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1. 发明专利

TW201302670A 脂肪族胺配位鈰錯合物及含該錯合物之元件审中-公开
简体标题：脂肪族胺配位铈错合物及含该错合物之组件
公开(公告)号：TW201302670A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101117526
申请日：2012-05-17
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：倉持悠輔 , KURAMOCHI, YUSUKE , 東村秀之 , HIGASHIMURA, HIDEYUKI
IPC分类号： C07C211/65 , C07F5/00 , H01L51/50
CPC分类号： C09K11/06 , C07C211/65 , C07C309/06 , C07D487/08 , C07F5/003 , C09K2211/1466 , C09K2211/182 , H01L51/0089 , H01L51/5016
摘要：本發明係提供發光峰位於可見光區域，在可見光區域發光之鈰錯合物。該鈰錯合物係具有下述式(1)至(3)中任一者所示的配位子。 (式中，R1至R17分別獨立表示氫原子或可具有取代基之烴基，B1至B11、C1至C3分別獨立表示可具有取代基之烴二基，a、b、c、d、e及f分別獨立為1以上的整數。)
简体摘要：本发明系提供发光峰位于可见光区域，在可见光区域发光之铈错合物。该铈错合物系具有下述式(1)至(3)中任一者所示的配位子。 (式中，R1至R17分别独立表示氢原子或可具有取代基之烃基，B1至B11、C1至C3分别独立表示可具有取代基之烃二基，a、b、c、d、e及f分别独立为1以上的整数。)

2. 发明专利

TW201219412A 金屬複合體及使用該金屬複合體之發光元件审中-公开
简体标题：金属复合体及使用该金属复合体之发光组件
公开(公告)号：TW201219412A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100135102
申请日：2011-09-28
申请人：住友化學股份有限公司 , 國立大學法人廣島大學
发明人：倉持悠輔 , 東村秀之 , 大下淨治 , 小林憲史
IPC分类号： C07F , C09K , H01L , H05B
CPC分类号： C07F9/6561 , C07F9/65335 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1033 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/1096 , C09K2211/188 , H01L51/0091 , H01L51/5016 , H05B33/10
摘要：一種具有下述式(1)所示之結構之金屬複合體。
(式中，Ar 1 及Ar 2 表示單環式芳香族基。y為1或2。A 2 為直接鍵結、-O-、-S-、-N(R 1 )-、-Si(R 2 )(R 3 )-或-C(R 4 )(R 5 )-。R 1 、R 2 、R 3 、R 4 及R 5 表示氫原子、烴基或雜環基。m為1以上之整數。n為0以上之整數。Z 1 表示氮原子、磷原子、砷原子或銻原子。Z 2 表示氮原子、磷原子、砷原子或銻原子。R 6 、R 7 、R 8 及R 9 表示氫原子、烴基或雜環基。M 1 及M 2 表示金屬原子或金屬離子。L 1 及L 2 表示配位基。a及b表示0以上之整數。X 1 及X 2 表示烷基、烯基、炔基、芳基、雜環基或抗衡離子)。
简体摘要：一种具有下述式(1)所示之结构之金属复合体。 (式中，Ar 1 及Ar 2 表示单环式芳香族基。y为1或2。A 2 为直接键结、-O-、-S-、-N(R 1 )-、-Si(R 2 )(R 3 )-或-C(R 4 )(R 5 )-。R 1 、R 2 、R 3 、R 4 及R 5 表示氢原子、烃基或杂环基。m为1以上之整数。n为0以上之整数。Z 1 表示氮原子、磷原子、砷原子或锑原子。Z 2 表示氮原子、磷原子、砷原子或锑原子。R 6 、R 7 、R 8 及R 9 表示氢原子、烃基或杂环基。M 1 及M 2 表示金属原子或金属离子。L 1 及L 2 表示配位基。a及b表示0以上之整数。X 1 及X 2 表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基或抗衡离子)。

3. 发明专利

TW201139613A 薄膜及使用於其之化合物审中-公开
简体标题：薄膜及使用于其之化合物
公开(公告)号：TW201139613A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100108149
申请日：2011-03-10
申请人：住友化學股份有限公司 , 國立大學法人廣島大學 , 國立大學法人山口大學
发明人：大下淨治 , 村藤俊宏 , 倉持悠輔 , 開高敬 , 東村秀之
IPC分类号： C09K , C07F , H01L
CPC分类号： C07F9/94 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , C09K2211/188 , H01L51/0077 , H01L51/5016 , H05B33/145
摘要：本發明之課題係使用資源量相對豐富之重金屬元素,提供一種表現出優異之發光特性的新穎材料。本發明之薄膜包含下述式(1)所表示之化合物:

(式中,Ar1、Ar2分別獨立地表示碳原子數3~30之芳香環;R1、R2表示取代基;a及b分別獨立地表示0~12之整數,當a為2以上時,各個R1可相互不同,2個R1可鍵結而形成環結構;當b為2以上時,各個R2可相互不同,2個R2可鍵結而形成環結構;A1表示直接鍵結、-O-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)2-、-PR3-、-NR4-、-C(-R5)2-中之任一者;R3表示氫原子或者取代基;R4表示氫原子或者取代基;R5表示氫原子或者取代基,2個R5可相互不同;E1表示碳原子數50以下之1價基;L1表示碳原子數50以下之配位子,c為0~3之整數;當c為2以上時,各個L1可相互不同;E1與Ar1之組合、及E1與Ar2之組合的各組合可形成鍵;於c為1~3之情形時,L1與E1之組合、L1與Ar1之組合、L1與Ar2之組合、及L1彼此之組合的各組合可形成鍵)。
简体摘要：本发明之课题系使用资源量相对丰富之重金属元素,提供一种表现出优异之发光特性的新颖材料。本发明之薄膜包含下述式(1)所表示之化合物: (式中,Ar1、Ar2分别独立地表示碳原子数3~30之芳香环;R1、R2表示取代基;a及b分别独立地表示0~12之整数,当a为2以上时,各个R1可相互不同,2个R1可键结而形成环结构;当b为2以上时,各个R2可相互不同,2个R2可键结而形成环结构;A1表示直接键结、-O-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)2-、-PR3-、-NR4-、-C(-R5)2-中之任一者;R3表示氢原子或者取代基;R4表示氢原子或者取代基;R5表示氢原子或者取代基,2个R5可相互不同;E1表示碳原子数50以下之1价基;L1表示碳原子数50以下之配位子,c为0~3之整数;当c为2以上时,各个L1可相互不同;E1与Ar1之组合、及E1与Ar2之组合的各组合可形成键;于c为1~3之情形时,L1与E1之组合、L1与Ar1之组合、L1与Ar2之组合、及L1彼此之组合的各组合可形成键)。

4. 发明专利

TW201302768A 鈰錯合物及含該鈰錯合物之有機電子元件审中-公开
简体标题：铈错合物及含该铈错合物之有机电子组件
公开(公告)号：TW201302768A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101118476
申请日：2012-05-24
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：倉持悠輔 , KURAMOCHI, YUSUKE , 小林憲史 , KOBAYASHI, NORIFUMI , 東村秀之 , HIGASHIMURA, HIDEYUKI
IPC分类号： C07F5/00 , H01L51/50
CPC分类号： C07D403/14 , C07F5/00 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/0089 , H01L51/5012 , H05B33/10
摘要：本發明的目的是提供電子接受性及電洞接受性優異的鈰錯合物，而提供下述組成式(1)表示的鈰錯合物。 (M表示鈰離子，A表示碳原子、矽原子、氮原子、氮陽離子、硼陰離子、磷原子或P(=O)。z=4時，m=1至4，z=3時，m=1至3。D表示直接鍵或烴二基，G表示雜環基或氫原子，L表示含有具有2個以上氮原子的芳香6員環之基，X表示相對離子，L’表示單牙或2牙的配位子，a表示1至4的數字，b表示0至5的數字，c表示0至5的數字)。
简体摘要：本发明的目的是提供电子接受性及电洞接受性优异的铈错合物，而提供下述组成式(1)表示的铈错合物。 (M表示铈离子，A表示碳原子、硅原子、氮原子、氮阳离子、硼阴离子、磷原子或P(=O)。z=4时，m=1至4，z=3时，m=1至3。D表示直接键或烃二基，G表示杂环基或氢原子，L表示含有具有2个以上氮原子的芳香6员环之基，X表示相对离子，L’表示单牙或2牙的配位子，a表示1至4的数字，b表示0至5的数字，c表示0至5的数字)。

5. 发明专利

TW201100520A 具有含氮原子之芳香環配位子之金屬錯合物审中-公开
简体标题：具有含氮原子之芳香环配位子之金属错合物
公开(公告)号：TW201100520A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099112580
申请日：2010-04-21
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：倉持悠輔 , 小林憲史 , 東村秀之
IPC分类号： C09K , C07D , C07F
CPC分类号： C07D213/16 , C07D471/04 , C07D471/10 , C07F1/005 , C07F9/5022 , C07F9/5325 , C07F9/5765 , C07F9/582 , C07F9/60 , C07F9/62 , C07F9/65068 , C07F9/65335 , C07F9/65515 , C07F9/65517 , C07F9/65522 , C07F9/65683 , C07F9/6596 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/188 , H01L51/0091 , H01L51/0095 , H01L51/5016 , H05B33/14
摘要：一種金屬錯合物,其包含具有樹枝狀分子鏈之含氮芳香環配位子與銅(I)離子或銀(I)離子,例如,組成式(8)所表示之金屬錯合物具有優異之耐熱性:

(式中,M+為銅(I)離子或銀(I)離子,L為配位子,X為相對離子。p為正數,q及r分別獨立為0以上之數。R表示氫原子、鹵素原子、氰基、硝基、羧基、胺基、醯胺基、矽烷基、羥基、醯基、烴基、烴氧基、烴硫基或雜環基。胺基、矽烷基、烴基、烴氧基及烴硫基可具有取代基)。
简体摘要：一种金属错合物,其包含具有树枝状分子链之含氮芳香环配位子与铜(I)离子或银(I)离子,例如,组成式(8)所表示之金属错合物具有优异之耐热性: (式中,M+为铜(I)离子或银(I)离子,L为配位子,X为相对离子。p为正数,q及r分别独立为0以上之数。R表示氢原子、卤素原子、氰基、硝基、羧基、胺基、酰胺基、硅烷基、羟基、酰基、烃基、烃氧基、烃硫基或杂环基。胺基、硅烷基、烃基、烃氧基及烃硫基可具有取代基)。

6. 发明专利

TW201245157A 金屬錯體及含該金屬錯體之有機電子元件 METAL COMPLEX AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE COMPRISING SAME 审中-公开
简体标题：金属错体及含该金属错体之有机电子组件 METAL COMPLEX AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE COMPRISING SAME
公开(公告)号：TW201245157A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101108592
申请日：2012-03-14
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：倉持悠輔 , 東村秀之
IPC分类号： C07D , C07F , C09K , H01L
CPC分类号： C09K11/06 , C07F9/65583 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/182 , H01L51/0089 , H01L51/5012 , H01L2251/308
摘要：一種下述組成式(1)所示之金屬錯體：M[L]a[X]b[L’]c [式(1)中，M表示鈰離子、鐠離子、鐿離子或是鎦離子，L表示下述式(2)所示之配位基，
(式(2)中，A 1 、A 2 及A 3 是各自獨立，表示可具有取代基的烴二基，或是直接結合，L 1 、L 2 及L 3 是各自獨立，表示氫原子或是配位基，但是，L 1 、L 2 及L 3 之至少1個表示具有取代基之雜環基作為配位基)，X表示相對離子，L’表示單牙或雙牙的配位基，a是正數，b及c是各自獨立，為0以上之數，L、X及L’為複數時，此等可相同也可相異]，相對於該金屬錯體的全部質量，在該金屬錯體所含之sp 3 碳原子的比率為22質量%以上。
简体摘要：一种下述组成式(1)所示之金属错体：M[L]a[X]b[L’]c [式(1)中，M表示铈离子、镨离子、镱离子或是镥离子，L表示下述式(2)所示之配位基， (式(2)中，A 1 、A 2 及A 3 是各自独立，表示可具有取代基的烃二基，或是直接结合，L 1 、L 2 及L 3 是各自独立，表示氢原子或是配位基，但是，L 1 、L 2 及L 3 之至少1个表示具有取代基之杂环基作为配位基)，X表示相对离子，L’表示单牙或双牙的配位基，a是正数，b及c是各自独立，为0以上之数，L、X及L’为复数时，此等可相同也可相异]，相对于该金属错体的全部质量，在该金属错体所含之sp 3 碳原子的比率为22质量%以上。

7. 发明专利

TW201121943A 多牙基配位體金屬錯合物审中-公开
简体标题：多牙基配位体金属错合物
公开(公告)号：TW201121943A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099137017
申请日：2010-10-28
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：倉持悠輔 , 石山武 , 東村秀之
IPC分类号： C07D , C07F , H01L
CPC分类号： C07D233/64 , C07D235/14 , C07D417/12 , C07F5/003 , C07F5/022 , C07F9/65583 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1044
摘要：本發明提供一種耐久性優異之金屬錯合物、及使用如此之金屬錯合物而製成之耐久性優異之元件等。具體而言，本發明提供一種金屬錯合物，其包含(a)含有包含選自由氮原子、氧原子及硫原子所組成群中之2個以上原子之芳香族雜環的5牙基以上之多牙基配位體，以及(b)選自由選自由鈰、鐠、鐿及鎦所組成群中之金屬之離子；本發明並提供含有金屬錯合物及電荷傳輸材料之組合物，使用金屬錯合物或組合物而成之有機薄膜，使用金屬錯合物、組合物或有機薄膜而成之元件。
简体摘要：本发明提供一种耐久性优异之金属错合物、及使用如此之金属错合物而制成之耐久性优异之组件等。具体而言，本发明提供一种金属错合物，其包含(a)含有包含选自由氮原子、氧原子及硫原子所组成群中之2个以上原子之芳香族杂环的5牙基以上之多牙基配位体，以及(b)选自由选自由铈、镨、镱及镥所组成群中之金属之离子；本发明并提供含有金属错合物及电荷传输材料之组合物，使用金属错合物或组合物而成之有机薄膜，使用金属错合物、组合物或有机薄膜而成之组件。

8. 发明专利

TW201035286A 有機電致發光元件审中-公开
简体标题：有机电致发光组件
公开(公告)号：TW201035286A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099101844
申请日：2010-01-22
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：倉持悠輔 , 小林憲史 , 東村秀之
IPC分类号： C09K , C08F , C07F , H01L
CPC分类号： C07D213/18 , C07D233/58 , C08G61/02 , C08G61/10 , C08G61/12 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/5242 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1466 , C09K2211/188 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/004 , H01L51/0091 , H01L51/5012 , H05B33/14
摘要：本發明提供一種有機電致發光元件，其於包含陽極及陰極之1對電極間夾持有含有以下述式(1)表示之金屬配位化合物之有機層。MLaXb (1) (式中，M為週期表第11族之金屬離子，L為以下述式(2)表示之配位體，X為陰離子，a、b如說明書中所定義)；[化1]
(式中，A為自下述式(3)或下述式(4)除去2個氫原子之2價基，D 1 、k 1 、m 1 、A、D 1 、Q 1 及Q 2 如說明書中所定義)；[化2]
(式中，X 1 、X 2 、X 3 、X 4 、X 5 、R 1 、R 5 、R 6 及R 9 如說明書中所定義)。
简体摘要：本发明提供一种有机电致发光组件，其于包含阳极及阴极之1对电极间夹持有含有以下述式(1)表示之金属配位化合物之有机层。MLaXb (1) (式中，M为周期表第11族之金属离子，L为以下述式(2)表示之配位体，X为阴离子，a、b如说明书中所定义)；[化1] (式中，A为自下述式(3)或下述式(4)除去2个氢原子之2价基，D 1 、k 1 、m 1 、A、D 1 、Q 1 及Q 2 如说明书中所定义)；[化2] (式中，X 1 、X 2 、X 3 、X 4 、X 5 、R 1 、R 5 、R 6 及R 9 如说明书中所定义)。

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