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    • 2. 发明专利
    • 共軛系化合物,以及使用此的有機薄膜及有機薄膜元件
    • 共轭系化合物,以及使用此的有机薄膜及有机薄膜组件
    • TW201235350A
    • 2012-09-01
    • TW100143161
    • 2011-11-24
    • 住友化學股份有限公司國立大學法人大阪大學
    • 家裕隆西田和史安蘇芳雄上田將人
    • C07DH01L
    • H01L51/0051C07D333/78C07D495/04C07D513/04H01L51/0068H01L51/0541H01L51/0545Y02E10/549Y02P70/521
    • 本發明係以提供可利用作為電子輸送性為優異之n型半導體,且對於溶劑之溶解性亦為優異之共軛系化合物為課題。較佳之實施型態相關之共軛系化合物,如式(I)所示。
      [R 01 及R 02 為含烷烴骨架之一價基,R 11 、R 12 、R 21 及R 22 為氫原子、鹵素原子或一價基,X 11 、X 12 、X 21 及X 22 為氧原子、硫原子或式(a)所示之基,惟,X 11 、X 12 、X 21 及X 22 中之一個為硫原子或式(a)所示之基。Z 1 及Z 2 示為式(i)~(ix)之任一種。Ar 0 、Ar 1 及Ar 2 示為芳香族烴基或雜環基。r示為1~6之整數,s及t示為0~6之整數。A示為氫原子、鹵素原子或一價基,A之一個為電子吸引性之基。R 3 、R 4 、R 5 及R 6 示為氫原子、鹵素原子或一價基]。
    • 本发明系以提供可利用作为电子输送性为优异之n型半导体,且对于溶剂之溶解性亦为优异之共轭系化合物为课题。较佳之实施型态相关之共轭系化合物,如式(I)所示。 [R 01 及R 02 为含烷烃骨架之一价基,R 11 、R 12 、R 21 及R 22 为氢原子、卤素原子或一价基,X 11 、X 12 、X 21 及X 22 为氧原子、硫原子或式(a)所示之基,惟,X 11 、X 12 、X 21 及X 22 中之一个为硫原子或式(a)所示之基。Z 1 及Z 2 示为式(i)~(ix)之任一种。Ar 0 、Ar 1 及Ar 2 示为芳香族烃基或杂环基。r示为1~6之整数,s及t示为0~6之整数。A示为氢原子、卤素原子或一价基,A之一个为电子吸引性之基。R 3 、R 4 、R 5 及R 6 示为氢原子、卤素原子或一价基]。