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1. 发明专利

TWI395846B 矽晶體形成方法及其形成裝置有权
简体标题：硅晶体形成方法及其形成设备
公开(公告)号：TWI395846B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW098132239
申请日：2009-09-24
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：藍崇文 , LAN, C. W , 謝兆坤 , HSIEH, KIMSAM , 余文懷 , YU, WEN HUAI , 許松林 , HSU, BRUCE , 蔡亞陸 , TSAI, YA LU , 徐文慶 , HSU, WEN CHING , 何思樺 , HO, SZU HUA
IPC分类号： C30B33/00

2. 发明专利

TWI413713B 矽晶體成型方法及其成型裝置有权
简体标题：硅晶体成型方法及其成型设备
公开(公告)号：TWI413713B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW098134947
申请日：2009-10-15
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：藍崇文 , LAN, C. W , 蔡亞陸 , TSAI, YA LU , 藍文杰 , LAN, WEN CHIEH , 游智傑 , YU, CHIH CHIEH , 余文懷 , YU, WEN HUAI , 萬育仁 , WAN, YU JEN , 謝兆坤 , HSIEH, KIMSAM , 許松林 , HSU, BRUCE , 楊瑜民 , YANG, YU MIN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING , 何思樺 , HO, SZU HUA
IPC分类号： C30B28/04 , C30B29/06

3. 发明专利

TWI534307B 製造矽晶鑄錠之方法有权
简体标题：制造硅晶铸锭之方法
公开(公告)号：TWI534307B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW099119357
申请日：2010-06-15
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：藍崇文 , LAN, CHUNG WEN , 蔡亞陸 , TSAI, YA LU , 許松林 , HSU, SUNG LIN , 謝兆坤 , HSIEH, CHAO KUN , 藍文杰 , LAN, WEN CHIEH , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： C30B21/00 , B29C35/02
CPC分类号： C30B11/14 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B28/06 , C30B29/06

4. 发明专利

TW201144492A 製造矽晶鑄錠之方法 METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON INGOT 审中-公开
简体标题：制造硅晶铸锭之方法 METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON INGOT
公开(公告)号：TW201144492A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW099119357
申请日：2010-06-15
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：藍崇文 , 蔡亞陸 , 許松林 , 謝兆坤 , 藍文杰 , 徐文慶
IPC分类号： C30B , B29C
CPC分类号： C30B11/14 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B28/06 , C30B29/06
摘要：本發明提供一種製造矽晶鑄錠之方法。特別地，根據本發明之一較佳具體實施例之方法係在模的底部與矽晶種之間引入阻障層，藉此，顯著地降低模的底部對矽晶鑄錠的汙染。此外，切除根據本發明所製造之矽晶鑄錠底部而得到與阻障層相鄰的矽晶種層可以回收用來製造另一矽晶鑄錠。
简体摘要：本发明提供一种制造硅晶铸锭之方法。特别地，根据本发明之一较佳具体实施例之方法系在模的底部与硅晶种之间引入阻障层，借此，显着地降低模的底部对硅晶铸锭的污染。此外，切除根据本发明所制造之硅晶铸锭底部而得到与阻障层相邻的硅晶种层可以回收用来制造另一硅晶铸锭。

5. 发明专利

TW201111566A 矽晶體形成方法及其形成裝置审中-公开
简体标题：硅晶体形成方法及其形成设备
公开(公告)号：TW201111566A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW098132239
申请日：2009-09-24
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：藍崇文 , 謝兆坤 , 余文懷 , 許松林 , 蔡亞陸 , 徐文慶 , 何思樺
IPC分类号： C30B
摘要：本發明之矽晶體形成方法係坩堝底部施以驟冷之方式，來控制多晶晶粒之生長方向，並使該晶粒形成具有孿生晶界，該孿生晶界係具有相互對稱之晶界，由該晶粒單向凝固向上成長而形成之完整多晶矽晶體，使得該多晶矽晶體不易有缺陷及雜質之產生。
简体摘要：本发明之硅晶体形成方法系坩埚底部施以骤冷之方式，来控制多晶晶粒之生长方向，并使该晶粒形成具有孪生晶界，该孪生晶界系具有相互对称之晶界，由该晶粒单向凝固向上成长而形成之完整多晶硅晶体，使得该多晶硅晶体不易有缺陷及杂质之产生。

6. 实用新型

TWM386302U 長晶裝置之均勻過冷組件有权
简体标题：长晶设备之均匀过冷组件
公开(公告)号：TWM386302U
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：TW099205223
申请日：2010-03-25
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：藍崇文 , 李采芳 , 蔡亞陸 , 謝兆坤 , 許松林 , 余文懷
IPC分类号： C30B
摘要：本創作之長晶裝置設有一容置長晶液相原料之坩鍋，該坩鍋邊側或周圍則設有加熱器，以對坩鍋內之液相原料進行加熱；其中，該坩鍋底部設有一均勻過冷組件，該均勻過冷組件至少設有一導熱材、一腔室以及流體控制結構，該導熱材係接觸設置於該坩鍋底部，該腔室係與該導熱材接觸，而該流體控制結構可控制流體是否流通於該腔室中，藉由流體控制結構使流體流通於腔室中，改變坩鍋底部之熱通量達到均勻過冷之效果，以全面性誘導孿生晶界之形成。
简体摘要：本创作之长晶设备设有一容置长晶液相原料之坩锅，该坩锅边侧或周围则设有加热器，以对坩锅内之液相原料进行加热；其中，该坩锅底部设有一均匀过冷组件，该均匀过冷组件至少设有一导热材、一腔室以及流体控制结构，该导热材系接触设置于该坩锅底部，该腔室系与该导热材接触，而该流体控制结构可控制流体是否流通于该腔室中，借由流体控制结构使流体流通于腔室中，改变坩锅底部之热通量达到均匀过冷之效果，以全面性诱导孪生晶界之形成。

7. 发明专利

TW201113402A 矽晶體成型方法及其成型裝置审中-公开
简体标题：硅晶体成型方法及其成型设备
公开(公告)号：TW201113402A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW098134947
申请日：2009-10-15
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：藍崇文 , 蔡亞陸 , 藍文杰 , 游智傑 , 余文懷 , 萬育仁 , 謝兆坤 , 許松林 , 楊瑜民 , 徐文慶 , 何思樺
IPC分类号： C30B
摘要：本發明之矽晶體成型方法係透過對坩堝本體外進行散熱方向之調控,使該坩堝底部靠近中央位置處之下方散熱高於側向散熱,令該坩堝內所容置之液相原料因凝固所形成之固化界面形成中央向上微凸之狀態,使形成於坩堝內的晶粒得以大型化,並由晶粒單向凝固向上成長而形成之完整多晶矽晶體,以具有單位橫切面積晶界數量較少之特性。
简体摘要：本发明之硅晶体成型方法系透过对坩埚本体外进行散热方向之调控,使该坩埚底部靠近中央位置处之下方散热高于侧向散热,令该坩埚内所容置之液相原料因凝固所形成之固化界面形成中央向上微凸之状态,使形成于坩埚内的晶粒得以大型化,并由晶粒单向凝固向上成长而形成之完整多晶硅晶体,以具有单位横切面积晶界数量较少之特性。

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