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1. 发明专利

TW201814795A 薄膜電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201814795A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105141500
申请日：2016-12-13
申请人：中華映管股份有限公司 , CHUNGHWA PICTURE TUBES, LTD.
发明人：張錫明 , CHANG, HSI MING , 黃彥餘 , HUANG, YEN YU
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/786 , H01L21/31 , H01L21/304
CPC分类号： H01L29/42384 , H01L21/475 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L2029/42388
摘要：本發明提供一種薄膜電晶體及其製造方法。薄膜電晶體的製造方法包括下列步驟：依序形成閘極、第一絕緣層、第二絕緣層、金屬氧化物半導體層、第一蝕刻阻擋層、第二蝕刻阻擋層及光阻結構；以光阻結構為光罩，圖案化第二蝕刻阻擋層、第一蝕刻阻擋層及金屬氧化物半導體層，以形成準第二蝕刻阻擋圖案、準第一蝕刻阻擋圖案及金屬氧化物半導體圖案；以殘留的光阻結構的厚部為光罩，圖案化準第二蝕刻阻擋圖案及準第一蝕刻阻擋圖案，以形成第二蝕刻阻擋圖案及第一蝕刻阻擋圖案，並移除部分的第二絕緣層，以形成絕緣圖案；形成源極與汲極。
简体摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤：依序形成闸极、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物半导体层、第一蚀刻阻挡层、第二蚀刻阻挡层及光阻结构；以光阻结构为光罩，图案化第二蚀刻阻挡层、第一蚀刻阻挡层及金属氧化物半导体层，以形成准第二蚀刻阻挡图案、准第一蚀刻阻挡图案及金属氧化物半导体图案；以残留的光阻结构的厚部为光罩，图案化准第二蚀刻阻挡图案及准第一蚀刻阻挡图案，以形成第二蚀刻阻挡图案及第一蚀刻阻挡图案，并移除部分的第二绝缘层，以形成绝缘图案；形成源极与汲极。

2. 发明专利

TW201614850A 薄膜電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201614850A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW103134213
申请日：2014-10-01
申请人：中華映管股份有限公司 , CHUNGHWA PICTURE TUBES, LTD.
发明人：張錫明 , CHANG, HSI MING , 黃彥餘 , HUANG, YEN YU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L21/46 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/78624 , H01L29/7869
摘要：一種薄膜電晶體，適配置於一基板上，薄膜電晶體包括一閘極、一閘絕緣層、一第一源極/汲極、一半導體層及一第二源極/汲極。閘極配置於基板上。閘絕緣層覆蓋閘極以及基板。第一源極/汲極配置於閘絕緣層上。半導體層配置於閘極上方，半導體層從閘絕緣層延伸至第一源極/汲極上，半導體層包括位於第一源極/汲極的一第一部分以及與第一部分連接的一第二部分，其中第一部分的導電率大於第二部分的導電率。第二源極/汲極覆蓋並且接觸第二部分。本發明更提供薄膜電晶體的製造方法。
简体摘要：一种薄膜晶体管，适配置于一基板上，薄膜晶体管包括一闸极、一闸绝缘层、一第一源极/汲极、一半导体层及一第二源极/汲极。闸极配置于基板上。闸绝缘层覆盖闸极以及基板。第一源极/汲极配置于闸绝缘层上。半导体层配置于闸极上方，半导体层从闸绝缘层延伸至第一源极/汲极上，半导体层包括位于第一源极/汲极的一第一部分以及与第一部分连接的一第二部分，其中第一部分的导电率大于第二部分的导电率。第二源极/汲极覆盖并且接触第二部分。本发明更提供薄膜晶体管的制造方法。

3. 发明专利

TW201606861A 薄膜電晶體的製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：TW201606861A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW103126941
申请日：2014-08-06
申请人：中華映管股份有限公司 , CHUNGHWA PICTURE TUBES, LTD.
发明人：張錫明 , CHANG, HSI MING , 黃彥餘 , HUANG, YEN YU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
摘要：一種薄膜電晶體的製造方法，包括：於基板上形成閘極電極；於基板上形成閘極絕緣層覆蓋閘極電極；於閘極絕緣層上形成通道層，且通道層位在閘極電極上方；於閘極絕緣層上形成蝕刻阻擋層覆蓋通道層並使通道層的第一部位顯露於外；於閘極絕緣層上形成第一電極覆蓋並接觸第一部位；去除部分蝕刻阻擋層以暴露通道層的第二部位；於閘極絕緣層上形成第二電極覆蓋並接觸第二部位。
简体摘要：一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成闸极电极；于基板上形成闸极绝缘层覆盖闸极电极；于闸极绝缘层上形成信道层，且信道层位在闸极电极上方；于闸极绝缘层上形成蚀刻阻挡层覆盖信道层并使信道层的第一部位显露于外；于闸极绝缘层上形成第一电极覆盖并接触第一部位；去除部分蚀刻阻挡层以暴露信道层的第二部位；于闸极绝缘层上形成第二电极覆盖并接触第二部位。

4. 发明专利

TWI405978B 阻抗量測裝置、顯示面板及接合阻抗的量測方法有权
简体标题：阻抗量测设备、显示皮肤及接合阻抗的量测方法
公开(公告)号：TWI405978B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW098116545
申请日：2009-05-19
申请人：中華映管股份有限公司 , CHUNGHWA PICTURE TUBES, LTD.
发明人：張錫明 , CHANG, HSI MING
IPC分类号： G01R27/02 , G01R31/02
CPC分类号： G01R31/046 , G09G3/006

5. 发明专利

TWI402596B 具有電容補償的畫素結構有权
简体标题：具有电容补偿的像素结构
公开(公告)号：TWI402596B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW098133375
申请日：2009-10-01
申请人：中華映管股份有限公司 , CHUNGHWA PICTURE TUBES, LTD.
发明人：張錫明 , CHANG, HSI MING
IPC分类号： G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/124 , H01L29/41733

6. 发明专利

TW201232128A 畫素結構的製作方法以及畫素結構 METHOD OF FABRICATING PIXEL STRUCTURE AND PIXEL STRUCTURE 审中-公开
简体标题：像素结构的制作方法以及像素结构 METHOD OF FABRICATING PIXEL STRUCTURE AND PIXEL STRUCTURE
公开(公告)号：TW201232128A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100102952
申请日：2011-01-26
申请人：中華映管股份有限公司
发明人：蔡耀仁 , 張錫明 , 黃彥餘
IPC分类号： G02F
摘要：一種畫素結構的製作方法,其包括下列步驟。於一基板上形成一主動元件。於主動元件上形成一圖案化介電層。於圖案化介電層的表面上形成一第一圖案化透明電極,且第一圖案化透明電極與主動元件電性連接。對第一圖案化透明電極進行一第一高溫製程,以使第一圖案化透明電極結晶化。於結晶化的第一圖案化透明電極的表面上形成一第二圖案化透明電極,且第二圖案化透明電極的圖案與第二圖案化透明電極的圖案實質上相同。對第二圖案化透明電極進行一第二高溫製程,其中第二高溫製程的溫度小於第一高溫製程的溫度。此外,本發明另提出一種利用上述製作方法所製作出來的畫素結構。
简体摘要：一种像素结构的制作方法,其包括下列步骤。于一基板上形成一主动组件。于主动组件上形成一图案化介电层。于图案化介电层的表面上形成一第一图案化透明电极,且第一图案化透明电极与主动组件电性连接。对第一图案化透明电极进行一第一高温制程,以使第一图案化透明电极结晶化。于结晶化的第一图案化透明电极的表面上形成一第二图案化透明电极,且第二图案化透明电极的图案与第二图案化透明电极的图案实质上相同。对第二图案化透明电极进行一第二高温制程,其中第二高温制程的温度小于第一高温制程的温度。此外,本发明另提出一种利用上述制作方法所制作出来的像素结构。

7. 发明专利

TW201209784A 陣列基板及其製作方法 ARRAY SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：数组基板及其制作方法 ARRAY SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201209784A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW099128617
申请日：2010-08-26
申请人：中華映管股份有限公司
发明人：張錫明
IPC分类号： G09F , G02F
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1244
摘要：一種陣列基板,包含:一基板,基板上設有一薄膜電晶體包含一一汲極電極,一有機材料層覆蓋基板和薄膜電晶體,一開口貫穿有機材料層並且汲極電極經由開口曝露出來,一無機材料層至少覆蓋開口之側壁與部分之有機材料層,並且汲極電極經由開口曝露出來以及一圖案化透明畫素電極層位於前述無機材料層上以及開口中並且接觸汲極電極。
简体摘要：一种数组基板,包含:一基板,基板上设有一薄膜晶体管包含一一汲极电极,一有机材料层覆盖基板和薄膜晶体管,一开口贯穿有机材料层并且汲极电极经由开口曝露出来,一无机材料层至少覆盖开口之侧壁与部分之有机材料层,并且汲极电极经由开口曝露出来以及一图案化透明像素电极层位于前述无机材料层上以及开口中并且接触汲极电极。

8. 发明专利

TW201111884A 畫素陣列 PIXEL ARRAY 审中-公开
简体标题：像素数组 PIXEL ARRAY
公开(公告)号：TW201111884A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW098131391
申请日：2009-09-17
申请人：中華映管股份有限公司
发明人：張錫明
IPC分类号： G02F
CPC分类号： H01L27/3276 , G02F1/136286 , G02F2201/40
摘要：一種畫素陣列，其包括多條第一訊號線、多條第二訊號線、多個開關元件及多個畫素單元。第一訊號線及第二訊號線佈局於不同的膜層上，畫素單元透過開關元件耦接至第一訊號線及第二訊號線。每一畫素單元包括一共用電極線，其中在第i列的每一畫素單元中，共用電極線具有彼此連接但佈局於不同的膜層上的至少一第一線段及至少一第二線段，且第(i-1)條第一訊號線與第一線段兩者之間的距離不等於第(i-1)條第一訊號線與第二線段兩者之間的距離。第一訊號線為該畫素陣列的多條掃描線或多條資料線兩者其一，第二訊號線為掃描線或資料線兩者另一。
简体摘要：一种像素数组，其包括多条第一信号线、多条第二信号线、多个开关组件及多个像素单元。第一信号线及第二信号线布局于不同的膜层上，像素单元透过开关组件耦接至第一信号线及第二信号线。每一像素单元包括一共享电极线，其中在第i列的每一像素单元中，共享电极线具有彼此连接但布局于不同的膜层上的至少一第一线段及至少一第二线段，且第(i-1)条第一信号线与第一线段两者之间的距离不等于第(i-1)条第一信号线与第二线段两者之间的距离。第一信号线为该像素数组的多条扫描线或多条数据线两者其一，第二信号线为扫描线或数据线两者另一。

9. 发明专利

TW201024833A 主動陣列式顯示器之切換元件結構 SWITCHING DEVICE STRUCTURE OF ACTIVE MATRIX TYPE DISPLAY 审中-公开
简体标题：主动数组式显示器之切换组件结构 SWITCHING DEVICE STRUCTURE OF ACTIVE MATRIX TYPE DISPLAY
公开(公告)号：TW201024833A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW097150626
申请日：2008-12-25
申请人：中華映管股份有限公司
发明人：張錫明
IPC分类号： G02F
CPC分类号： H01L27/124 , H01L29/42384
摘要：本發明提供一種主動陣列式顯示器之切換元件結構,包含有一基板、複數條沿一第一方向設置於基板上之切換元件閘極連接線段以及複數個沿第一方向設置於基板上之切換元件。各切換元件包含有一閘極電極,電性連接至任二相鄰之切換元件閘極連接線段,且閘極電極係沿一第二方向突出於切換元件閘極連接線段之至少一側。
简体摘要：本发明提供一种主动数组式显示器之切换组件结构,包含有一基板、复数条沿一第一方向设置于基板上之切换组件闸极连接线段以及复数个沿第一方向设置于基板上之切换组件。各切换组件包含有一闸极电极,电性连接至任二相邻之切换组件闸极连接线段,且闸极电极系沿一第二方向突出于切换组件闸极连接线段之至少一侧。

10. 发明专利

TW201017259A 檢測複數個切換元件間耦合效應的線路及方法 CIRCUITRY FOR INSPECTING A COUPLING EFFECT AMONG A PLURALITY OF SWITCHES AND METHOD THEREOF 失效
简体标题：检测复数个切换组件间耦合效应的线路及方法 CIRCUITRY FOR INSPECTING A COUPLING EFFECT AMONG A PLURALITY OF SWITCHES AND METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201017259A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW097141570
申请日：2008-10-29
申请人：中華映管股份有限公司
发明人：張錫明
IPC分类号： G02F
摘要：檢測線路包含一量測端點，M條訊號線，以及(N＋1)個切換元件，其中M、N為一正整數。該(N＋1)個切換元件包含N個切換元件以及一測試用切換元件，該(N＋1)個切換元件的每一切換元件係等距離排列，且每一切換元件包含一源極，一閘極，以及一汲極。一第(k*M＋r)個切換元件之源極係耦接於該M條訊號線中之一第r條信號線，其中k為零或一正整數，r為一不大於M的正整數。該(N＋1)個切換元件之閘極係相互耦接。該測試用切換元件之汲極係耦接於該量測端點。
简体摘要：检测线路包含一量测端点，M条信号线，以及(N＋1)个切换组件，其中M、N为一正整数。该(N＋1)个切换组件包含N个切换组件以及一测试用切换组件，该(N＋1)个切换组件的每一切换组件系等距离排列，且每一切换组件包含一源极，一闸极，以及一汲极。一第(k*M＋r)个切换组件之源极系耦接于该M条信号线中之一第r条信号线，其中k为零或一正整数，r为一不大于M的正整数。该(N＋1)个切换组件之闸极系相互耦接。该测试用切换组件之汲极系耦接于该量测端点。

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