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1. 发明专利

TWI489171B 畫素陣列基板、顯示面板、接觸窗結構及其製造方法有权
简体标题：像素数组基板、显示皮肤、接触窗结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI489171B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101118977
申请日：2012-05-28
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：徐文斌 , HSU, WEN BIN , 陳育懋 , CHEN, YU MOU , 陳明炎 , CHEN, MING YAN , 趙之堯 , CHAO, CHIH YAO
IPC分类号： G02F1/1333 , H01L21/28 , H01B5/14

2. 发明专利

TW201348805A 畫素陣列基板、顯示面板、接觸窗結構及其製造方法审中-公开
简体标题：像素数组基板、显示皮肤、接触窗结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201348805A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101118977
申请日：2012-05-28
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：徐文斌 , HSU, WEN BIN , 陳育懋 , CHEN, YU MOU , 陳明炎 , CHEN, MING YAN , 趙之堯 , CHAO, CHIH YAO
IPC分类号： G02F1/1333 , H01L21/28 , H01B5/14
摘要：一種畫素陣列基板、顯示面板、接觸窗結構及其製造方法。接觸窗結構包括一第一導體層、一第一絕緣層、一第二絕緣層以及一第二導體層。第一絕緣層覆蓋第一導體層與一基板，且具有一第一接觸窗。第二絕緣層覆蓋第一絕緣層，且具有一第二接觸窗。第二導體層覆蓋第一接觸窗與第二接觸窗，並接觸第一導體層暴露於第一接觸窗的部份。第一絕緣層與第二絕緣層的材質不同，對於相同蝕刻液，第一絕緣層的被蝕刻速率大於第二絕緣層的被蝕刻速率。第二絕緣層靠近第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大於第二絕緣層遠離第一絕緣層的部分的被蝕刻速率。
简体摘要：一种像素数组基板、显示皮肤、接触窗结构及其制造方法。接触窗结构包括一第一导体层、一第一绝缘层、一第二绝缘层以及一第二导体层。第一绝缘层覆盖第一导体层与一基板，且具有一第一接触窗。第二绝缘层覆盖第一绝缘层，且具有一第二接触窗。第二导体层覆盖第一接触窗与第二接触窗，并接触第一导体层暴露于第一接触窗的部份。第一绝缘层与第二绝缘层的材质不同，对于相同蚀刻液，第一绝缘层的被蚀刻速率大于第二绝缘层的被蚀刻速率。第二绝缘层靠近第一绝缘层的部分的被蚀刻速率大于第二绝缘层远离第一绝缘层的部分的被蚀刻速率。

3. 发明专利

TWI428660B 主動元件陣列母基板以及顯示面板的製作方法有权
简体标题：主动组件数组母基板以及显示皮肤的制作方法
公开(公告)号：TWI428660B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW098129453
申请日：2009-09-01
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳育懋 , CHEN, YU MOU , 徐文斌 , HSU, WEN BIN , 趙之堯 , CHAO, CHIH YAO , 許宗義 , HSU, TSUNG YI
IPC分类号： G02F1/133 , G02F1/1337
CPC分类号： G02F1/133703 , G02F1/133351 , G02F1/133788 , G02F1/13458 , H01L27/1214

4. 发明专利

TWI416232B 半穿透半反射式畫素結構有权
简体标题：半穿透半反射式像素结构
公开(公告)号：TWI416232B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099104806
申请日：2010-02-12
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳育懋 , CHEN, YU MOU , 徐文斌 , HSU, WEN BIN , 趙之堯 , CHAO, CHIH YAO , 溫金瑞 , WAIN, JIN RAY
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/133555 , G02F1/136227

5. 发明专利

TW201128278A 半穿透半反射式畫素結構 TRANSFLECTIVE PIXEL STRUCTURE 审中-公开
简体标题：半穿透半反射式像素结构 TRANSFLECTIVE PIXEL STRUCTURE
公开(公告)号：TW201128278A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099104806
申请日：2010-02-12
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：陳育懋 , 徐文斌 , 趙之堯 , 溫金瑞
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/133555 , G02F1/136227
摘要：一種半穿透半反射式畫素結構，其具有一穿透區以及一反射區。畫素結構包括一主動元件、一覆蓋層、一反射電極層、一反射電極圖案以及一穿透電極層。覆蓋層位於穿透區以及反射區，且覆蓋主動元件，其中覆蓋層具有一接觸窗開口，接觸窗開口至少位於穿透區。反射電極層位於反射區內。反射電極圖案位於接觸窗開口內並延伸至接觸窗開口周圍的覆蓋層的一上表面上。穿透電極層位於穿透區之覆蓋層的表面上，其中穿透電極層與反射電極層電性連接且穿透電極層經由接觸窗開口與主動元件電性連接。
简体摘要：一种半穿透半反射式像素结构，其具有一穿透区以及一反射区。像素结构包括一主动组件、一覆盖层、一反射电极层、一反射电极图案以及一穿透电极层。覆盖层位于穿透区以及反射区，且覆盖主动组件，其中覆盖层具有一接触窗开口，接触窗开口至少位于穿透区。反射电极层位于反射区内。反射电极图案位于接触窗开口内并延伸至接触窗开口周围的覆盖层的一上表面上。穿透电极层位于穿透区之覆盖层的表面上，其中穿透电极层与反射电极层电性连接且穿透电极层经由接触窗开口与主动组件电性连接。

6. 发明专利

TW201109768A 主動元件陣列母基板以及顯示面板的製作方法 ACTIVE DEVICE ARRAY MOTHER SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING DISPLAY PANEL 审中-公开
简体标题：主动组件数组母基板以及显示皮肤的制作方法 ACTIVE DEVICE ARRAY MOTHER SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING DISPLAY PANEL
公开(公告)号：TW201109768A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW098129453
申请日：2009-09-01
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：陳育懋 , 徐文斌 , 趙之堯 , 許宗義
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/133703 , G02F1/133351 , G02F1/133788 , G02F1/13458 , H01L27/1214
摘要：一種主動元件陣列母基板,其包括基板、多個畫素陣列以及聚合物穩定配向固化線路。基板具有多個面板預定區、一線路區、一第一切割線以及一第二切割線,其中第一切割線位於基板的邊緣與第二切割線之間的線路區上。畫素陣列中的主動元件具有多晶矽層。聚合物穩定配向固化線路位於線路區上,並包括多個固化接合墊與多條固化走線,其中固化接合墊位於基板邊緣與第一切割線之間。固化走線具有一與對應之固化接合墊以及對應之畫素陣列連接的上導電層,且上導電層與源極汲極層為同一膜層。因此,固化走線可避免產生剝落等問題,維持聚合物穩定配向固化線路的正常運作。
简体摘要：一种主动组件数组母基板,其包括基板、多个像素数组以及聚合物稳定配向固化线路。基板具有多个皮肤预定区、一线路区、一第一切割线以及一第二切割线,其中第一切割线位于基板的边缘与第二切割线之间的线路区上。像素数组中的主动组件具有多晶硅层。聚合物稳定配向固化线路位于线路区上,并包括多个固化接合垫与多条固化走线,其中固化接合垫位于基板边缘与第一切割线之间。固化走线具有一与对应之固化接合垫以及对应之像素数组连接的上导电层,且上导电层与源极汲极层为同一膜层。因此,固化走线可避免产生剥落等问题,维持聚合物稳定配向固化线路的正常运作。

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