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1. 发明专利

TWI556317B 薄膜元件、半導體裝置以及它們的製造方法有权
简体标题：薄膜组件、半导体设备以及它们的制造方法
公开(公告)号：TWI556317B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW100133778
申请日：2011-09-20
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：溝口隆文 , MIZOGUCHI, TAKAFUMI , 白石康次郎 , SHIRAISHI, KOJIRO , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L21/764 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78696

2. 发明专利

TW201635530A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201635530A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105106145
申请日：2009-07-24
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 白石康次郎 , SHIRAISHI, KOJIRO
IPC分类号： H01L29/43 , H01L21/28 , G02F1/1368 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/46 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要：本發明的目的在於提供具有良好電特性及可靠性高的薄膜電晶體的半導體裝置及量產性高地製造該半導體裝置的方法。本發明的要旨在於：在反交錯型(底閘極結構)的薄膜電晶體中，使用含有銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的氧化物半導體膜作為半導體層，並且在半導體層與源極電極層和汲極電極層之間設置有由金屬氧化物層構成的緩衝層。藉由在源極電極層和汲極電極層與半導體層之間意圖性地設置金屬氧化物層作為緩衝層來形成歐姆接觸。
简体摘要：本发明的目的在于提供具有良好电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体设备及量产性高地制造该半导体设备的方法。本发明的要旨在于：在反交错型(底闸极结构)的薄膜晶体管中，使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源极电极层和汲极电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层。借由在源极电极层和汲极电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。

3. 发明专利

TW201218283A 半導體裝置的製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201218283A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100136091
申请日：2011-10-05
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：溝口隆文 , 白石康次郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/41733
摘要：本發明的一個方式的目的在於提供一種半導體裝置的製造方法,其中成為半導體層的部分不暴露於水分等並且減少掩模數量。例如,形成第一導電膜、第一絕緣膜、半導體膜、第二導電膜及掩模膜。藉由加工掩模膜形成第一掩模層。使用第一掩模層對第一絕緣膜、半導體膜及第二導電膜進行乾蝕刻而形成薄膜疊層體,從而至少使第一導電膜的表面露出。形成覆蓋薄膜疊層體的側面的側壁絕緣層。對第一導電膜進行側面蝕刻而形成第一電極層。形成第二掩模層。使用第二掩模層形成第二電極層。
简体摘要：本发明的一个方式的目的在于提供一种半导体设备的制造方法,其中成为半导体层的部分不暴露于水分等并且减少掩模数量。例如,形成第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、第二导电膜及掩模膜。借由加工掩模膜形成第一掩模层。使用第一掩模层对第一绝缘膜、半导体膜及第二导电膜进行干蚀刻而形成薄膜叠层体,从而至少使第一导电膜的表面露出。形成覆盖薄膜叠层体的侧面的侧壁绝缘层。对第一导电膜进行侧面蚀刻而形成第一电极层。形成第二掩模层。使用第二掩模层形成第二电极层。

4. 发明专利

TW201021207A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201021207A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098125906
申请日：2009-07-31
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 宮入秀和 , 宮永昭治 , 秋元健吾 , 白石康次郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78618
摘要：本發明的目的之一在於提供一種使用包含銦（In）、鎵（Ga）及鋅（Zn）的氧化物半導體膜的薄膜電晶體及該薄膜電晶體之製造方法，其中減少了氧化物半導體膜與源電極及汲電極之間的接觸電阻。藉由在源電極層及汲電極層和IGZO半導體層之間意圖性地設置載子濃度比IGZO半導體層高的緩衝層，形成歐姆接觸。
简体摘要：本发明的目的之一在于提供一种使用包含铟（In）、镓（Ga）及锌（Zn）的氧化物半导体膜的薄膜晶体管及该薄膜晶体管之制造方法，其中减少了氧化物半导体膜与源电极及汲电极之间的接触电阻。借由在源电极层及汲电极层和IGZO半导体层之间意图性地设置载子浓度比IGZO半导体层高的缓冲层，形成欧姆接触。

5. 发明专利

TWI570937B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI570937B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW101102026
申请日：2009-07-24
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 白石康次郎 , SHIRAISHI, KOJIRO
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/46 , H01L27/1225 , H01L29/7869

6. 发明专利

TWI469354B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI469354B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW098125072
申请日：2009-07-24
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 白石康次郎 , SHIRAISHI, KOJIRO
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/46 , H01L27/1225 , H01L29/7869

7. 发明专利

TWI413260B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI413260B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW100105065
申请日：2009-07-24
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 白石康次郎 , SHIRAISHI, KOJIRO
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/46 , H01L27/1225 , H01L29/7869

8. 发明专利

TW201246384A 半導體裝置和其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体设备和其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201246384A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101128232
申请日：2009-08-06
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 宮人秀和 , 秋元健吾 , 白石康次郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225
摘要：本發明的半導體裝置包括薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括閘極電極層、該閘極電極層上的閘極絕緣層、該閘極絕緣層上的源極電極層及汲極電極層、該源極電極層及該汲極電極層上的緩衝層、該緩衝層上的半導體層，其中，重疊於該閘極電極層的該半導體層的一部分與該閘極絕緣層上接觸並設置在該源極電極層和該汲極電極層之間，並且，該半導體層是包含銦、鎵及鋅的氧化物半導體層，並且，該緩衝層包含具有n型導電型的金屬氧化物。
简体摘要：本发明的半导体设备包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括闸极电极层、该闸极电极层上的闸极绝缘层、该闸极绝缘层上的源极电极层及汲极电极层、该源极电极层及该汲极电极层上的缓冲层、该缓冲层上的半导体层，其中，重叠于该闸极电极层的该半导体层的一部分与该闸极绝缘层上接触并设置在该源极电极层和该汲极电极层之间，并且，该半导体层是包含铟、镓及锌的氧化物半导体层，并且，该缓冲层包含具有n型导电型的金属氧化物。

10. 发明专利

TW201532284A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201532284A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW104115241
申请日：2009-07-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 白石康次郎 , SHIRAISHI, KOJIRO
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/016 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/15 , H01L27/3225 , H01L27/3241 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78618
摘要：在主動矩陣型顯示裝置中，包含在電路中的薄膜電晶體的電氣特性很重要，且該電氣特性影響到顯示裝置的性能。藉由對反交錯型(inverted staggered)薄膜電晶體使用包含In、Ga及Zn的氧化物半導體膜，可以減少薄膜電晶體之電氣特性的變動。為了解決目的，不接觸於空氣地進行濺射法來連續地形成閘極絕緣膜、氧化物半導體層、通道保護膜的三層。另外，採用在氧化物半導體層中的重疊於通道保護膜的區域的厚度比接觸於導電膜的區域的厚度厚的結構。
简体摘要：在主动矩阵型显示设备中，包含在电路中的薄膜晶体管的电气特性很重要，且该电气特性影响到显示设备的性能。借由对反交错型(inverted staggered)薄膜晶体管使用包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜，可以减少薄膜晶体管之电气特性的变动。为了解决目的，不接触于空气地进行溅射法来连续地形成闸极绝缘膜、氧化物半导体层、信道保护膜的三层。另外，采用在氧化物半导体层中的重叠于信道保护膜的区域的厚度比接触于导电膜的区域的厚度厚的结构。

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