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1. 发明专利

TWI451501B 金屬氧化物半導體電晶體的製造方法有权
简体标题：金属氧化物半导体晶体管的制造方法
公开(公告)号：TWI451501B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW101103544
申请日：2012-02-03
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：冉曉雯 , ZAN, HSIAOWEN , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANGCHUANG , 葉雋正 , YEH, CHUNCHENG , 陳良豪 , CHEN, LIANGHAO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

2. 发明专利

TW201324784A 薄膜電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201324784A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101121927
申请日：2012-06-19
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：冉曉雯 , ZAN, HSIAOWEN , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANGCHUANG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要：在此揭露一種薄膜電晶體，其包含金屬氧化物半導體層、絕緣層、閘極、源極以及汲極。金屬氧化物半導體層包含通道區、源極區及汲極區。通道區具有多數第一區域以及一第二區域，第一區域之氧空缺濃度大於第二區域之氧空缺濃度。每一第一區域彼此分離，且被第二區域圍繞。絕緣層配置在通道區上。源極區及汲極區分別位於通道區之相對兩側。閘極配置在絕緣層上。源極及汲極分別電性連接源極區與汲極區。在此亦揭露一種製造薄膜電晶體之方法。
简体摘要：在此揭露一种薄膜晶体管，其包含金属氧化物半导体层、绝缘层、闸极、源极以及汲极。金属氧化物半导体层包含信道区、源极区及汲极区。信道区具有多数第一区域以及一第二区域，第一区域之氧空缺浓度大于第二区域之氧空缺浓度。每一第一区域彼此分离，且被第二区域围绕。绝缘层配置在信道区上。源极区及汲极区分别位于信道区之相对两侧。闸极配置在绝缘层上。源极及汲极分别电性连接源极区与汲极区。在此亦揭露一种制造薄膜晶体管之方法。

3. 发明专利

TWI505475B 薄膜電晶體及其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI505475B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW101139494
申请日：2012-10-25
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：冉曉雯 , ZAN, HSIAOWEN , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANGCHUANG , 廖峻宏 , LIAO, CHUNHUNG , 陳蔚宗 , CHEN, WEITSUNG
IPC分类号： H01L29/786

4. 发明专利

TWI478353B 薄膜電晶體及其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI478353B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101121927
申请日：2012-06-19
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：冉曉雯 , ZAN, HSIAOWEN , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANGCHUANG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336

5. 发明专利

TW201310543A 金屬氧化物半導體電晶體的製造方法审中-公开
简体标题：金属氧化物半导体晶体管的制造方法
公开(公告)号：TW201310543A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101103544
申请日：2012-02-03
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：冉曉雯 , ZAN, HSIAOWEN , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANGCHUANG , 葉雋正 , YEH, CHUNCHENG , 陳良豪 , CHEN, LIANGHAO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要：一種金屬氧化物半導體電晶體之製造方法，包括下列步驟。在基板上依序形成閘極、閘極絕緣層、圖案化金屬氧化物半導體層、源極和汲極。在圖案化金屬氧化物半導體層上形成遷移率增強層。在溫度為約200℃至約350℃的環境中，對金屬氧化物半導體層和遷移率增強層進行退火。
简体摘要：一种金属氧化物半导体晶体管之制造方法，包括下列步骤。在基板上依序形成闸极、闸极绝缘层、图案化金属氧化物半导体层、源极和汲极。在图案化金属氧化物半导体层上形成迁移率增强层。在温度为约200℃至约350℃的环境中，对金属氧化物半导体层和迁移率增强层进行退火。

6. 发明专利

TWI538220B 薄膜電晶體與其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管与其制造方法
公开(公告)号：TWI538220B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101143453
申请日：2012-11-21
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：陳蔚宗 , CHEN, WEITSUNG , 辛哲宏 , SHINN, TEDHONG , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANGCHUANG , 楊智翔 , YANG, CHIHHSIANG , 葉佳俊 , YEH, CHIACHUN , 唐文忠 , TANG, WENCHUNG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969

7. 发明专利

TW201421696A 薄膜電晶體與其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管与其制造方法
公开(公告)号：TW201421696A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW101143453
申请日：2012-11-21
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：陳蔚宗 , CHEN, WEITSUNG , 辛哲宏 , SHINN, TEDHONG , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANGCHUANG , 楊智翔 , YANG, CHIHHSIANG , 葉佳俊 , YEH, CHIACHUN , 唐文忠 , TANG, WENCHUNG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969
摘要：提供一種薄膜電晶體與其製造方法。在薄膜電晶體金屬氧化物半導體層的上方形成一層金屬圖案層，以隔絕外界水、氧與光對金屬氧化物半導體層的影響。
简体摘要：提供一种薄膜晶体管与其制造方法。在薄膜晶体管金属氧化物半导体层的上方形成一层金属图案层，以隔绝外界水、氧与光对金属氧化物半导体层的影响。

8. 发明专利

TW201324787A 薄膜電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201324787A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101139494
申请日：2012-10-25
申请人：元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.
发明人：冉曉雯 , ZAN, HSIAOWEN , 蔡娟娟 , TSAI, CHUANGCHUANG , 廖峻宏 , LIAO, CHUNHUNG , 陳蔚宗 , CHEN, WEITSUNG
IPC分类号： H01L29/786
摘要：在此揭露一種薄膜電晶體，其包含金屬氧化物半導體層、絕緣層、第一閘極、源極以及汲極。金屬氧化物半導體層包含通道區、源極區及汲極區。通道區具有至少一第一區域以及一第二區域，第一區域之氧空缺濃度大於第二區域之氧空缺濃度。第一區域被第二區域圍繞。絕緣層配置在通道區上。源極區及汲極區分別位於通道區之相對兩側。第一閘極配置在絕緣層上。源極及汲極分別電性連接源極區與汲極區。在此亦揭露一種製造薄膜電晶體之方法。
简体摘要：在此揭露一种薄膜晶体管，其包含金属氧化物半导体层、绝缘层、第一闸极、源极以及汲极。金属氧化物半导体层包含信道区、源极区及汲极区。信道区具有至少一第一区域以及一第二区域，第一区域之氧空缺浓度大于第二区域之氧空缺浓度。第一区域被第二区域围绕。绝缘层配置在信道区上。源极区及汲极区分别位于信道区之相对两侧。第一闸极配置在绝缘层上。源极及汲极分别电性连接源极区与汲极区。在此亦揭露一种制造薄膜晶体管之方法。

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