专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201447197A 太陽光發電模組及太陽光發電面板审中-公开
简体标题：太阳光发电模块及太阳光发电皮肤
公开(公告)号：TW201447197A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103110671
申请日：2014-03-21
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：永井陽一 , NAGAI, YOUICHI , 岩崎孝 , IWASAKI, TAKASHI , 鳥谷和正 , TOYA, KAZUMASA , 斉藤健司 , SAITO, KENJI , 弘津硏一 , HIROTSU, KENICHI , 中幡英章 , NAKAHATA, HIDEAKI
IPC分类号： F24J2/52
CPC分类号： H01L31/0201 , H01L31/02008 , H01L31/0203 , H01L31/048 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0512 , H01L31/0543 , H02S40/22 , Y02E10/52
摘要：集光型太陽光發電模組(1M)，具備：金屬所構成的器狀的筐體(11)，以及以接於筐體(11)的內面的狀態設置的可撓性印刷配線板(12)。可撓性印刷配線板(12)，具有：絕緣層(124)，絕緣基材(121a)，圖案(121b)，複數發電元件(122)，及絕緣層(126)。絕緣層(124)，接於筐體(11)的底面(11a)。絕緣基材(121a)，設於絕緣層(124)上，具有柔軟性。圖案(121b)，由導體所構成，設於絕緣基材(121a)上。複數發電元件(122)，被安裝於圖案(121b)上。絕緣層(126)，以覆蓋除了圖案(121b)表面之被安裝複數發電元件(122)的部分以外的部分全體的方式設置。
简体摘要：集光型太阳光发电模块(1M)，具备：金属所构成的器状的筐体(11)，以及以接于筐体(11)的内面的状态设置的可挠性印刷配线板(12)。可挠性印刷配线板(12)，具有：绝缘层(124)，绝缘基材(121a)，图案(121b)，复数发电组件(122)，及绝缘层(126)。绝缘层(124)，接于筐体(11)的底面(11a)。绝缘基材(121a)，设于绝缘层(124)上，具有柔软性。图案(121b)，由导体所构成，设于绝缘基材(121a)上。复数发电组件(122)，被安装于图案(121b)上。绝缘层(126)，以覆盖除了图案(121b)表面之被安装复数发电组件(122)的部分以外的部分全体的方式设置。

2. 发明专利

TW201041014A 磊晶晶圓之形成方法及半導體元件之製作方法审中-公开
简体标题：磊晶晶圆之形成方法及半导体组件之制作方法
公开(公告)号：TW201041014A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099104758
申请日：2010-02-12
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：橋本信 , 秋田勝史 , 元木健作 , 中幡英章 , 藤原伸介
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
摘要：本發明提供一種可於氧化鎵區域上沈積結晶品質良好的氮化鎵系半導體之磊晶晶圓之形成方法。於步驟S107中,成長AlN緩衝層13。於步驟S108中,於時刻t5,除氮氣以外,亦向成長爐10內供給含有氫氣、三甲基鋁及氨氣之原料氣體G1,於主面11a上成長AlN緩衝層13。AlN緩衝層13被稱作所謂的低溫緩衝層。於開始成膜緩衝層13之後,於步驟S109中,於時刻t6開始供給氫氣(H2)。於時刻t6,向成長爐10內供給H2、N2、TMA及NH3。於時刻t6~t7之間增加氫氣之供給量,於時刻t7停止增加氫氣而供給一定量之氫氣。於時刻t7,向成長爐10內供給H2、TMA及NH3。
简体摘要：本发明提供一种可于氧化镓区域上沉积结晶品质良好的氮化镓系半导体之磊晶晶圆之形成方法。于步骤S107中,成长AlN缓冲层13。于步骤S108中,于时刻t5,除氮气以外,亦向成长炉10内供给含有氢气、三甲基铝及氨气之原料气体G1,于主面11a上成长AlN缓冲层13。AlN缓冲层13被称作所谓的低温缓冲层。于开始成膜缓冲层13之后,于步骤S109中,于时刻t6开始供给氢气(H2)。于时刻t6,向成长炉10内供给H2、N2、TMA及NH3。于时刻t6~t7之间增加氢气之供给量,于时刻t7停止增加氢气而供给一定量之氢气。于时刻t7,向成长炉10内供给H2、TMA及NH3。

3. 发明专利

TW201036217A 磊晶晶圓、氮化鎵系半導體裝置之製作方法、氮化鎵系半導體裝置、及氧化鎵晶圓失效
简体标题：磊晶晶圆、氮化镓系半导体设备之制作方法、氮化镓系半导体设备、及氧化镓晶圆
公开(公告)号：TW201036217A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099103824
申请日：2010-02-08
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：橋本信 , 秋田勝史 , 藤原伸介 , 中幡英章 , 元木健作
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/16
摘要：本發明提供一種包含設置於氧化鎵晶圓上且含有平坦之c面之氮化鎵系半導體膜的氮化鎵系半導體裝置。發光二極體LED包含:氧化鎵支持基體32,其含有包含單斜晶系氧化鎵之主面32a;及包含III族氮化物之積層結構33。積層結構33之半導體台面包含:低溫GaN緩衝層35、n型GaN層37、量子井結構之活性層39、及p型氮化鎵系半導體層37。p型氮化鎵系半導體層37例如包含p型AlGaN電子阻擋層及p型GaN接觸層。氧化鎵支持基體32之主面32a相對於單斜晶系氧化鎵之(100)面以2度以上且4度以下之角度傾斜。藉由該傾斜而使於氧化鎵支持基體主面32a上磊晶成長之氮化鎵系半導體含有平坦之表面。
简体摘要：本发明提供一种包含设置于氧化镓晶圆上且含有平坦之c面之氮化镓系半导体膜的氮化镓系半导体设备。发光二极管LED包含:氧化镓支持基体32,其含有包含单斜晶系氧化镓之主面32a;及包含III族氮化物之积层结构33。积层结构33之半导体台面包含:低温GaN缓冲层35、n型GaN层37、量子井结构之活性层39、及p型氮化镓系半导体层37。p型氮化镓系半导体层37例如包含p型AlGaN电子阻挡层及p型GaN接触层。氧化镓支持基体32之主面32a相对於单斜晶系氧化镓之(100)面以2度以上且4度以下之角度倾斜。借由该倾斜而使于氧化镓支持基体主面32a上磊晶成长之氮化镓系半导体含有平坦之表面。

4. 发明专利

TW201009134A ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ單晶之製造方法、ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ單晶及光學透鏡审中-公开
简体标题：ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶之制造方法、ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶及光学透镜
公开(公告)号：TW201009134A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098122060
申请日：2009-06-30
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：荒川聰 , 櫻田隆 , 山本喜之 , 佐藤一成 , 谷崎圭祐 , 中幡英章 , 水原奈保 , 宮永倫正
IPC分类号： C30B , G02B
CPC分类号： G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B3/00 , G02B13/143 , Y10T428/21 , Y10T428/24355
摘要：本發明之AlxGa(1-x)N(0＜x≦1)單晶(10)之製造方法係藉由昇華法使AlxGa(1-x)N單晶(10)成長者，其包括如下步驟：準備基礎基板；準備高純度之原料；及使原料昇華而使AlxGa(1-x)N單晶(10)成長於基礎基板上。又，AlxGa(1-x)N單晶(10)中，以300 K測定之對250 nm以上、300 nm以下之波長之光的折射率為2.4以上，且對超過300 nm、未達350 nm之波長之光的折射率為2.3以上。
简体摘要：本发明之AlxGa(1-x)N(0＜x≦1)单晶(10)之制造方法系借由升华法使AlxGa(1-x)N单晶(10)成长者，其包括如下步骤：准备基础基板；准备高纯度之原料；及使原料升华而使AlxGa(1-x)N单晶(10)成长于基础基板上。又，AlxGa(1-x)N单晶(10)中，以300 K测定之对250 nm以上、300 nm以下之波长之光的折射率为2.4以上，且对超过300 nm、未达350 nm之波长之光的折射率为2.3以上。

6. 发明专利

TW201534852A 集光型太陽光發電模組，集光型太陽光發電面板及集光型太陽光發電模組用可撓性印刷配線板审中-公开
简体标题：集光型太阳光发电模块，集光型太阳光发电皮肤及集光型太阳光发电模块用可挠性印刷配线板
公开(公告)号：TW201534852A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103118091
申请日：2014-05-23
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤健司 , SAITO, KENJI , 岩崎孝 , IWASAKI, TAKASHI , 鳥谷和正 , TOYA, KAZUMASA , 安彥義哉 , ABIKO, YOSHIYA , 弘津硏一 , HIROTSU, KENICHI , 永井陽一 , NAGAI, YOUICHI , 中幡英章 , NAKAHATA, HIDEAKI , 三上塁 , MIKAMI, RUI
IPC分类号： F24J2/08 , H02S40/36 , H01L31/0525 , H01L31/054 , F24J2/38
CPC分类号： H01L31/048 , H01L31/02008 , H01L31/0201 , H01L31/044 , H01L31/0508 , H01L31/0543 , H02S20/32 , Y02E10/52
摘要：一種集光型太陽光發電模組，具備：接於筐體的底面而設置的可撓性印刷配線板，集光太陽光的透鏡要素排列複數個而形成的1次集光部；可撓性印刷配線板，具備：絕緣基材及導電性圖案，與透鏡要素之各個對應而在圖案上設置複數個之發電元件，覆蓋而密封絕緣基材上之包含圖案的導電部，作為具有絕緣性及特定值以下的低吸水率的覆蓋層之包覆層(cover lay)，以及使絕緣基材與覆蓋層相互接著，具有絕緣性及前述特定值以下的低吸水率的接著層。
简体摘要：一种集光型太阳光发电模块，具备：接于筐体的底面而设置的可挠性印刷配线板，集光太阳光的透镜要素排列复数个而形成的1次集光部；可挠性印刷配线板，具备：绝缘基材及导电性图案，与透镜要素之各个对应而在图案上设置复数个之发电组件，覆盖而密封绝缘基材上之包含图案的导电部，作为具有绝缘性及特定值以下的低吸水率的覆盖层之包覆层(cover lay)，以及使绝缘基材与覆盖层相互接着，具有绝缘性及前述特定值以下的低吸水率的接着层。

7. 发明专利

TWI371867B 半導體發光裝置 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE 失效
简体标题：半导体发光设备 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TWI371867B
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW094111423
申请日：2005-04-11
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：上松康二 , 上野昌紀 , 弘田龍 , 中幡英章 , 奧井學
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/16 , H01L33/32
摘要：本發明提供一種半導體發光裝置，其中作用層中產生的自發電場被減小而實現增強亮度。半導體發光裝置(1)具有一n－型覆蓋層(3)、一在該n－型覆蓋層(3)上所提供之p－型覆蓋層(7)及一由氮化物組成並在該n－型覆蓋層(3)與該p－型覆蓋層(7)之間所提供之作用層(5)，且其中之特徵在於，由正交於該n－型覆蓋層(3)與該作用層(5)之間之界面之軸線與該作用層(5)中之c軸線所形成之角度，以及由正交於該作用層(5)與該p－型覆蓋層(7)之間之界面之軸線與該作用層(5)中之c軸線所形成之角度皆大於零。
简体摘要：本发明提供一种半导体发光设备，其中作用层中产生的自发电场被减小而实现增强亮度。半导体发光设备(1)具有一n－型覆盖层(3)、一在该n－型覆盖层(3)上所提供之p－型覆盖层(7)及一由氮化物组成并在该n－型覆盖层(3)与该p－型覆盖层(7)之间所提供之作用层(5)，且其中之特征在于，由正交于该n－型覆盖层(3)与该作用层(5)之间之界面之轴线与该作用层(5)中之c轴线所形成之角度，以及由正交于该作用层(5)与该p－型覆盖层(7)之间之界面之轴线与该作用层(5)中之c轴线所形成之角度皆大于零。

8. 发明专利

TW201214733A 受光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：受光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201214733A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100122953
申请日：2011-06-29
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：秋田勝史 , 石塚貴司 , 藤井慧 , 中幡英章 , 永井陽一 , 稻田博史 , 豬口康博
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/18 , H01L31/1844 , Y02E10/544
摘要：本發明提供一種於自包含波長為1.3 μm之短波長側至長波長側之近紅外域之範圍內抑制了受光靈敏度之變動的受光元件及其製造方法。該受光元件之特徵在於，其係於InP基板之上設有含有GaAsSb層與InGaAs層之重複構造之類型II之多重量子井構造的受光層、且於包含波長為1.3 μm及2.0 μm之近紅外域具有受光靈敏度者，將上述波長為1.3 μm之受光靈敏度與波長為2.0 μm之受光靈敏度之比設為0.5以上且1.6以下。
简体摘要：本发明提供一种于自包含波长为1.3 μm之短波长侧至长波长侧之近红外域之范围内抑制了受光灵敏度之变动的受光组件及其制造方法。该受光组件之特征在于，其系于InP基板之上设有含有GaAsSb层与InGaAs层之重复构造之类型II之多重量子井构造的受光层、且于包含波长为1.3 μm及2.0 μm之近红外域具有受光灵敏度者，将上述波长为1.3 μm之受光灵敏度与波长为2.0 μm之受光灵敏度之比设为0.5以上且1.6以下。

9. 发明专利

TW201016905A 氮化物基板之製造方法及氮化物基板审中-公开
简体标题：氮化物基板之制造方法及氮化物基板
公开(公告)号：TW201016905A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098129414
申请日：2009-09-01
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：荒川聰 , 宮永倫正 , 櫻田隆 , 山本喜之 , 中幡英章
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L21/02021 , C30B25/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02013 , H01L21/02389
摘要：本發明之氮化物基板(10)之製造方法包括以下步驟：首先，使氮化物結晶成長；接著，自氮化物結晶切出包含表面(11)之氮化物基板(10)。於該切出步驟中，以使與表面(11)正交之軸和m軸或者a軸所成之偏離角大於0之方式切出氮化物基板(10)。又，在使氮化物結晶於c軸方向上成長時，於切出步驟中，沿著通過氮化物結晶之表面及背面、且不通過連接氮化物結晶之表面及背面之曲率半徑之中心之線段的平面，自氮化物結晶切出氮化物基板(10)。
简体摘要：本发明之氮化物基板(10)之制造方法包括以下步骤：首先，使氮化物结晶成长；接着，自氮化物结晶切出包含表面(11)之氮化物基板(10)。于该切出步骤中，以使与表面(11)正交之轴和m轴或者a轴所成之偏离角大于0之方式切出氮化物基板(10)。又，在使氮化物结晶于c轴方向上成长时，于切出步骤中，沿着通过氮化物结晶之表面及背面、且不通过连接氮化物结晶之表面及背面之曲率半径之中心之线段的平面，自氮化物结晶切出氮化物基板(10)。

10. 发明专利

TW201626707A 變壓裝置审中-公开
简体标题：变压设备
公开(公告)号：TW201626707A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104135872
申请日：2015-10-30
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , 國立大學法人豐橋技術科學大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
发明人：中幡英章 , NAKAHATA, HIDEAKI , 初川聡 , HATSUKAWA, SATOSHI , 弘津研一 , HIROTSU, KENICHI , 大平孝 , OHIRA, TAKASHI , 山田恭平 , YAMADA, KYOHEI , 江頭大也 , EGASHIRA, DAIYA
IPC分类号： H02M5/10
CPC分类号： H02M1/08 , H02M3/158 , H02M5/293
摘要：在前階電路方面，具備：第奇數個開關與第偶數個開關係交互導通動作，整體上相對於電源而並聯連接的開關串聯體；使各開關的相互連接點及開關串聯體的兩端點為合計m個節點，且使兩端點的任一方為接地節點，而設於整束奇數節點而導往第1輸出埠的第1電路、及整束偶數節點而導往第2輸出埠的第2電路中的至少一方的電路上，對應存在於接地節點以外的(m-1)個節點的電容器；以及不經由電容器下，使接地節點直接連結於第1輸出埠的接地電路。此外，在後階電路方面，具備：將互相進行反極性的通電動作的一對的半導體元件互相串聯連接而成，串聯體的一端連接於第1輸出埠及負載的接地端，串聯體的另一端連接於第2輸出埠的元件串聯體；以及分別設於將元件串聯體的非接地端導往負載的接地端的第3電路、及將一對的半導體元件的相互連接點導往負載的非接地端的第4電路的電感器。
简体摘要：在前阶电路方面，具备：第奇数个开关与第偶数个开关系交互导通动作，整体上相对于电源而并联连接的开关串联体；使各开关的相互连接点及开关串联体的两端点为合计m个节点，且使两端点的任一方为接地节点，而设于整束奇数节点而导往第1输出端口的第1电路、及整束偶数节点而导往第2输出端口的第2电路中的至少一方的电路上，对应存在于接地节点以外的(m-1)个节点的电容器；以及不经由电容器下，使接地节点直接链接于第1输出端口的接地电路。此外，在后阶电路方面，具备：将互相进行反极性的通电动作的一对的半导体组件互相串联连接而成，串联体的一端连接于第1输出端口及负载的接地端，串联体的另一端连接于第2输出端口的组件串联体；以及分别设于将组件串联体的非接地端导往负载的接地端的第3电路、及将一对的半导体组件的相互连接点导往负载的非接地端的第4电路的电感器。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式