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1. 发明专利

TW201822216A 雙模式前饋式錯誤更正碼三維架構的溫度控管方法及裝置审中-公开
简体标题：双模式前馈式错误更正码三维架构的温度控管方法及设备
公开(公告)号：TW201822216A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105141118
申请日：2016-12-12
申请人：元智大學 , YUAN ZE UNIVERSITY
发明人：林書彥 , LIN, SHU-YEN , 蘇河雲 , SU, HO-YUN , 林承鴻 , LIN, CHENG-HUNG
IPC分类号： G11C29/42 , G11C29/44
摘要：本發明揭露一種用於雙模式前饋式錯誤更正碼（Dual-mode Forward Error Correction, DFEC）三維架構的溫度控管方法，包含以下步驟：提供第一錯誤更正碼解碼模式、第二錯誤更正碼解碼模式及第一錯誤更正碼解碼模式所需之第一記憶體需求資訊、第二錯誤更正碼解碼模式所需之第二記憶體需求資訊；根據第一記憶體需求資訊及第二記憶體需求資訊，分析對應之三維區塊式記憶體（3D block-based memory），並建立結合雙模式前饋式錯誤更正碼三維堆疊架構與區塊式記憶體三維堆疊架構之三維晶片（3D IC）堆疊架構，其中三維區塊式記憶體包括數個區塊式靜態隨機存取記憶體（block-based SRAM）；根據所建立之三維晶片堆疊架構，得到在第一錯誤更正碼解碼模式與第二錯誤更正碼解碼模式下，雙模式前饋式錯誤更正碼三維堆疊架構與區塊式記憶體三維堆疊架構運作時之功耗及晶片佈局資訊；透過功耗分析，得到第一錯誤更正碼解碼模式之第一溫度表現及第二錯誤更正碼解碼模式之第二溫度表現；透過溫度分析，得到第一錯誤更正碼解碼模式之第一溫度特性、第二錯誤更正碼解碼模式之第二溫度特性以應用於三維解碼核心溫控映射的方法，第二溫度特性的溫度增加速度比第一溫度特性的溫度增加速度快；透過溫度分析，得到區塊式記憶體三維堆疊架構運作時之記憶體溫度特性以應用於三維記憶體映射的方法；及透過第一錯誤更正碼解碼模式與第二錯誤更正碼解碼模式運作時之溫度差距，開發用於三維晶片堆疊架構之溫度控管映射演算法。
简体摘要：本发明揭露一种用于双模式前馈式错误更正码（Dual-mode Forward Error Correction, DFEC）三维架构的温度控管方法，包含以下步骤：提供第一错误更正码译码模式、第二错误更正码译码模式及第一错误更正码译码模式所需之第一内存需求信息、第二错误更正码译码模式所需之第二内存需求信息；根据第一内存需求信息及第二内存需求信息，分析对应之三维区块式内存（3D block-based memory），并创建结合双模式前馈式错误更正码三维堆栈架构与区块式内存三维堆栈架构之三维芯片（3D IC）堆栈架构，其中三维区块式内存包括数个区块式静态随机存取内存（block-based SRAM）；根据所创建之三维芯片堆栈架构，得到在第一错误更正码译码模式与第二错误更正码译码模式下，双模式前馈式错误更正码三维堆栈架构与区块式内存三维堆栈架构运作时之功耗及芯片布局信息；透过功耗分析，得到第一错误更正码译码模式之第一温度表现及第二错误更正码译码模式之第二温度表现；透过温度分析，得到第一错误更正码译码模式之第一温度特性、第二错误更正码译码模式之第二温度特性以应用于三维译码内核温控映射的方法，第二温度特性的温度增加速度比第一温度特性的温度增加速度快；透过温度分析，得到区块式内存三维堆栈架构运作时之内存温度特性以应用于三维内存映射的方法；及透过第一错误更正码译码模式与第二错误更正码译码模式运作时之温度差距，开发用于三维芯片堆栈架构之温度控管映射算法。

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