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1. 发明专利

TWI257577B 高比重觸控筆及高比重材料 HIGH-DENSITY STYLUS AND HIGH-DENSITY MATERIALS 失效
简体标题：高比重触摸笔及高比重材料 HIGH-DENSITY STYLUS AND HIGH-DENSITY MATERIALS
公开(公告)号：TWI257577B
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW093103403
申请日：2004-02-12
申请人：仁寶電腦工業股份有限公司 COMPAL ELECTRONICS, INC.
发明人：范光城 FAN, KUANG CHENG
IPC分类号： G06F , G06K
摘要：本發明揭露了一種高比重觸控筆及高比重材料，此高比重觸控筆使用一種包含高比重尼龍(66)、含玻纖尼龍(66)與高韌性尼龍(66)(Super Tough Nylon(66))成分的高比重材料。其中含玻纖尼龍(66)重量含量(%)範圍為約3%~50%之間，而高韌性尼龍(66)重量含量(%)範圍為約5%~50%之間。
简体摘要：本发明揭露了一种高比重触摸笔及高比重材料，此高比重触摸笔使用一种包含高比重尼龙(66)、含玻纤尼龙(66)与高韧性尼龙(66)(Super Tough Nylon(66))成分的高比重材料。其中含玻纤尼龙(66)重量含量(%)范围为约3%~50%之间，而高韧性尼龙(66)重量含量(%)范围为约5%~50%之间。

2. 实用新型

TWM241758U 觸控筆之筆尖組接結構 TOUCH PEN MODULE 失效
简体标题：触摸笔之笔尖组接结构 TOUCH PEN MODULE
公开(公告)号：TWM241758U
公开(公告)日：2004-08-21
申请号：TW092215294
申请日：2003-08-22
申请人：仁寶電腦工業股份有限公司 COMPAL ELECTRONICS, INC.
发明人：范光城 FAN, KUANG CHENG
IPC分类号： G06F , G06K
摘要：本創作揭露了一種觸控筆之筆尖組接結構。此觸控筆之筆尖組接結構包含筆身與筆尖，其中筆身上具有卡榫或凹槽，而筆尖相對具有凹槽或卡榫，筆身與筆尖係以卡榫嵌入凹槽而結合。
简体摘要：本创作揭露了一种触摸笔之笔尖组接结构。此触摸笔之笔尖组接结构包含笔身与笔尖，其中笔身上具有卡榫或凹槽，而笔尖相对具有凹槽或卡榫，笔身与笔尖系以卡榫嵌入凹槽而结合。

3. 发明专利

TWI288173B 熱界面材料與用於其中之填充物 THERMAL INTERFACE MATERIAL AND FILLER USED THEREIN 失效
简体标题：热界面材料与用于其中之填充物 THERMAL INTERFACE MATERIAL AND FILLER USED THEREIN
公开(公告)号：TWI288173B
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：TW094106403
申请日：2005-03-03
申请人：仁寶電腦工業股份有限公司 COMPAL ELECTRONICS, INC.
发明人：范光城 FAN, KUANG CHENG , 鄧拔龍 DENQ, BAR LONG , 郭芳伶 KUO, FANG LING
IPC分类号： C09K
CPC分类号： H01L23/3733 , H01L2924/0002 , Y10T428/2991 , H01L2924/00
摘要：一種用於熱界面材料之填充物，係由複數個導電顆粒以及形成於各導電顆粒表面的非導電薄膜所構成，以防止導電顆粒間電性導通。本發明一併提供一種包含上述填充物之熱界面材料。
简体摘要：一种用于热界面材料之填充物，系由复数个导电颗粒以及形成于各导电颗粒表面的非导电薄膜所构成，以防止导电颗粒间电性导通。本发明一并提供一种包含上述填充物之热界面材料。

4. 发明专利

TWI227319B 膜厚量測方法及微波量測設備 METHOD OF MEASURING FILM THICKNESS AND MICROWAVE MEASURING UNIT 失效
简体标题：膜厚量测方法及微波量测设备 METHOD OF MEASURING FILM THICKNESS AND MICROWAVE MEASURING UNIT
公开(公告)号：TWI227319B
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW092115651
申请日：2003-06-10
申请人：仁寶電腦工業股份有限公司 COMPAL ELECTRONICS, INC.
发明人：鄧拔龍 DENQ, BAR LONG , 范光城 FAN, KUANG CHENG
IPC分类号： G01B , G01R
摘要：一種膜厚量測方法及微波量測設備，係先提供一物體，再量測波長範圍在微波段的一訊號從一量測點到達物體表面所需的時間t0。然後，提供一待測物，其係經表面處理過的物體，其中物體表面具有一表面處理層物。之後，量測波長範圍在微波段的訊號從量測點到達待測物表面所需的時間t1，其中此處之訊號需與之前量測t0所用的訊號波長一樣。接著，利用訊號之波長λ與時間差(t0-t1)估算出物體的表面處理層物之膜厚d，其中估算公式為d=λ(t0-t1)。由於本發明透過訊號發射、反射及接收，並設定範圍在短波高頻之微波段來量測膜厚，所以可輕易且精確測得較薄的膜厚。
简体摘要：一种膜厚量测方法及微波量测设备，系先提供一物体，再量测波长范围在微波段的一信号从一量测点到达物体表面所需的时间t0。然后，提供一待测物，其系经表面处理过的物体，其中物体表面具有一表面处理层物。之后，量测波长范围在微波段的信号从量测点到达待测物表面所需的时间t1，其中此处之信号需与之前量测t0所用的信号波长一样。接着，利用信号之波长λ与时间差(t0-t1)估算出物体的表面处理层物之膜厚d，其中估算公式为d=λ(t0-t1)。由于本发明透过信号发射、反射及接收，并设置范围在短波高频之微波段来量测膜厚，所以可轻易且精确测得较薄的膜厚。

5. 发明专利

TW200427965A 膜厚量測方法及微波量測設備 METHOD OF MEASURING FILM THICKNESS AND MICROWAVE MEASURING UNIT 失效
简体标题：膜厚量测方法及微波量测设备 METHOD OF MEASURING FILM THICKNESS AND MICROWAVE MEASURING UNIT
公开(公告)号：TW200427965A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW092115651
申请日：2003-06-10
申请人：仁寶電腦工業股份有限公司 COMPAL ELECTRONICS, INC.
发明人：鄧拔龍 DENQ, BAR LONG , 范光城 FAN, KUANG CHENG
IPC分类号： G01B , G01R
摘要：一種膜厚量測方法及微波量測設備，係先提供一物體，再量測波長範圍在微波段的一訊號從一量測點到達物體表面所需的時間t0。然後，提供一待測物，其係經表面處理過的物體，其中物體表面具有一表面處理層物。之後，量測波長範圍在微波段的訊號從量測點到達待測物表面所需的時間t1，其中此處之訊號需與之前量測t0所用的訊號波長一樣。接著，利用訊號之波長λ與時間差(t0–t1)估算出物體的表面處理層物之膜厚d，其中估算公式為d＝λ(t0–t1)。由於本發明透過訊號發射、反射及接收，並設定範圍在短波高頻之微波段來量測膜厚，所以可輕易且精確測得較薄的膜厚。
简体摘要：一种膜厚量测方法及微波量测设备，系先提供一物体，再量测波长范围在微波段的一信号从一量测点到达物体表面所需的时间t0。然后，提供一待测物，其系经表面处理过的物体，其中物体表面具有一表面处理层物。之后，量测波长范围在微波段的信号从量测点到达待测物表面所需的时间t1，其中此处之信号需与之前量测t0所用的信号波长一样。接着，利用信号之波长λ与时间差(t0–t1)估算出物体的表面处理层物之膜厚d，其中估算公式为d＝λ(t0–t1)。由于本发明透过信号发射、反射及接收，并设置范围在短波高频之微波段来量测膜厚，所以可轻易且精确测得较薄的膜厚。

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