专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TW201246537A 具有低源極電阻之場效電晶體裝置 FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH LOW SOURCE RESISTANCE 审中-公开
简体标题：具有低源极电阻之场效应管设备 FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH LOW SOURCE RESISTANCE
公开(公告)号：TW201246537A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101107514
申请日：2012-03-06
申请人：克立公司
发明人：柳世衡 , 凱波道爾奎格 , 成林 , 達爾薩利 , 喬納斯夏洛特 , 阿加娃安那 , 帕驀爾約翰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/045 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/7395
摘要：一種半導體裝置，其包含：一漂移層，其具有一第一傳導性類型；一井區域，其在該漂移層中，具有與該第一傳導性類型相反的一第二傳導性類型；及一源極區域，其在該井區域中。該源極區域具有該第一傳導性類型，且定義該井區域中的一通道區域。該源極區域包含鄰近該通道區域的一橫向源極區域，及從橫向源極區域相反於該通道區域延伸開的複數個源極接觸區域。具有該第二傳導性類型的一本體接觸區域在該複數個源極接觸區域之至少兩者之間，且與該井區域接觸。一源極歐姆接觸件與該等源極接觸區域及該本體接觸區域之至少一者重疊。該半導體裝置之一源極接觸面積的一最小尺寸由該源極歐姆接觸件與該至少一個源極接觸區域之間重疊的一面積予以定義。
简体摘要：一种半导体设备，其包含：一漂移层，其具有一第一传导性类型；一井区域，其在该漂移层中，具有与该第一传导性类型相反的一第二传导性类型；及一源极区域，其在该井区域中。该源极区域具有该第一传导性类型，且定义该井区域中的一信道区域。该源极区域包含邻近该信道区域的一横向源极区域，及从横向源极区域相反于该信道区域延伸开的复数个源极接触区域。具有该第二传导性类型的一本体接触区域在该复数个源极接触区域之至少两者之间，且与该井区域接触。一源极欧姆接触件与该等源极接触区域及该本体接触区域之至少一者重叠。该半导体设备之一源极接触面积的一最小尺寸由该源极欧姆接触件与该至少一个源极接触区域之间重叠的一面积予以定义。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式