专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201838179A 半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201838179A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106112076
申请日：2017-04-11
申请人：半導體能源硏究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 島行德 , SHIMA, YUKINORI , 中澤安孝 , NAKAZAWA, YASUTAKA , 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336 , G09F9/30
摘要：本發明提供一種電特性良好的半導體裝置、可靠性高的半導體裝置、功耗低的半導體裝置。本發明是一種半導體裝置，包括：閘極電極；閘極電極上的第一絕緣層；第一絕緣層上的金屬氧化物層；金屬氧化物層上的一對電極；以及一對電極上的第二絕緣層，其中，第一絕緣層包括第一區域及第二區域，第一區域與金屬氧化物層接觸，且包括其氧含量比第二區域多的區域，第二區域包括其氮含量比第一區域多的區域，金屬氧化物層在膜厚度方向上至少具有氧的濃度梯度，並且，氧濃度在第一區域一側及第二絕緣層一側較高。
简体摘要：本发明提供一种电特性良好的半导体设备、可靠性高的半导体设备、功耗低的半导体设备。本发明是一种半导体设备，包括：闸极电极；闸极电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

2. 发明专利

TWI688102B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI688102B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW103134270
申请日：2014-10-01
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 生內俊光 , OBONAI, TOSHIMITSU , 肥純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 早川昌彦 , HAYAKAWA, MASAHIKO , 羽持貴士 , HAMOCHI, TAKASHI , 平石鈴之介 , HIRAISHI, SUZUNOSUKE
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/324

3. 发明专利

TWI685116B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI685116B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW108104981
申请日：2015-01-26
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 黒崎大輔 , KUROSAKI, DAISUKE , 中田昌孝 , NAKADA, MASATAKA , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/786

4. 发明专利

TW202005099A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW202005099A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108113891
申请日：2019-04-19
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 島行德 , SHIMA, YUKINORI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/50
摘要：提供一種電特性良好的半導體裝置。提供一種電特性穩定的半導體裝置。半導體裝置包括絕緣表面上的第一電晶體及第二電晶體。第一電晶體及第二電晶體分別包括第一絕緣層、第一絕緣層上的半導體層、半導體層上的第二絕緣層以及隔著第二絕緣層與半導體層重疊的第一導電層。第一絕緣層具有與半導體層重疊的凸狀的第一區域及不與半導體層重疊且厚度比第一區域薄的第二區域。第一導電層具有第二區域上的第一導電層的底面位於比半導體層的底面更低處的部分。此外，第二電晶體還具有第三導電層，該第三導電層隔著第一絕緣層與半導體層重疊。
简体摘要：提供一种电特性良好的半导体设备。提供一种电特性稳定的半导体设备。半导体设备包括绝缘表面上的第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管分别包括第一绝缘层、第一绝缘层上的半导体层、半导体层上的第二绝缘层以及隔着第二绝缘层与半导体层重叠的第一导电层。第一绝缘层具有与半导体层重叠的凸状的第一区域及不与半导体层重叠且厚度比第一区域薄的第二区域。第一导电层具有第二区域上的第一导电层的底面位于比半导体层的底面更低处的部分。此外，第二晶体管还具有第三导电层，该第三导电层隔着第一绝缘层与半导体层重叠。

5. 发明专利

TW202004310A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW202004310A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108136275
申请日：2014-12-22
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 肥純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 羽持貴士 , HAMOCHI, TAKASHI , 中澤安孝 , NAKAZAWA, YASUTAKA
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L29/786
摘要：本發明的一個方式提供包括使用氧化物半導體並通態電流大的電晶體的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：設置在驅動電路部中的第一電晶體；以及設置在像素部中的第二電晶體，其中，第一電晶體的結構和第二電晶體的結構互不相同。此外，第一電晶體及第二電晶體為頂閘極結構的電晶體，閘極電極不與被用作源極電極及汲極電極的導電膜重疊。此外，在氧化物半導體膜中，在不與閘極電極、源極電極及汲極電極重疊的區域中具有雜質元素。
简体摘要：本发明的一个方式提供包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶闸极结构的晶体管，闸极电极不与被用作源极电极及汲极电极的导电膜重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与闸极电极、源极电极及汲极电极重叠的区域中具有杂质元素。

6. 发明专利

TWI669761B 半導體裝置、包括該半導體裝置的顯示裝置有权
简体标题：半导体设备、包括该半导体设备的显示设备
公开(公告)号：TWI669761B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW104115118
申请日：2015-05-12
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 黒崎大輔 , KUROSAKI, DAISUKE , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 生内俊光 , OBONAI, TOSHIMITSU
IPC分类号： H01L21/44 , H01L27/12

7. 发明专利

TWI666497B 顯示裝置及具有該顯示裝置的電子裝置有权
简体标题：显示设备及具有该显示设备的电子设备
公开(公告)号：TWI666497B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW102125561
申请日：2013-07-17
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/32 , H01L21/77

8. 发明专利

TW201727909A 半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201727909A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105139486
申请日：2013-05-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 徳永肇 , TOKUNAGA, HAJIME
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78696
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種在使用氧化物半導體的半導體裝置中抑制電特性的變動的可靠性高的半導體裝置。本發明的一個方式的目的之一是提供一種半導體裝置，包括：接觸於源極電極層及汲極電極層的第一氧化物半導體層；以及成為電晶體的電流路徑(通道)的第二氧化物半導體層。第一氧化物半導體層用作用來抑制源極電極層及汲極電極層的構成元素擴散到通道的緩衝層。藉由設置第一氧化物半導體層，可以抑制該構成元素擴散到第一氧化物半導體層與第二氧化物半導體層的介面及第二氧化物半導體層中。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体设备中抑制电特性的变动的可靠性高的半导体设备。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体设备，包括：接触于源极电极层及汲极电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的电流路径(信道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来抑制源极电极层及汲极电极层的构成元素扩散到信道的缓冲层。借由设置第一氧化物半导体层，可以抑制该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。

9. 发明专利

TW201543673A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201543673A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104112447
申请日：2015-04-17
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 中澤安孝 , NAKAZAWA, YASUTAKA , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/49 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L2029/42388
摘要：提供一種寄生電容小或頻率特性高的電晶體或一種包括該電晶體的半導體裝置。氧化物半導體膜包括：與第一導電膜接觸的第一區域；與第一絕緣膜接觸的第二區域；與第三絕緣膜接觸的第三區域；與第二絕緣膜接觸的第四區域；以及與第二導電膜接觸的第五區域，第一絕緣膜被設置在第一導電膜上及氧化物半導體膜上，第二絕緣膜被設置在第二導電膜上及氧化物半導體膜上，第三絕緣膜被設置在第一絕緣膜上、第二絕緣膜上及氧化物半導體膜上，第三導電膜與氧化物半導體膜隔著第三絕緣膜互相部分重疊。
简体摘要：提供一种寄生电容小或频率特性高的晶体管或一种包括该晶体管的半导体设备。氧化物半导体膜包括：与第一导电膜接触的第一区域；与第一绝缘膜接触的第二区域；与第三绝缘膜接触的第三区域；与第二绝缘膜接触的第四区域；以及与第二导电膜接触的第五区域，第一绝缘膜被设置在第一导电膜上及氧化物半导体膜上，第二绝缘膜被设置在第二导电膜上及氧化物半导体膜上，第三绝缘膜被设置在第一绝缘膜上、第二绝缘膜上及氧化物半导体膜上，第三导电膜与氧化物半导体膜隔着第三绝缘膜互相部分重叠。

10. 发明专利

TW201531781A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201531781A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103144801
申请日：2014-12-22
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 肥純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 羽持貴士 , HAMOCHI, TAKASHI , 中澤安孝 , NAKAZAWA, YASUTAKA
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78606 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/13394 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/1233 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/3262 , H01L29/1033 , H01L29/45 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：本發明的一個方式提供包括使用氧化物半導體並通態電流大的電晶體的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：設置在驅動電路部中的第一電晶體；以及設置在像素部中的第二電晶體，其中，第一電晶體的結構和第二電晶體的結構互不相同。此外，第一電晶體及第二電晶體為頂閘極結構的電晶體，閘極電極不與被用作源極電極及汲極電極的導電膜重疊。此外，在氧化物半導體膜中，在不與閘極電極、源極電極及汲極電極重疊的區域中具有雜質元素。
简体摘要：本发明的一个方式提供包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶闸极结构的晶体管，闸极电极不与被用作源极电极及汲极电极的导电膜重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与闸极电极、源极电极及汲极电极重叠的区域中具有杂质元素。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式