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1. 发明专利

TW200922935A 苯并二吩衍生物、使用其之有機薄膜電晶體及有機薄膜發光電晶體审中-公开
简体标题：苯并二吩衍生物、使用其之有机薄膜晶体管及有机薄膜发光晶体管
公开(公告)号：TW200922935A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097132940
申请日：2008-08-28
申请人：出光興產股份有限公司 IDEMITSU KOSAN CO., LTD. , 國立大學法人和歌山大學 WAKAYAMA UNIVERSITY
发明人：田中一郎 TANAKA, ICHIRO , 大須賀秀次 OSUGA, HIDEJI , 中村浩昭 NAKAMURA, HIROAKI , 中野裕基 NAKANO, YUKI
IPC分类号： C07D , H01L
CPC分类号： H01L51/0074 , C07D495/04 , H01L51/0068 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5296
摘要：本發明提供一種即使於暴露在大氣中之狀態下電場效應遷移率之穩定性亦優異之有機化合物、使用其之有機薄膜電晶體及有機薄膜發光電晶體,其中,上述有機化合物係於中心具有芳香族烴基或芳香族雜環基之苯并二吩衍生物;上述有機薄膜電晶體係至少於基板上設置有閘極電極、源極電極及汲極電極3個端子、絕緣體層以及有機半導體層,且藉由對閘極電極施加電壓而控制源極-汲極間電流者,且上述有機半導體層包含於中心具有芳香族烴基或芳香族雜環基之特定苯并二吩衍生物;上述有機薄膜發光電晶體係於上述有機薄膜電晶體中,利用於源極-汲極間流動之電流而獲得發光,且藉由對閘極電極施加電壓而控制發光。
简体摘要：本发明提供一种即使于暴露在大气中之状态下电场效应迁移率之稳定性亦优异之有机化合物、使用其之有机薄膜晶体管及有机薄膜发光晶体管,其中,上述有机化合物系于中心具有芳香族烃基或芳香族杂环基之苯并二吩衍生物;上述有机薄膜晶体管系至少于基板上设置有闸极电极、源极电极及汲极电极3个端子、绝缘体层以及有机半导体层,且借由对闸极电极施加电压而控制源极-汲极间电流者,且上述有机半导体层包含于中心具有芳香族烃基或芳香族杂环基之特定苯并二吩衍生物;上述有机薄膜发光晶体管系于上述有机薄膜晶体管中,利用于源极-汲极间流动之电流而获得发光,且借由对闸极电极施加电压而控制发光。

2. 发明专利

TW200924199A 有機薄膜電晶體及有機薄膜發光電晶體审中-公开
简体标题：有机薄膜晶体管及有机薄膜发光晶体管
公开(公告)号：TW200924199A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097133349
申请日：2008-08-29
申请人：出光興產股份有限公司 IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
发明人：田中一郎 TANAKA, ICHIRO , 大須賀秀次 OSUGA, HIDEJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0074 , H01L51/0053 , H01L51/0068 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0562 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5296
摘要：本發明係以提供一種大氣中之安定性優異、且動作速度大的有機薄膜電晶體為目的。本發明之有機薄膜電晶體,其係在基板上設置閘電極、源電極及汲電極之3種端子、與在源電極及汲電極與閘電極之間設置絕緣的絕緣體層與有機半導體層,藉由在閘電極上施加電壓以控制源電極-汲電極間電流之有機薄膜電晶體,其特徵為具備由控制有機半導體層之結晶性的結晶性化合物所成膜的結晶性控制層,在該結晶性控制層上使含具有雜環基化合物或具有構造之化合物所形成的有機半導體層予以成膜。另外,本發明之有機薄膜發光電晶體,其特徵為於前述有機薄膜電晶體之源電極與汲電極中,任何一方以電洞注入性電極構成,殘留的電極以電子注入性電極構成。
简体摘要：本发明系以提供一种大气中之安定性优异、且动作速度大的有机薄膜晶体管为目的。本发明之有机薄膜晶体管,其系在基板上设置闸电极、源电极及汲电极之3种端子、与在源电极及汲电极与闸电极之间设置绝缘的绝缘体层与有机半导体层,借由在闸电极上施加电压以控制源电极-汲电极间电流之有机薄膜晶体管,其特征为具备由控制有机半导体层之结晶性的结晶性化合物所成膜的结晶性控制层,在该结晶性控制层上使含具有杂环基化合物或具有构造之化合物所形成的有机半导体层予以成膜。另外,本发明之有机薄膜发光晶体管,其特征为于前述有机薄膜晶体管之源电极与汲电极中,任何一方以电洞注入性电极构成,残留的电极以电子注入性电极构成。

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