G02F1/1362 , G09G3/36

3. 发明专利

TW201843566A 觸控顯示裝置的製造方法审中-公开
简体标题：触摸显示设备的制造方法
公开(公告)号：TW201843566A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106114659
申请日：2017-05-03
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳信學 , CHEN, SHIN-SHUEH , 陳亦偉 , CHEN, YI-WEI
IPC分类号： G06F3/041 , H01L21/336
摘要：一種觸控顯示裝置的製造方法，包括以下步驟。形成感測元件於基底上，以及形成感測訊號線與感測元件電性連接。形成感測元件的方法包括以下步驟。形成半導體層於基底上，半導體層包括感測元件的半導體圖案。形成閘絕緣層於半導體層上。形成第一導體層於閘絕緣層上。形成層間絕緣層於閘絕緣層上。執行回火製程。於執行回火製程後，移除位於閘極預定區的層間絕緣層。移除位於閘極預定區的第一導體層。形成閘極於閘極預定區。形成第二導體層，其中第二導體層包括分別與感測元件的半導體圖案電性連接的感測元件的源極及汲極。
简体摘要：一种触摸显示设备的制造方法，包括以下步骤。形成传感组件于基底上，以及形成传感信号线与传感组件电性连接。形成传感组件的方法包括以下步骤。形成半导体层于基底上，半导体层包括传感组件的半导体图案。形成闸绝缘层于半导体层上。形成第一导体层于闸绝缘层上。形成层间绝缘层于闸绝缘层上。运行回火制程。于运行回火制程后，移除位于闸极预定区的层间绝缘层。移除位于闸极预定区的第一导体层。形成闸极于闸极预定区。形成第二导体层，其中第二导体层包括分别与传感组件的半导体图案电性连接的传感组件的源极及汲极。

4. 发明专利

TW201710766A 畫素結構及畫素陣列审中-公开
简体标题：像素结构及像素数组
公开(公告)号：TW201710766A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW104129721
申请日：2015-09-09
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：謝秀春 , HSIEH, HSIU-CHUN , 陳亦偉 , CHEN, YI-WEI , 陳明炎 , CHEN, MING-YAN , 蘇志中 , SU, CHIH-CHUNG
IPC分类号： G02F1/1343
摘要：一種畫素結構，包括掃描線、第一資料線、第二資料線、主動元件、覆蓋層、共用電極層、絕緣層以及畫素電極。第一資料線以及第二資料線所傳遞的訊號極性不相同。覆蓋層覆蓋掃描線、第一資料線、第二資料線以及主動元件。共用電極層，位於覆蓋層上並具有第一開口以及第二開口。第一開口與主動元件至少一部份於垂直方向上重疊。第二開口與第二資料線至少一部分在垂直方向上重疊。絕緣層位於共用電極層上。畫素電極位於絕緣層上且經由接觸窗與主動元件電性連接。畫素電極延伸覆蓋第二開口並經由第二開口與第二資料線之間形成耦合電容。
简体摘要：一种像素结构，包括扫描线、第一数据线、第二数据线、主动组件、覆盖层、共享电极层、绝缘层以及像素电极。第一数据线以及第二数据线所传递的信号极性不相同。覆盖层覆盖扫描线、第一数据线、第二数据线以及主动组件。共享电极层，位于覆盖层上并具有第一开口以及第二开口。第一开口与主动组件至少一部份于垂直方向上重叠。第二开口与第二数据线至少一部分在垂直方向上重叠。绝缘层位于共享电极层上。像素电极位于绝缘层上且经由接触窗与主动组件电性连接。像素电极延伸覆盖第二开口并经由第二开口与第二数据线之间形成耦合电容。

5. 发明专利

TW202023072A 元件基板审中-公开
简体标题：组件基板
公开(公告)号：TW202023072A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107144638
申请日：2018-12-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：謝秀春 , HSIEH, HSIU-CHUN , 陳亦偉 , CHEN, YI-WEI
IPC分类号： H01L33/62 , H01L23/48
摘要：一種元件基板包括基板、多條第一扇出線、多條第二扇出線、多條第三扇出線、多條觸控電極線以及多個主動元件。基板具有主動區以及連接主動區的周邊區。第一扇出線、第二扇出線以及第三扇出線位於周邊區上。各第二扇出線重疊於對應的一條第一扇出線。第二扇出線與第一扇出線屬於不同的導電層。各第三扇出線位於對應的兩條第一扇出線之間。第三扇出線與第一扇出線屬於相同的導電層。觸控電極線電性連接第三扇出線。主動元件位於主動區上，且電性連接至第一扇出線以及第二扇出線。
简体摘要：一种组件基板包括基板、多条第一扇出线、多条第二扇出线、多条第三扇出线、多条触摸电极线以及多个主动组件。基板具有主动区以及连接主动区的周边区。第一扇出线、第二扇出线以及第三扇出线位于周边区上。各第二扇出线重叠于对应的一条第一扇出线。第二扇出线与第一扇出线属于不同的导电层。各第三扇出线位于对应的两条第一扇出线之间。第三扇出线与第一扇出线属于相同的导电层。触摸电极线电性连接第三扇出线。主动组件位于主动区上，且电性连接至第一扇出线以及第二扇出线。

6. 发明专利

TWI622834B 畫素陣列基板有权
简体标题：像素数组基板
公开(公告)号：TWI622834B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106110966
申请日：2017-03-31
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：謝秀春 , HSIEH, HSIU-CHUN , 陳亦偉 , CHEN, YI-WEI
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/135 , G02F1/136

7. 发明专利

TW201705456A 畫素結構审中-公开
简体标题：像素结构
公开(公告)号：TW201705456A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104123942
申请日：2015-07-23
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：易筑萱 , I, CHUHSUAN , 陳亦偉 , CHEN, YI-WEI
IPC分类号： H01L27/146 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1222 , H01L27/3272 , H01L29/78621 , H01L29/78633 , H01L29/78696
摘要：一種畫素結構，包括掃描線、主動元件、畫素電極及遮光圖案。主動元件包括半導體層、覆蓋半導體層的絕緣層、位於絕緣層上且與掃描線電性連接的閘極、覆蓋閘極的保護層、位於保護層上且與源極區及汲極區電性連接的源極電極及汲極電極。半導體層包括源極區、汲極區、通道區、源極淺摻雜區及汲極淺摻雜區。通道區位於源極區與汲極區之間。源極淺摻雜區位於通道區與源極區之間。汲極淺摻雜區位於通道區與汲極區之間。遮光圖案遮蔽源極區、汲極區、源極淺摻雜區及汲極淺摻雜區。遮光圖案與掃描線之其中一側邊重疊且與掃描線之另一側邊不重疊。
简体摘要：一种像素结构，包括扫描线、主动组件、像素电极及遮光图案。主动组件包括半导体层、覆盖半导体层的绝缘层、位于绝缘层上且与扫描线电性连接的闸极、覆盖闸极的保护层、位于保护层上且与源极区及汲极区电性连接的源极电极及汲极电极。半导体层包括源极区、汲极区、信道区、源极浅掺杂区及汲极浅掺杂区。信道区位于源极区与汲极区之间。源极浅掺杂区位于信道区与源极区之间。汲极浅掺杂区位于信道区与汲极区之间。遮光图案屏蔽源极区、汲极区、源极浅掺杂区及汲极浅掺杂区。遮光图案与扫描线之其中一侧边重叠且与扫描线之另一侧边不重叠。

8. 发明专利

TW202008132A 顯示裝置以及感測元件基板审中-公开
简体标题：显示设备以及传感组件基板
公开(公告)号：TW202008132A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107125565
申请日：2018-07-24
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳信學 , CHEN, SHIN-SHUEH , 張哲嘉 , CHANG, CHE-CHIA , 曾淑雯 , TZENG, SHU-WEN , 陳亦偉 , CHEN, YI-WEI , 黃寶玉 , HUANG, PAO-YU
IPC分类号： G06F3/041 , H01L29/786
摘要：一種顯示裝置，包括畫素陣列基板、感測元件基板以及顯示介質層。顯示介質層位於畫素陣列基板與感測元件基板之間。感測元件基板包括基板、開關元件、絕緣層、導電層、訊號線、感測層以及電極層。開關元件位於基板上。絕緣層覆蓋開關元件。導電層位於絕緣層上。訊號線電性連接導電層。感測層覆蓋導電層的頂面、導電層的第一側面以及導電層的第二側面。電極層覆蓋感測層。電極層電性連接開關元件。
简体摘要：一种显示设备，包括像素数组基板、传感组件基板以及显示介质层。显示介质层位于像素数组基板与传感组件基板之间。传感组件基板包括基板、开关组件、绝缘层、导电层、信号线、传感层以及电极层。开关组件位于基板上。绝缘层覆盖开关组件。导电层位于绝缘层上。信号线电性连接导电层。传感层覆盖导电层的顶面、导电层的第一侧面以及导电层的第二侧面。电极层覆盖传感层。电极层电性连接开关组件。

9. 发明专利

TW201710755A 主動元件陣列基板审中-公开
简体标题：主动组件数组基板
公开(公告)号：TW201710755A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW104128784
申请日：2015-09-01
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：蘇志中 , SU, CHIH-CHUNG , 陳勃學 , CHEN, PO-HSUEH , 陳亦偉 , CHEN, YI-WEI , 謝秀春 , HSIEH, HSIU-CHUN
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1222 , H01L29/78633
摘要：一種主動元件陣列基板包括第一掃描線、第一資料線、第二資料線、第一主動元件、第一畫素電極、第二主動元件、第二畫素電極與第一遮蔽圖案層。第一主動元件包括與第一掃描線電性連接的第一閘極、第一半導體圖案層、與第一資料線電性連接的第一源極以及第一汲極。第二主動元件包括與第一掃描線電性連接的第二閘極、第二半導體圖案層、與第二資料線電性連接的第二源極以及第二汲極。第一遮蔽圖案層與第一半導體圖案層及第二半導體圖案層重疊。第一遮蔽圖案層與第二資料線重疊且不與第一資料線重疊。
简体摘要：一种主动组件数组基板包括第一扫描线、第一数据线、第二数据线、第一主动组件、第一像素电极、第二主动组件、第二像素电极与第一屏蔽图案层。第一主动组件包括与第一扫描线电性连接的第一闸极、第一半导体图案层、与第一数据线电性连接的第一源极以及第一汲极。第二主动组件包括与第一扫描线电性连接的第二闸极、第二半导体图案层、与第二数据线电性连接的第二源极以及第二汲极。第一屏蔽图案层与第一半导体图案层及第二半导体图案层重叠。第一屏蔽图案层与第二数据线重叠且不与第一数据线重叠。

10. 发明专利

TWI567462B 畫素結構及畫素陣列有权
简体标题：像素结构及像素数组
公开(公告)号：TWI567462B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104129721
申请日：2015-09-09
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：謝秀春 , HSIEH, HSIU-CHUN , 陳亦偉 , CHEN, YI-WEI , 陳明炎 , CHEN, MING-YAN , 蘇志中 , SU, CHIH-CHUNG
IPC分类号： G02F1/1343

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