专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201422858A 單晶製造裝置审中-公开
简体标题：单晶制造设备
公开(公告)号：TW201422858A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102138293
申请日：2013-10-23
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小田道明 , ODA, MICHIAKI , 高野清隆 , TAKANO, KIYOTAKA , 池田丈周 , IKEDA, TOMONORI
IPC分类号： C30B29/20 , C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/16 , C30B29/20
摘要：本發明提供一種單晶製造裝置，其藉由CZ法，由在坩堝內將原料加熱熔融而得的熔液來製造氧化物單晶，該單晶製造裝置的特徵在於：具備加熱器與主腔室，該加熱器對前述坩堝內的原料進行加熱，該主腔室配置有前述坩堝；並且，前述坩堝是藉由石墨製保持器隔著高熔點金屬的犧牲材料而被保持。藉此，提供一種製造氧化物單晶之單晶製造裝置，該裝置即便使用石墨製保持器，亦可提高坩堝的壽命。
简体摘要：本发明提供一种单晶制造设备，其借由CZ法，由在坩埚内将原料加热熔融而得的熔液来制造氧化物单晶，该单晶制造设备的特征在于：具备加热器与主腔室，该加热器对前述坩埚内的原料进行加热，该主腔室配置有前述坩埚；并且，前述坩埚是借由石墨制保持器隔着高熔点金属的牺牲材料而被保持。借此，提供一种制造氧化物单晶之单晶制造设备，该设备即便使用石墨制保持器，亦可提高坩埚的寿命。

2. 发明专利

TW201425662A 藍寶石單晶的製造方法及晶種审中-公开
简体标题：蓝宝石单晶的制造方法及晶种
公开(公告)号：TW201425662A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102136788
申请日：2013-10-11
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：高野清隆 , TAKANO, KIYOTAKA , 小田道明 , ODA, MICHIAKI
IPC分类号： C30B29/20 , C30B15/10 , C30B33/00
CPC分类号： C30B15/36 , C30B15/10 , C30B29/20
摘要：本發明是一種藍寶石單晶的製造方法，是利用CZ法，藉由在以鎢或鉬、或者鎢與鉬兩者為主要成分之坩堝內，利用電阻加熱器將原料加熱熔融而獲得熔液，使晶種與該熔液接觸並將其提拉，來製造藍寶石單晶，其中，作為與前述熔液接觸之晶種，使用被施加研磨加工後之晶種。藉此，提供一種方法，當藉由使用電阻加熱器之裝置來製造藍寶石單晶時，可將晶種良好地添加，使側面等不會熔化。
简体摘要：本发明是一种蓝宝石单晶的制造方法，是利用CZ法，借由在以钨或钼、或者钨与钼两者为主要成分之坩埚内，利用电阻加热器将原料加热熔融而获得熔液，使晶种与该熔液接触并将其提拉，来制造蓝宝石单晶，其中，作为与前述熔液接触之晶种，使用被施加研磨加工后之晶种。借此，提供一种方法，当借由使用电阻加热器之设备来制造蓝宝石单晶时，可将晶种良好地添加，使侧面等不会熔化。

3. 发明专利

TW201435157A 進料方法、原料及單晶製造裝置审中-公开
简体标题：进料方法、原料及单晶制造设备
公开(公告)号：TW201435157A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102138700
申请日：2013-10-25
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小田道明 , ODA, MICHIAKI , 高野清隆 , TAKANO, KIYOTAKA
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B15/02 , C30B15/10 , C30B29/20
摘要：本發明提供一種進料方法，其在藉由CZ法來製造藍寶石單晶時，將原料向坩堝內進料，並且，使用單晶製造裝置來作為製造前述藍寶石單晶的裝置，該單晶製造裝置具備加熱前述坩堝內的原料之加熱器、配置前述坩堝之主腔室、及利用閘閥可分隔地連接在該主腔室上之副腔室，其中，該進料方法在前述原料的進料時，將保持前述原料之進料器自前述副腔室吊下，使前述原料進料到前述坩堝內。藉此，提供一種方法，在藍寶石單晶的製造中，將原料向坩堝內進料時，沒有必要將加熱器電源關閉，可有效率地將原料進料。
简体摘要：本发明提供一种进料方法，其在借由CZ法来制造蓝宝石单晶时，将原料向坩埚内进料，并且，使用单晶制造设备来作为制造前述蓝宝石单晶的设备，该单晶制造设备具备加热前述坩埚内的原料之加热器、配置前述坩埚之主腔室、及利用闸阀可分隔地连接在该主腔室上之副腔室，其中，该进料方法在前述原料的进料时，将保持前述原料之进料器自前述副腔室吊下，使前述原料进料到前述坩埚内。借此，提供一种方法，在蓝宝石单晶的制造中，将原料向坩埚内进料时，没有必要将加热器电源关闭，可有效率地将原料进料。

4. 发明专利

TW201428146A 單晶製造裝置审中-公开
简体标题：单晶制造设备
公开(公告)号：TW201428146A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102138505
申请日：2013-10-24
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：高野清隆 , TAKANO, KIYOTAKA , 小田道明 , ODA, MICHIAKI , 前田茂丸 , MAEDA, SHIGEMARU
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/20 , C30B15/10 , C30B15/14
摘要：本發明提供一種單晶製造裝置，其藉由CZ法，由在以鎢或鉬、或者鎢與鉬兩者為主要成分之坩堝內將原料加熱熔融而得的熔液，提拉藍寶石單晶，且該單晶製造裝置具備電阻加熱器與主腔室，該電阻加熱器圍繞前述坩堝並對該坩堝內的原料進行加熱，該主腔室配置有前述坩堝；並且，該單晶製造裝置具有筒狀遮熱體，該筒狀遮熱體自前述坩堝的上方向前述坩堝內的熔液延伸，且下端的外徑小於前述坩堝的內徑，前述下端的內徑大於前述提拉之藍寶石單晶的目標直徑。藉此，提供一種裝置，該裝置可在由CZ法所實施的藍寶石單晶提拉中，防止單晶於提拉過程中熔解。
简体摘要：本发明提供一种单晶制造设备，其借由CZ法，由在以钨或钼、或者钨与钼两者为主要成分之坩埚内将原料加热熔融而得的熔液，提拉蓝宝石单晶，且该单晶制造设备具备电阻加热器与主腔室，该电阻加热器围绕前述坩埚并对该坩埚内的原料进行加热，该主腔室配置有前述坩埚；并且，该单晶制造设备具有筒状遮热体，该筒状遮热体自前述坩埚的上方向前述坩埚内的熔液延伸，且下端的外径小于前述坩埚的内径，前述下端的内径大于前述提拉之蓝宝石单晶的目标直径。借此，提供一种设备，该设备可在由CZ法所实施的蓝宝石单晶提拉中，防止单晶于提拉过程中熔解。

5. 发明专利

TW540094B 拉晶室失效
公开(公告)号：TW540094B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW090126836
申请日：2001-10-30
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：小田道明 , 中川和也 , 松秀明 , 關秀俊 , 林俊郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： F24F3/161 , H01L21/67017 , H01L21/67727 , Y10T117/10
摘要：一種拉晶室，係針對設置複數台單結晶提拉機，具有複數個作業地板，且從天花板或是其附近的上部，供給潔淨空氣，使潔淨空氣往下流之潔淨化的拉晶室，其特徵為：
對應在各作業地板進行的作業所需要的潔淨度，而設置至少3層地板以上的作業地板。
藉由此手段，對於設置複數台單結晶提拉機的拉晶室，提供一種拉晶室，可以將會產生塵埃之提拉機的拆卸和清掃作業、以及要求高潔淨度之將原料裝入爐體內之作為提拉機運轉開始準備的作業，完全地分離，且即使提拉機大型化，也能夠確保作業的安全性。
简体摘要：一种拉晶室，系针对设置复数台单结晶提拉机，具有复数个作业地板，且从天花板或是其附近的上部，供给洁净空气，使洁净空气往下流之洁净化的拉晶室，其特征为：对应在各作业地板进行的作业所需要的洁净度，而设置至少3层地板以上的作业地板。借由此手段，对于设置复数台单结晶提拉机的拉晶室，提供一种拉晶室，可以将会产生尘埃之提拉机的拆卸和清扫作业、以及要求高洁净度之将原料装入炉体内之作为提拉机运转开始准备的作业，完全地分离，且即使提拉机大型化，也能够确保作业的安全性。

6. 发明专利

TW498458B 拉單晶室有权
简体标题：拉单晶室
公开(公告)号：TW498458B
公开(公告)日：2002-08-11
申请号：TW090118619
申请日：2001-07-31
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：小田道明 , 松秀明 , 中川和也 , 林俊郎 , 關秀俊
IPC分类号： H01L
CPC分类号： F24F3/161
摘要：本發明之拉單晶室之特徵為，在備有從上階層的吹出口吹出乾淨空氣，從下階層的回風管吸入的循環型空調系統，且構成至少二層以上之多階層構造的拉單晶室內，將附屬於單結晶拉晶機而設置於下階層的機器設備中，其常用溫度較拉單晶室之室溫高10℃以上的機器設備，設置於回風管近旁，或在前述機器設備的上部設置誘導風管。如此作法，可排除肇因於該功能上會發熱的機器設備而發生的上升氣流及下降氣流的亂流，並且不妨礙拉單晶機附屬機器的維修作業，維持拉單晶室之乾淨度及最適溫度狀態，以提升單結晶之生產率，提供能製造高品質的單結晶棒而且備有空調系統之拉單晶室。
简体摘要：本发明之拉单晶室之特征为，在备有从上阶层的吹出口吹出干净空气，从下阶层的回风管吸入的循环型空调系统，且构成至少二层以上之多阶层构造的拉单晶室内，将附属於单结晶拉晶机而设置于下阶层的机器设备中，其常用温度较拉单晶室之室温高10℃以上的机器设备，设置于回风管近旁，或在前述机器设备的上部设置诱导风管。如此作法，可排除肇因于该功能上会发热的机器设备而发生的上升气流及下降气流的乱流，并且不妨碍拉单晶机附属机器的维修作业，维持拉单晶室之干净度及最适温度状态，以提升单结晶之生产率，提供能制造高品质的单结晶棒而且备有空调系统之拉单晶室。

7. 发明专利

TW429273B 用以饋給顆粒狀矽材料的方法、使用於此方法的饋給管、以及製造單晶矽的方法失效
简体标题：用以馈给颗粒状硅材料的方法、使用于此方法的馈给管、以及制造单晶硅的方法
公开(公告)号：TW429273B
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：TW086101195
申请日：1997-02-01
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：永井直樹 , 原田勇二 , 田代智博 , 小田道明 , 羅門羅伯瑞那
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/02
摘要：根據多重拉引法或C C Z法操作之拉引裝置中，顆粒狀矽材料首先由一饋給器饋至一饋給管，顆粒狀矽材料形成堆積於饋給管中。重複開始並停止由饋給器饋給顆粒狀矽材料至饋給管。隨時間增加顆粒狀矽材料由饋給器至饋給管之饋給率，直至完成矽材饋給。如此可防止摩損饋給器內表面之覆層或襯裡，亦防止饋給器損害。根據Czoc- hralski 法操作之拉引裝置中，使顆粒狀矽材料堆積於饋給管後，爐缸下降或饋給管上升，同時保持顆粒狀矽材料堆積，形成顆粒狀矽材料之未熔化層於矽熔融物之熔化或固化表面上。未熔化層然後熔化，顆粒狀矽材料經由饋給管饋至未熔化層上，同時保持顆粒狀矽材料堆積於饋給管中。因此，可再裝填矽材而不損及爐缸，提高單晶矽之生產力及製造收益。
简体摘要：根据多重拉引法或C C Z法操作之拉引设备中，颗粒状硅材料首先由一馈给器馈至一馈给管，颗粒状硅材料形成堆积于馈给管中。重复开始并停止由馈给器馈给颗粒状硅材料至馈给管。随时间增加颗粒状硅材料由馈给器至馈给管之馈给率，直至完成硅材馈给。如此可防止摩损馈给器内表面之覆层或衬里，亦防止馈给器损害。根据Czoc- hralski 法操作之拉引设备中，使颗粒状硅材料堆积于馈给管后，炉缸下降或馈给管上升，同时保持颗粒状硅材料堆积，形成颗粒状硅材料之未熔化层于硅熔融物之熔化或固化表面上。未熔化层然后熔化，颗粒状硅材料经由馈给管馈至未熔化层上，同时保持颗粒状硅材料堆积于馈给管中。因此，可再装填硅材而不损及炉缸，提高单晶硅之生产力及制造收益。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式