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1. 发明专利

TWI501362B 多形體銅柱凸塊接合結構及其凸塊形成方法有权
简体标题：多形体铜柱凸块接合结构及其凸块形成方法
公开(公告)号：TWI501362B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW102129572
申请日：2013-08-16
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MOCROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：徐宏欣 , HSU, HUNG HSIN , 徐守謙 , HSU, SHOU CHIAN , 趙偉鈞 , CHAO, WEI CHUN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11

2. 发明专利

TWI481004B 立體搭載被動元件之多基板側立封裝構造有权
简体标题：三維搭载被动组件之多基板侧立封装构造
公开(公告)号：TWI481004B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101144378
申请日：2012-11-27
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MOCROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：趙偉鈞 , CHAO, WEI CHUN
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/28

3. 发明专利

TW201508876A 多形體銅柱凸塊接合結構及其凸塊形成方法审中-公开
简体标题：多形体铜柱凸块接合结构及其凸块形成方法
公开(公告)号：TW201508876A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102129572
申请日：2013-08-16
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MOCROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：徐宏欣 , HSU, HUNG HSIN , 徐守謙 , HSU, SHOU CHIAN , 趙偉鈞 , CHAO, WEI CHUN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：揭示一種多形體銅柱凸塊接合結構及其凸塊形成方法，銅柱凸塊設置於晶片之銲墊上，每一銅柱凸塊由同材質之一柱底層與一窄化柱身所組成，柱底層接合至凸塊下金屬墊或銲墊，每一窄化柱身具有一小於對應銲墊之接合面。銲料形成於接合面上而不形成於柱底層。基板上設有複數個線路段並覆蓋有一銲罩層，銲罩層具有複數個顯露線路段之開孔，小於柱底層之底覆蓋面積且大於接合面，接合面對準於開孔內，以使銲料接合至線路段。故底部填充膠之填入容易且不會有銲料橋接，特別適用於間距小於60微米之微間距銅柱凸塊接合結構。
简体摘要：揭示一种多形体铜柱凸块接合结构及其凸块形成方法，铜柱凸块设置于芯片之焊垫上，每一铜柱凸块由同材质之一柱底层与一窄化柱身所组成，柱底层接合至凸块下金属垫或焊垫，每一窄化柱身具有一小于对应焊垫之接合面。焊料形成于接合面上而不形成于柱底层。基板上设有复数个线路段并覆盖有一焊罩层，焊罩层具有复数个显露线路段之开孔，小于柱底层之底覆盖面积且大于接合面，接合面对准于开孔内，以使焊料接合至线路段。故底部填充胶之填入容易且不会有焊料桥接，特别适用于间距小于60微米之微间距铜柱凸块接合结构。

4. 发明专利

TW201421642A 立體搭載被動元件之多基板側立封裝構造审中-公开
简体标题：三維搭载被动组件之多基板侧立封装构造
公开(公告)号：TW201421642A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW101144378
申请日：2012-11-27
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC. , 聚成科技股份有限公司 , MOCROTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：趙偉鈞 , CHAO, WEI CHUN
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/28
摘要：揭示一種立體搭載被動元件之多基板側立封裝構造，包含兩基板堆疊體、一封膠體以及複數個外接端子。每一基板堆疊體係由複數個相互疊壓之基板組合而成並具有一內線路表面、一外線路表面以及一接合側面，其中該第一內線路表面係搭載有被動元件，接合側面上係設有複數個側銲墊。該封膠體係形成在兩基板堆疊體之兩內線路表面之間，以密封被動元件，而該封膠體係具有一裁切側面，與該些接合側面位於同一表面。該些外接端子係結合於側銲墊，藉以容納更多被動元件在一封裝構造內，並且不會影響封裝構造的取放安裝操作。
简体摘要：揭示一种三維搭载被动组件之多基板侧立封装构造，包含两基板堆栈体、一封胶体以及复数个外置端子。每一基板堆栈体系由复数个相互叠压之基板组合而成并具有一内线路表面、一外线路表面以及一接合侧面，其中该第一内线路表面系搭载有被动组件，接合侧面上系设有复数个侧焊垫。该封胶体系形成在两基板堆栈体之两内线路表面之间，以密封被动组件，而该封胶体系具有一裁切侧面，与该些接合侧面位于同一表面。该些外置端子系结合于侧焊垫，借以容纳更多被动组件在一封装构造内，并且不会影响封装构造的取放安装操作。

5. 发明专利

TWI559466B 封裝結構及其製造方法有权
简体标题：封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI559466B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW104110701
申请日：2015-04-01
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：黃崑永 , HUANG, KUN YUNG , 徐守謙 , HSU, SHOU CHIAN , 趙偉鈞 , CHAO, WEI CHUN
IPC分类号： H01L23/13 , H01L27/146
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/16235

6. 发明专利

TWI563646B 具複合攔壩體之晶片尺寸影像感測封裝構造有权
简体标题：具复合拦坝体之芯片尺寸影像传感封装构造
公开(公告)号：TWI563646B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103130623
申请日：2014-09-04
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：徐守謙 , HSU, SHOU CHIAN , 趙偉鈞 , CHAO, WEI CHUN
IPC分类号： H01L27/146

7. 发明专利

TW201642415A 晶片封裝結構审中-公开
简体标题：芯片封装结构
公开(公告)号：TW201642415A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104115875
申请日：2015-05-19
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：徐守謙 , HSU, SHOU CHIAN , 趙偉鈞 , CHAO, WEI CHUN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/52
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：一種晶片封裝結構，包括一晶片、一透光基板及一接合層。晶片具有相對的一主動面及一背面且包括多個接墊。主動面包括一感測區及圍繞感測區的一周邊區，接墊位於周邊區。透光基板配置於晶片的主動面上。接合層位於晶片的周邊區與透光基板之間，且包括多個覆蓋區及多個應力釋放孔，其中覆蓋區分別覆蓋接墊，且至少一部分的應力釋放孔環繞在對應的覆蓋區的至少三側。
简体摘要：一种芯片封装结构，包括一芯片、一透光基板及一接合层。芯片具有相对的一主动面及一背面且包括多个接垫。主动面包括一传感区及围绕传感区的一周边区，接垫位于周边区。透光基板配置于芯片的主动面上。接合层位于芯片的周边区与透光基板之间，且包括多个覆盖区及多个应力释放孔，其中覆盖区分别覆盖接垫，且至少一部分的应力释放孔环绕在对应的覆盖区的至少三侧。

8. 发明专利

TW201637141A 封裝結構及其製造方法审中-公开
简体标题：封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201637141A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104110701
申请日：2015-04-01
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：黃崑永 , HUANG, KUN YUNG , 徐守謙 , HSU, SHOU CHIAN , 趙偉鈞 , CHAO, WEI CHUN
IPC分类号： H01L23/13 , H01L27/146
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/16235
摘要：本申請提供一種封裝結構，包括一晶片、一阻擋結構以及一基板。晶片包括一基材以及一感光部，該感光部位於該基材上。阻擋結構設置於晶片上並包括一第一框圍部、一第二框圍部以及一階梯狀開口，第一框圍部與第二框圍部共同框圍感光部而定義出階梯狀開口，階梯狀開口暴露感光部，且第一框圍部位於基材上並突出於第二框圍部。基板設置於阻擋結構上並覆蓋晶片以及阻擋結構。本申請亦提供前述封裝結構的製造方法。
简体摘要：本申请提供一种封装结构，包括一芯片、一阻挡结构以及一基板。芯片包括一基材以及一感光部，该感光部位于该基材上。阻挡结构设置于芯片上并包括一第一框围部、一第二框围部以及一阶梯状开口，第一框围部与第二框围部共同框围感光部而定义出阶梯状开口，阶梯状开口暴露感光部，且第一框围部位于基材上并突出于第二框围部。基板设置于阻挡结构上并覆盖芯片以及阻挡结构。本申请亦提供前述封装结构的制造方法。

9. 发明专利

TWI550804B 晶片封裝結構有权
简体标题：芯片封装结构
公开(公告)号：TWI550804B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW104115875
申请日：2015-05-19
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：徐守謙 , HSU, SHOU CHIAN , 趙偉鈞 , CHAO, WEI CHUN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/52
CPC分类号： H01L2224/11

10. 发明专利

TW201611253A 具複合攔壩體之晶片尺寸影像感測封裝構造审中-公开
简体标题：具复合拦坝体之芯片尺寸影像传感封装构造
公开(公告)号：TW201611253A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103130623
申请日：2014-09-04
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：徐守謙 , HSU, SHOU CHIAN , 趙偉鈞 , CHAO, WEI CHUN
IPC分类号： H01L27/146
摘要：揭示一種具複合攔壩體之晶片尺寸影像感測封裝構造，包含一影像感測晶片、一複合攔壩體、一設置於複合攔壩體上之透光片以及複數個設置於晶片背面之外接端子。影像感測晶片之主動面上設有一影像感測區。複合攔壩體係至少兩攔壩部所組成並具有一感測窗口。感測窗口之側邊由先置攔壩部之內緣構成並距離影像感測區之水平間隙不大於200微米，兩攔壩部之間具有一組合界面，並與後置攔壩部相對於先置攔壩部之內緣更加遠離影像感測區，使得形成先置攔壩部之殘留物不存在於影像感測區外圍200微米之範圍內。
简体摘要：揭示一种具复合拦坝体之芯片尺寸影像传感封装构造，包含一影像传感芯片、一复合拦坝体、一设置于复合拦坝体上之透光片以及复数个设置于芯片背面之外置端子。影像传感芯片之主动面上设有一影像传感区。复合拦坝体系至少两拦坝部所组成并具有一传感窗口。传感窗口之侧边由先置拦坝部之内缘构成并距离影像传感区之水平间隙不大于200微米，两拦坝部之间具有一组合界面，并与后置拦坝部相对于先置拦坝部之内缘更加远离影像传感区，使得形成先置拦坝部之残留物不存在于影像传感区外围200微米之范围内。

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