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1. 发明专利

TW201319142A 含有硼烷化合物及共軛高分子化合物的組成物以及元件审中-公开
简体标题：含有硼烷化合物及共轭高分子化合物的组成物以及组件
公开(公告)号：TW201319142A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101131511
申请日：2012-08-30
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED , 國立大學法人北海道大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION HOKKAIDO UNIVERSITY
发明人：石井佑典 , ISHII, YUSUKE , 喜多村昇 , KITAMURA, NOBORU , 作田繪里 , SAKUDA, ERI , 伊藤亮孝 , ITO, AKITAKA , 川西一嘉 , KAWANISHI, KAZUYOSHI
IPC分类号： C08K5/55 , C08G61/10 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： C09K11/02 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/411 , C08G2261/5242 , C08G2261/95 , C08K5/0091 , C08K5/55 , C08L65/00 , C09K11/025 , C09K11/06 , H01L51/0035 , H01L51/0095 , H01L51/5012
摘要：本發明係提供一種能夠製造亮度半衰壽命長的有機電致發光元件之有機材料。該材料係一種組成物，其中含有以下述式(B1)表示之硼烷化合物： [式中，3個ArB1係表示伸芳基或2價芳香族雜環基，3個XB1係表示芳香族胺基、1價芳香族雜環基、烷基、或氫原子]；及以下述式(P1)表示之共軛高分子化合物： [式中，Arp1係表示伸芳基(但是與Flup1不同)，Flup1係表示茀二基，Hetp1係表示2價芳香族雜環基，Amp1係表示2價芳香族胺殘基。nAr、nFlu、nHet及nAm係表示Arp1、Flup1、Hetp1及Amp1的莫耳比之數目，設nAr+nFlu+nHet+nAm=1時，其係滿足0.4≦nFlu≦1、0≦nAr≦0.6、0≦nHet≦0.6、及0≦nAm≦0.6]。
简体摘要：本发明系提供一种能够制造亮度半衰寿命长的有机电致发光组件之有机材料。该材料系一种组成物，其中含有以下述式(B1)表示之硼烷化合物： [式中，3个ArB1系表示伸芳基或2价芳香族杂环基，3个XB1系表示芳香族胺基、1价芳香族杂环基、烷基、或氢原子]；及以下述式(P1)表示之共轭高分子化合物： [式中，Arp1系表示伸芳基(但是与Flup1不同)，Flup1系表示茀二基，Hetp1系表示2价芳香族杂环基，Amp1系表示2价芳香族胺残基。nAr、nFlu、nHet及nAm系表示Arp1、Flup1、Hetp1及Amp1的莫耳比之数目，设nAr+nFlu+nHet+nAm=1时，其系满足0.4≦nFlu≦1、0≦nAr≦0.6、0≦nHet≦0.6、及0≦nAm≦0.6]。

2. 发明专利

TW201532332A 金屬錯合體及使用該金屬錯合體之發光元件审中-公开
简体标题：金属错合体及使用该金属错合体之发光组件
公开(公告)号：TW201532332A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW104100219
申请日：2015-01-06
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：斎藤孝和 , SAITO, TAKAKAZU , 石井佑典 , ISHII, YUSUKE , 大内一栄 , OHUCHI, KAZUEI , 浅田浩平 , ASADA, KOHEI , 秋野喜彦 , AKINO, NOBUHIKO
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/54
CPC分类号： H01L51/0085 , C07F15/0033 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/5016
摘要：本發明係提供下述式(1)所示之金屬錯合體。 [式中，M係表示銥原子或鉑原子。 n1係表示1、2或3。n2係表示0、1或2。 E1至E4係表示氮原子或碳原子。 R1至R10係表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基或鹵原子。選自由R1至R4所組成群組之至少1個為下述式(D-A)或(D-B)所示之基。 Xa及Xb係表示直接鍵結、氧原子、硫原子、-C(=O)-、-CRXa2-或-NRXa-。RXa係表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基。但是，Xa及Xb之至少一者為氧原子、硫原子、-C(=O)-、-CRXa2-或-NRXa-。 A1-G1-A2係表示陰離子性的雙牙配位基，G1係表示與A1及A2一起構成雙牙配位基之原子團。A1及A2係表示碳原子、氧原子或氮原子。] [式中，mDA1至mDA7係表示0以上的整數。 GDA係表示芳香族烴基或雜環基。 ArDA1至ArDA7係表示伸芳基或2價雜環基。 TDA係表示芳基或1價雜環基。]
简体摘要：本发明系提供下述式(1)所示之金属错合体。 [式中，M系表示铱原子或铂原子。 n1系表示1、2或3。n2系表示0、1或2。 E1至E4系表示氮原子或碳原子。 R1至R10系表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、1价杂环基或卤原子。选自由R1至R4所组成群组之至少1个为下述式(D-A)或(D-B)所示之基。 Xa及Xb系表示直接键结、氧原子、硫原子、-C(=O)-、-CRXa2-或-NRXa-。RXa系表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或1价杂环基。但是，Xa及Xb之至少一者为氧原子、硫原子、-C(=O)-、-CRXa2-或-NRXa-。 A1-G1-A2系表示阴离子性的双牙配位基，G1系表示与A1及A2一起构成双牙配位基之原子团。A1及A2系表示碳原子、氧原子或氮原子。] [式中，mDA1至mDA7系表示0以上的整数。 GDA系表示芳香族烃基或杂环基。 ArDA1至ArDA7系表示伸芳基或2价杂环基。 TDA系表示芳基或1价杂环基。]

3. 发明专利

TWI538561B 有機電激發光元件有权
简体标题：有机电激发光组件
公开(公告)号：TWI538561B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW099135912
申请日：2010-10-21
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：曾我雅之 , SOGA, MASAYUKI , 石井佑典 , ISHII, YUSUKE
IPC分类号： H05B33/22 , C09K11/62 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： C07D213/22 , C07D251/16 , C07D265/38 , C08G61/12 , C08G61/122 , C08G2261/135 , C08G2261/141 , C08G2261/3162 , C08G2261/3221 , C08K5/3432 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , C08L65/00

4. 发明专利

TWI671927B 金屬錯合體及使用該金屬錯合體之發光元件有权
简体标题：金属错合体及使用该金属错合体之发光组件
公开(公告)号：TWI671927B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104100219
申请日：2015-01-06
申请人：日商住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：斎藤孝和 , SAITO, TAKAKAZU , 石井佑典 , ISHII, YUSUKE , 大内一栄 , OHUCHI, KAZUEI , 浅田浩平 , ASADA, KOHEI , 秋野喜彦 , AKINO, NOBUHIKO
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/54

5. 发明专利

TWI653236B 金屬錯合物及使用該金屬錯合物之發光元件有权
简体标题：金属错合物及使用该金属错合物之发光组件
公开(公告)号：TWI653236B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW104130414
申请日：2015-09-15
申请人：日商住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：斎藤孝和 , SAITO, TAKAKAZU , 石井佑典 , ISHII, YUSUKE , 大内一栄 , OHUCHI, KAZUEI , 秋野喜彦 , AKINO, NOBUHIKO , 石川塁 , ISHIKAWA, RUI
IPC分类号： C07F15/00 , C07D213/16 , C07D215/04 , C07D401/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H05B33/14

6. 发明专利

TW201619175A 金屬錯合物及使用該金屬錯合物之發光元件审中-公开
简体标题：金属错合物及使用该金属错合物之发光组件
公开(公告)号：TW201619175A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104130414
申请日：2015-09-15
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：斎藤孝和 , SAITO, TAKAKAZU , 石井佑典 , ISHII, YUSUKE , 大内一栄 , OHUCHI, KAZUEI , 秋野喜彦 , AKINO, NOBUHIKO , 石川塁 , ISHIKAWA, RUI
IPC分类号： C07F15/00 , C07D213/16 , C07D215/04 , C07D401/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC分类号： H01L51/0085 , C07F15/00 , C07F15/0033 , C08G61/122 , C08G61/128 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/228 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3221 , C08G2261/95 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1059 , C09K2211/1074 , C09K2211/185 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/50 , H01L51/5016
摘要：本發明的課題是提供一種量子產率優異，且發射光譜的半峰全幅值優異的金屬錯合物。本發明的解決手段為提供以式(1)表示的金屬錯合物。 [式中，M是表示銥原子等。n1是表示1至3的整數。n2是表示0至2的整數。X1至X8是表示碳原子等。R1至R8是表示氫原子等。Xa及Xb的一方是表示單鍵，則另一方是表示-CR11R12-CR13R14-所示的基。R11至R14是表示烷基等。環A是表示芳香族雜環。A1-G1-A2是表示陰離子性的雙牙配位基。]
简体摘要：本发明的课题是提供一种量子产率优异，且发射光谱的半峰全幅值优异的金属错合物。本发明的解决手段为提供以式(1)表示的金属错合物。 [式中，M是表示铱原子等。n1是表示1至3的整数。n2是表示0至2的整数。X1至X8是表示碳原子等。R1至R8是表示氢原子等。Xa及Xb的一方是表示单键，则另一方是表示-CR11R12-CR13R14-所示的基。R11至R14是表示烷基等。环A是表示芳香族杂环。A1-G1-A2是表示阴离子性的双牙配位基。]

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