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1. 发明专利

TW201448068A 矽穿孔底部形成凸塊之製程與結構审中-公开
简体标题：硅穿孔底部形成凸块之制程与结构
公开(公告)号：TW201448068A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102119649
申请日：2013-06-03
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MOCROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：邱朝順 , CHIU, CHAO SHUN , 陳彥竹 , CHEN, YEN CHU
IPC分类号： H01L21/60
摘要：揭示一種矽穿孔底部形成凸塊之製程，基板之半導體材料層內嵌埋有矽穿孔導柱，其表面覆蓋有介電襯裡。之後，由晶背降低半導體材料層之厚度，以顯露介電襯裡之底端部位。之後，選擇性沉積一晶背保護層於晶背，但不形成於矽穿孔導柱之柱底上。之後，選擇性蝕刻介電襯裡之底端部位。之後，形成一凸塊下金屬層於晶背保護層上。之後，形成一凸塊於凸塊下金屬層上，凸塊與矽穿孔導柱之間之介面為朝向凸塊之中間凸起狀。藉以增加凸塊與矽穿孔導柱之間之介面接合面積與金屬對金屬之接合形狀複雜度。
简体摘要：揭示一种硅穿孔底部形成凸块之制程，基板之半导体材料层内嵌埋有硅穿孔导柱，其表面覆盖有介电衬里。之后，由晶背降低半导体材料层之厚度，以显露介电衬里之底端部位。之后，选择性沉积一晶背保护层于晶背，但不形成于硅穿孔导柱之柱底上。之后，选择性蚀刻介电衬里之底端部位。之后，形成一凸块下金属层于晶背保护层上。之后，形成一凸块于凸块下金属层上，凸块与硅穿孔导柱之间之界面为朝向凸块之中间凸起状。借以增加凸块与硅穿孔导柱之间之界面接合面积与金属对金属之接合形状复杂度。

2. 发明专利

TWI514488B 矽穿孔底部形成凸塊之製程與結構有权
简体标题：硅穿孔底部形成凸块之制程与结构
公开(公告)号：TWI514488B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW102119649
申请日：2013-06-03
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MOCROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：邱朝順 , CHIU, CHAO SHUN , 陳彥竹 , CHEN, YEN CHU
IPC分类号： H01L21/60

3. 发明专利

TW201533875A 矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構及其製造方法审中-公开
简体标题：硅穿孔具有圆弧扩大口之芯片结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201533875A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103106188
申请日：2014-02-25
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MACROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：林煜祥 , LIN, YU HSIANG , 邱朝順 , CHIU, CHAO SHUN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要：揭示一種矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構及其製造方法。內連墊設置於半導體基板之主動面。貫穿孔由背面貫穿半導體基板，以連通至內連墊，貫穿孔在其開口處形成有一環形缺口。硬罩絕緣環設置於貫穿孔之環形缺口，硬罩絕緣環具有一圓弧面。介電內襯包覆該貫穿孔之孔壁與該硬罩絕緣環，更順著圓弧面而延伸至背面上。藉以消除習知介電內襯在矽穿孔開孔之懸突孔緣，同時能增進介電內襯與電鍍種子層延伸至貫穿孔孔壁之階梯覆蓋能力。
简体摘要：揭示一种硅穿孔具有圆弧扩大口之芯片结构及其制造方法。内连垫设置于半导体基板之主动面。贯穿孔由背面贯穿半导体基板，以连通至内连垫，贯穿孔在其开口处形成有一环形缺口。硬罩绝缘环设置于贯穿孔之环形缺口，硬罩绝缘环具有一圆弧面。介电内衬包覆该贯穿孔之孔壁与该硬罩绝缘环，更顺着圆弧面而延伸至背面上。借以消除习知介电内衬在硅穿孔开孔之悬突孔缘，同时能增进介电内衬与电镀种子层延伸至贯穿孔孔壁之阶梯覆盖能力。

4. 发明专利

TWI517330B 矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構及其製造方法有权
简体标题：硅穿孔具有圆弧扩大口之芯片结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI517330B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW103106188
申请日：2014-02-25
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MACROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：林煜祥 , LIN, YU HSIANG , 邱朝順 , CHIU, CHAO SHUN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

5. 发明专利

TWI550800B 具強固型晶背凸塊之矽穿孔結構有权
简体标题：具强固型晶背凸块之硅穿孔结构
公开(公告)号：TWI550800B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW102140939
申请日：2013-11-11
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MACROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：邱朝順 , CHIU, CHAO SHUN , 陳彥竹 , CHEN, YEN CHU , 林煜祥 , LIN, YU HSIANG , 王銘毅 , WANG, MING YI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/52

6. 发明专利

TWI518859B 柱狀凸塊嵌陷於矽穿孔之晶片結構有权
简体标题：柱状凸块嵌陷于硅穿孔之芯片结构
公开(公告)号：TWI518859B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW103106187
申请日：2014-02-25
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MACROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：林煜祥 , LIN, YU HSIANG , 邱朝順 , CHIU, CHAO SHUN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

7. 发明专利

TW201533874A 柱狀凸塊嵌陷於矽穿孔之晶片結構审中-公开
简体标题：柱状凸块嵌陷于硅穿孔之芯片结构
公开(公告)号：TW201533874A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103106187
申请日：2014-02-25
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MACROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：林煜祥 , LIN, YU HSIANG , 邱朝順 , CHIU, CHAO SHUN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要：揭示一種柱狀凸塊嵌陷於矽穿孔之晶片結構。半導體基板具有設置有內連墊之主動面與相對之背面。漏斗形貫穿孔由該背面貫穿半導體基板，以連通至內連墊，貫穿孔具有一斜面孔壁與一往內連墊延伸之垂直孔壁。介電內襯係包覆貫穿孔之斜面孔壁與垂直孔壁，介電內襯覆蓋於斜面孔壁之厚度係由垂直孔壁往背面為漸厚之變化，以提供一顯露內連墊且截面形狀不同於貫穿孔之重塑形孔。柱狀凸塊對準於該貫穿孔而設置背面上，更局部嵌埋於介電內襯內，以形成為一導通至內連墊之凸塊下垂直柱體，藉以消除習知矽穿孔孔底之絕緣殘留環圈。
简体摘要：揭示一种柱状凸块嵌陷于硅穿孔之芯片结构。半导体基板具有设置有内连垫之主动面与相对之背面。漏斗形贯穿孔由该背面贯穿半导体基板，以连通至内连垫，贯穿孔具有一斜面孔壁与一往内连垫延伸之垂直孔壁。介电内衬系包覆贯穿孔之斜面孔壁与垂直孔壁，介电内衬覆盖于斜面孔壁之厚度系由垂直孔壁往背面为渐厚之变化，以提供一显露内连垫且截面形状不同于贯穿孔之重塑形孔。柱状凸块对准于该贯穿孔而设置背面上，更局部嵌埋于介电内衬内，以形成为一导通至内连垫之凸块下垂直柱体，借以消除习知硅穿孔孔底之绝缘残留环圈。

8. 发明专利

TW201519387A 具強固型晶背凸塊之矽穿孔結構审中-公开
简体标题：具强固型晶背凸块之硅穿孔结构
公开(公告)号：TW201519387A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102140939
申请日：2013-11-11
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MACROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：邱朝順 , CHIU, CHAO SHUN , 陳彥竹 , CHEN, YEN CHU , 林煜祥 , LIN, YU HSIANG , 王銘毅 , WANG, MING YI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/52
摘要：揭示一種具強固型晶背凸塊之矽穿孔結構。半導體基板具有設置有銲墊之主動面與背面。貫穿孔由背面貫穿半導體基板，以連通至銲墊。介電內襯包覆貫穿孔之內孔壁，介電內襯具有一位於銲墊上之內開口與一位於背面之外開口。填孔導體係填滿貫穿孔並具有突出於背面之晶背凸塊。其中，貫穿孔在往背面處形成有複數個孔徑增大之缺口環，缺口環之總深度不小於半導體基板之厚度之二十分之一且不大於該厚度之三分之二，並且介電內襯填入該些缺口環之凹陷部，外開口不小於內開口，藉以改善晶背凸塊下矽穿孔導體不耐用易於斷裂之問題。
简体摘要：揭示一种具强固型晶背凸块之硅穿孔结构。半导体基板具有设置有焊垫之主动面与背面。贯穿孔由背面贯穿半导体基板，以连通至焊垫。介电内衬包覆贯穿孔之内孔壁，介电内衬具有一位于焊垫上之内开口与一位于背面之外开口。填孔导体系填满贯穿孔并具有突出于背面之晶背凸块。其中，贯穿孔在往背面处形成有复数个孔径增大之缺口环，缺口环之总深度不小于半导体基板之厚度之二十分之一且不大于该厚度之三分之二，并且介电内衬填入该些缺口环之凹陷部，外开口不小于内开口，借以改善晶背凸块下硅穿孔导体不耐用易于断裂之问题。

9. 发明专利

TWI536529B 具內嵌空洞絕緣層之矽穿孔結構及其製造方法有权
简体标题：具内嵌空洞绝缘层之硅穿孔结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI536529B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103140659
申请日：2014-11-24
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：王銘毅 , WANG, MING YI , 邱朝順 , CHIU, CHAO SHUN , 陳彥竹 , CHEN, YEN CHU
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768

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