专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI567396B 過電流偵測晶片，過電流調校電路及過電流偵測調校方法有权
简体标题：过电流侦测芯片，过电流调校电路及过电流侦测调校方法
公开(公告)号：TWI567396B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103121755
申请日：2014-06-24
申请人：偉詮電子股份有限公司 , WELTREND SEMICONDUCTOR INC.
发明人：劉建成 , LIU, JENG CHENG , 林愷 , LIN, KAI , 鄭健銘 , CHENG, CHIEN MING , 江謝伯州 , CHIANG HSIEH, PO CHOU
IPC分类号： G01R19/165

2. 发明专利

TWI548981B 電源供應器之過電流保護晶片及過電流保護電路有权
简体标题：电源供应器之过电流保护芯片及过电流保护电路
公开(公告)号：TWI548981B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW104111143
申请日：2015-04-07
申请人：偉詮電子股份有限公司 , WELTREND SEMICONDUCTOR INC.
发明人：林愷 , LIN, KAI , 鄭健銘 , CHENG, CHIEN MING , 江謝伯州 , CHIANG HSIEH, PO CHOU , 劉建成 , LIU, JENG CHENG
IPC分类号： G06F1/28 , H02H3/02

3. 发明专利

TW201640267A 用於設定電源供應器的保護晶片之過電流保護態樣之控制治具裝置及方法审中-公开
简体标题：用于设置电源供应器的保护芯片之过电流保护态样之控制治具设备及方法
公开(公告)号：TW201640267A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104115123
申请日：2015-05-12
申请人：偉詮電子股份有限公司 , WELTREND SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：鄭健銘 , CHENG, CHIEN MING , 江謝伯州 , CHIANG HSIEH, PO CHOU , 林愷 , LIN, KAI
IPC分类号： G06F1/26
摘要：一種控制治具裝置，可應用於電源供應器，其中該電源供應器包含一保護晶片，該控制治具裝置包含：一控制單元；一傳輸線。該傳輸線電連接於該控制單元及該保護晶片之間，其中該傳輸線於第一情況，自該控制單元傳輸一第一訊號至該保護晶片，且於第二情況自該保護晶片傳輸一第二訊號至該控制單元。
简体摘要：一种控制治具设备，可应用于电源供应器，其中该电源供应器包含一保护芯片，该控制治具设备包含：一控制单元；一传输线。该传输线电连接于该控制单元及该保护芯片之间，其中该传输线于第一情况，自该控制单元传输一第一信号至该保护芯片，且于第二情况自该保护芯片传输一第二信号至该控制单元。

4. 发明专利

TW201417433A 電源供應器之過電流保護晶片及其設定方法审中-公开
简体标题：电源供应器之过电流保护芯片及其设置方法
公开(公告)号：TW201417433A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW101139698
申请日：2012-10-26
申请人：偉詮電子股份有限公司 , WELTREND SEMICONDUCTOR INC.
发明人：林愷 , LIN, KAI , 江謝伯州 , CHIANG HSIEH, PO CHOU , 鄭健銘 , CHENG, CHIEN MING
IPC分类号： H02H7/12 , G05F1/573 , G06F1/26
摘要：電源供應器之過電流保護晶片包含一比較器，其第一輸入端用以接收一負載電流偵測訊號，第二輸入端用以接收一基準訊號，該比較器係用以比較該負載電流偵測訊號及該基準訊號之電壓位準以於其輸出端輸出一比較訊號；一基準訊號調整單元，耦接於該第二輸入端，用以於一設定狀態中根據一組設定資料之複數個設定值調整該基準訊號之電壓位準；及一記憶單元，耦接於該基準訊號調整單元，用以於該設定狀態中該比較器輸出之該比較訊號轉態時，儲存該組設定資料中之一相對應之設定值，並根據該相對應設定值於一工作狀態中控制該基準訊號調整單元。
简体摘要：电源供应器之过电流保护芯片包含一比较器，其第一输入端用以接收一负载电流侦测信号，第二输入端用以接收一基准信号，该比较器系用以比较该负载电流侦测信号及该基准信号之电压位准以于其输出端输出一比较信号；一基准信号调整单元，耦接于该第二输入端，用以于一设置状态中根据一组设置数据之复数个设置值调整该基准信号之电压位准；及一记忆单元，耦接于该基准信号调整单元，用以于该设置状态中该比较器输出之该比较信号转态时，存储该组设置数据中之一相对应之设置值，并根据该相对应设置值于一工作状态中控制该基准信号调整单元。

5. 发明专利

TWI566492B 電源供應器之過電流保護晶片及其設定方法有权
简体标题：电源供应器之过电流保护芯片及其设置方法
公开(公告)号：TWI566492B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW101139698
申请日：2012-10-26
申请人：偉詮電子股份有限公司 , WELTREND SEMICONDUCTOR INC.
发明人：林愷 , LIN, KAI , 江謝伯州 , CHIANG HSIEH, PO CHOU , 鄭健銘 , CHENG, CHIEN MING
IPC分类号： H02H7/12 , G05F1/573 , G06F1/26

6. 发明专利

TW201636767A 電源供應器之過電流保護晶片及過電流保護電路审中-公开
简体标题：电源供应器之过电流保护芯片及过电流保护电路
公开(公告)号：TW201636767A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104111143
申请日：2015-04-07
申请人：偉詮電子股份有限公司 , WELTREND SEMICONDUCTOR INC.
发明人：林愷 , LIN, KAI , 鄭健銘 , CHENG, CHIEN MING , 江謝伯州 , CHIANG HSIEH, PO CHOU , 劉建成 , LIU, JENG CHENG
IPC分类号： G06F1/28 , H02H3/02
摘要：本發明提供一種電源供應器之過電流保護晶片及過電流保護電路。過電流保護晶片包含三個輸入端、第一記憶模組、第二記憶模組以及切換選擇電路。三個輸入端分別用以接收校正資料、第一電流負載電位及第二電流負載電位。切換選擇電路用以比較校正資料及第一電流負載電位，並比較校正資料及第二電流負載電位。其中當校正資料與第一電流負載電位相符時，校正資料被儲存到第一記憶模組的一個記憶單元中。當校正資料與第二電流負載相符時，校正資料被儲存到第二記憶模組的一個記憶單元中。
简体摘要：本发明提供一种电源供应器之过电流保护芯片及过电流保护电路。过电流保护芯片包含三个输入端、第一记忆模块、第二记忆模块以及切换选择电路。三个输入端分别用以接收校正数据、第一电流负载电位及第二电流负载电位。切换选择电路用以比较校正数据及第一电流负载电位，并比较校正数据及第二电流负载电位。其中当校正数据与第一电流负载电位相符时，校正数据被存储到第一记忆模块的一个记忆单元中。当校正数据与第二电流负载相符时，校正数据被存储到第二记忆模块的一个记忆单元中。

7. 发明专利

TWI545430B 用於設定電源供應器的保護晶片之過電流保護態樣之控制治具裝置及方法有权
简体标题：用于设置电源供应器的保护芯片之过电流保护态样之控制治具设备及方法
公开(公告)号：TWI545430B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW104115123
申请日：2015-05-12
申请人：偉詮電子股份有限公司 , WELTREND SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：鄭健銘 , CHENG, CHIEN MING , 江謝伯州 , CHIANG HSIEH, PO CHOU , 林愷 , LIN, KAI
IPC分类号： G06F1/26

8. 发明专利

TW201600865A 過電流偵測晶片，過電流調校電路及過電流偵測調校方法审中-公开
简体标题：过电流侦测芯片，过电流调校电路及过电流侦测调校方法
公开(公告)号：TW201600865A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103121755
申请日：2014-06-24
申请人：偉詮電子股份有限公司 , WELTREND SEMICONDUCTOR INC.
发明人：劉建成 , LIU, JENG CHENG , 林愷 , LIN, KAI , 鄭健銘 , CHENG, CHIEN MING , 江謝伯州 , CHIANG HSIEH, PO CHOU
IPC分类号： G01R19/165
摘要：透過一第一電阻提供一對應於一模擬負載之一負載模擬訊號至一過電流偵測晶片的一第一腳位，及透過一第二電阻提供一檢測訊號至該過電流偵測晶片的一第二腳位；該過電流偵測晶片透過一雙向腳位從一校正治具模組接收一組調校訊號以控制該檢測訊號；該過電流偵測晶片之一比較器比較該負載模擬訊號與該檢測訊號以產生一保護點通知訊號，並透過該雙向腳位將該保護點通知訊號傳送至該校正治具模組；及當該保護點通知訊號之值轉態，該校正治具模組透過該雙向腳位傳送一儲存通知訊號通知該過電流偵測晶片儲存該組調校訊號。
简体摘要：透过一第一电阻提供一对应于一仿真负载之一负载仿真信号至一过电流侦测芯片的一第一脚位，及透过一第二电阻提供一检测信号至该过电流侦测芯片的一第二脚位；该过电流侦测芯片透过一双向脚位从一校正治具模块接收一组调校信号以控制该检测信号；该过电流侦测芯片之一比较器比较该负载仿真信号与该检测信号以产生一保护点通知信号，并透过该双向脚位将该保护点通知信号发送至该校正治具模块；及当该保护点通知信号之值转态，该校正治具模块透过该双向脚位发送一存储通知信号通知该过电流侦测芯片存储该组调校信号。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式