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1. 发明专利

TW201712805A 多晶矽薄膜電晶體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：多晶硅薄膜晶体管组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201712805A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104131229
申请日：2015-09-22
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：蕭翔允 , HSIAO, HSIANG-YUN , 陳佳楷 , CHEN, CHIA-KAI , 林世亮 , LIN, SHIH-LIANG , 許庭毓 , HSU, TING-YU , 王培筠 , WANG, PEI-YUN , 黃雅琴 , HUANG, YA-QIN , 江丞偉 , JIANG, CHENG-WEI
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/3618 , G02F1/1368 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78618 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L29/78696
摘要：一種製作多晶矽薄膜電晶體元件的方法，包括下列步驟。提供基板，並形成具有複數個摻質的緩衝層於基板上。形成非晶矽層於具有摻質的緩衝層上。進行熱製程，將非晶矽層多晶化以轉換成多晶矽層，並同時將緩衝層內之一部分的摻質向外擴散至多晶矽層內以調整起始電壓。圖案化多晶矽層，以形成主動層。形成閘極絕緣層於主動層上。形成閘極於閘極絕緣層上。形成源極摻雜區與汲極摻雜區於主動層內。
简体摘要：一种制作多晶硅薄膜晶体管组件的方法，包括下列步骤。提供基板，并形成具有复数个掺质的缓冲层于基板上。形成非晶硅层于具有掺质的缓冲层上。进行热制程，将非晶硅层多晶化以转换成多晶硅层，并同时将缓冲层内之一部分的掺质向外扩散至多晶硅层内以调整起始电压。图案化多晶硅层，以形成主动层。形成闸极绝缘层于主动层上。形成闸极于闸极绝缘层上。形成源极掺杂区与汲极掺杂区于主动层内。

2. 发明专利

TW201839962A 軟性面板及其製作方法审中-公开
简体标题：软性皮肤及其制作方法
公开(公告)号：TW201839962A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106113170
申请日：2017-04-19
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：王培筠 , WANG, PEI-YUN , 江丞偉 , JINAG, CHENG-WEI , 許庭毓 , HSU, TING-YU , 黃雅琴 , HUANG, YA-QIN , 蕭翔允 , HSIAO, HSIANG-YUN , 陳佳楷 , CHEN, CHIA-KAI
IPC分类号： H01L27/13
摘要：一種軟性面板，具有基板、第一絕緣層、第二絕緣層、犧牲層及金屬走線層。基板定義有主動區、周邊電路區及中介區。第一絕緣層位於基板所述的三個區域，位於中介區的第一絕緣層具有第一圖形。第二絕緣層位於第一絕緣層上，位於中介區的第二絕緣層具有第一開口沿著第一方向延伸，使第二絕緣層未覆蓋第一絕緣層之第一圖形。犧牲層位於中介區的第一絕緣層與第二絕緣層之間，未覆蓋第一絕緣層之第一圖形。金屬走線層延伸於主動區與周邊電路區之間，於主動區與周邊電路區中位於第二絕緣層上方，於中介區則經由第一開口接觸第一絕緣層之第一圖形。
简体摘要：一种软性皮肤，具有基板、第一绝缘层、第二绝缘层、牺牲层及金属走线层。基板定义有主动区、周边电路区及中介区。第一绝缘层位于基板所述的三个区域，位于中介区的第一绝缘层具有第一图形。第二绝缘层位于第一绝缘层上，位于中介区的第二绝缘层具有第一开口沿着第一方向延伸，使第二绝缘层未覆盖第一绝缘层之第一图形。牺牲层位于中介区的第一绝缘层与第二绝缘层之间，未覆盖第一绝缘层之第一图形。金属走线层延伸于主动区与周边电路区之间，于主动区与周边电路区中位于第二绝缘层上方，于中介区则经由第一开口接触第一绝缘层之第一图形。

3. 发明专利

TWI613706B 氧化物半導體薄膜電晶體及其製作方法有权
简体标题：氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法
公开(公告)号：TWI613706B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW104121643
申请日：2015-07-03
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：王培筠 , WANG, PEI-YUN , 胡晉瑋 , HU, CHIN-WEI , 陳佳楷 , CHEN, CHIA-KAI , 黃雅琴 , HUANG, YA-QIN , 許庭毓 , HSU, TING-YU
IPC分类号： H01L21/228 , H01L21/336 , H01L29/78

4. 发明专利

TW201703120A 氧化物半導體薄膜電晶體及其製作方法审中-公开
简体标题：氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法
公开(公告)号：TW201703120A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104121643
申请日：2015-07-03
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：王培筠 , WANG, PEI-YUN , 胡晉瑋 , HU, CHIN-WEI , 陳佳楷 , CHEN, CHIA-KAI , 黃雅琴 , HUANG, YA-QIN , 許庭毓 , HSU, TING-YU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要：一種氧化物半導體薄膜電晶體，包括圖案化氧化物半導體層、圖案化閘極介電層、閘極、氫擴散控制層、一氫來源層、源極以及汲極。圖案化氧化物半導體層設置於一基板上。圖案化閘極介電層設置於圖案化氧化物半導體層上。閘極設置於圖案化閘極介電層上。氫擴散控制層設置於閘極與圖案化氧化物半導體層上，且氫擴散控制層係包覆閘極與圖案化閘極介電層。氫來源層設置於氫擴散控制層以及圖案化氧化物半導體層上，源極汲極設置於氫來源層上，且氫來源層之含氫量大於氫擴散控制層之含氫量。
简体摘要：一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括图案化氧化物半导体层、图案化闸极介电层、闸极、氢扩散控制层、一氢来源层、源极以及汲极。图案化氧化物半导体层设置于一基板上。图案化闸极介电层设置于图案化氧化物半导体层上。闸极设置于图案化闸极介电层上。氢扩散控制层设置于闸极与图案化氧化物半导体层上，且氢扩散控制层系包覆闸极与图案化闸极介电层。氢来源层设置于氢扩散控制层以及图案化氧化物半导体层上，源极汲极设置于氢来源层上，且氢来源层之含氢量大于氢扩散控制层之含氢量。

5. 发明专利

TWI621250B 軟性面板及其製作方法有权
简体标题：软性皮肤及其制作方法
公开(公告)号：TWI621250B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW106113170
申请日：2017-04-19
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：王培筠 , WANG, PEI-YUN , 江丞偉 , JINAG, CHENG-WEI , 許庭毓 , HSU, TING-YU , 黃雅琴 , HUANG, YA-QIN , 蕭翔允 , HSIAO, HSIANG-YUN , 陳佳楷 , CHEN, CHIA-KAI
IPC分类号： H01L27/13

6. 发明专利

TWI578443B 多晶矽薄膜電晶體元件及其製作方法有权
简体标题：多晶硅薄膜晶体管组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI578443B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW104131229
申请日：2015-09-22
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：蕭翔允 , HSIAO, HSIANG-YUN , 陳佳楷 , CHEN, CHIA-KAI , 林世亮 , LIN, SHIH-LIANG , 許庭毓 , HSU, TING-YU , 王培筠 , WANG, PEI-YUN , 黃雅琴 , HUANG, YA-QIN , 江丞偉 , JIANG, CHENG-WEI
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/3618 , G02F1/1368 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78618 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L29/78696

7. 发明专利

TW201626576A 薄膜電晶體、顯示面板以及其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管、显示皮肤以及其制造方法
公开(公告)号：TW201626576A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104100519
申请日：2015-01-08
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳佳楷 , CHEN, CHIA KAI , 王培筠 , WANG, PEI YUN , 胡晉瑋 , HU, CHIN WEI , 許庭毓 , HSU, TING YU , 黃雅琴 , HUANG, YA QIN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12
摘要：一種薄膜電晶體，包括氧化物半導體層、閘絕緣圖案、閘極、金屬氧化物絕緣層、供氧層、源極以及汲極。氧化物半導體層具有源極區、汲極區以及通道區，且通道區位於源極區以及汲極區之間。閘絕緣圖案位於氧化物半導體層的通道區上。閘極位於閘絕緣圖案上。金屬氧化物絕緣層覆蓋氧化物半導體層。供氧層與金屬氧化物絕緣層相接觸。源極以及汲極位於供氧層的上方，且分別電性連接氧化物半導體層的源極區以汲極區。此外，包括上述薄膜電晶體的顯示面板及薄膜電晶體的製造方法亦被提出。
简体摘要：一种薄膜晶体管，包括氧化物半导体层、闸绝缘图案、闸极、金属氧化物绝缘层、供氧层、源极以及汲极。氧化物半导体层具有源极区、汲极区以及信道区，且信道区位于源极区以及汲极区之间。闸绝缘图案位于氧化物半导体层的信道区上。闸极位于闸绝缘图案上。金属氧化物绝缘层覆盖氧化物半导体层。供氧层与金属氧化物绝缘层相接触。源极以及汲极位于供氧层的上方，且分别电性连接氧化物半导体层的源极区以汲极区。此外，包括上述薄膜晶体管的显示皮肤及薄膜晶体管的制造方法亦被提出。

8. 发明专利

TWI548100B 薄膜電晶體、顯示面板以及其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管、显示皮肤以及其制造方法
公开(公告)号：TWI548100B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104100519
申请日：2015-01-08
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳佳楷 , CHEN, CHIA KAI , 王培筠 , WANG, PEI YUN , 胡晉瑋 , HU, CHIN WEI , 許庭毓 , HSU, TING YU , 黃雅琴 , HUANG, YA QIN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12

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