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1. 发明专利

TW201446316A 自矽泥中回收切割液的方法及其回收系統审中-公开
简体标题：自硅泥中回收切割液的方法及其回收系统
公开(公告)号：TW201446316A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102119576
申请日：2013-06-03
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC. , 環球晶圓股份有限公司 , GLOBAL WAFERS CO. LTD. , 國立臺北科技大學 , NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
发明人：蔡子萱 , TSAI, TZU HSUAN , 施郁霈 , SHIH, YU PEI , 鄭大偉 , CHENG, TA WUI , 林欽山 , LIN, CHING SHAN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： B01D21/00 , B01D21/01
摘要：本發明揭示一種自矽泥中回收切割液的方法，包括以下之步驟：首先，將一晶圓切割製程之矽泥稀釋成一混合溶液，所述混合溶液具有第一固含量；接著，對所述混合溶液進行固液分離，以得到一液態混合物及一固態混合物，其中所述液態混合物具有第二固含量；之後，添加一電解質於所述液態混合物中，待一預定時間後所述液態混合物即分離成不互溶的切割液相及水相；及最後，將所述切割液取出。採用本發明回收切割液的方法，能快速且有效地回收切割液而無須使用到高耗能且昂貴的設備，同時降低矽晶圓之製造成本。
简体摘要：本发明揭示一种自硅泥中回收切割液的方法，包括以下之步骤：首先，将一晶圆切割制程之硅泥稀释成一混合溶液，所述混合溶液具有第一固含量；接着，对所述混合溶液进行固液分离，以得到一液态混合物及一固态混合物，其中所述液态混合物具有第二固含量；之后，添加一电解质于所述液态混合物中，待一预定时间后所述液态混合物即分离成不互溶的切割液相及水相；及最后，将所述切割液取出。采用本发明回收切割液的方法，能快速且有效地回收切割液而无须使用到高耗能且昂贵的设备，同时降低硅晶圆之制造成本。

2. 发明专利

TWI620838B 包含成核促進顆粒之矽晶鑄錠及其製造方法有权
简体标题：包含成核促进颗粒之硅晶铸锭及其制造方法
公开(公告)号：TWI620838B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW101104813
申请日：2012-02-15
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：倪笙華 , NI, SHENG HUA , 蕭明恭 , HSIAO, MING KUNG , 林欽山 , LIN, CHING SHAN , 許松林 , HSU, SUNG LIN
IPC分类号： C30B29/06

3. 发明专利

TWI461258B 研磨漿料回收利用方法及運用在該研磨漿料回收利用方法的研磨漿料回收利用設備有权
简体标题：研磨浆料回收利用方法及运用在该研磨浆料回收利用方法的研磨浆料回收利用设备
公开(公告)号：TWI461258B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW101141775
申请日：2012-11-09
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：林欽山 , LIN, CHING SHAN , 羅宏章 , LO, HUNG CHANG , 陳建宏 , CHEN, CHIEN HUNG , 江世裕 , CHIANG, SHIH YU , 趙軒 , CHAO, SHUAN , 李依晴 , LI, I CHING , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： B24B57/00

4. 发明专利

TWI441962B 矽晶鑄錠及其製造方法（一）有权
简体标题：硅晶铸锭及其制造方法（一）
公开(公告)号：TWI441962B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW100137420
申请日：2011-10-14
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：許松林 , HSU, SUNG LIN , 楊承叡 , YANG, CHENG JUI , 黃培愷 , HUANG, PEI KAI , 倪笙華 , NI, SHENG HUA , 楊瑜民 , YANG, YU MIN , 蕭明恭 , HSIAO, MING KUNG , 余文懷 , YU, WEN HUAI , 林欽山 , LIN, CHING SHAN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING , 藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/006 , C01B33/02 , C30B9/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/14 , C30B28/06 , C30B29/06

5. 发明专利

TW201417956A 研磨漿料回收利用方法及運用在該研磨漿料回收利用方法的研磨漿料回收利用設備审中-公开
简体标题：研磨浆料回收利用方法及运用在该研磨浆料回收利用方法的研磨浆料回收利用设备
公开(公告)号：TW201417956A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW101141775
申请日：2012-11-09
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：林欽山 , LIN, CHING SHAN , 羅宏章 , LO, HUNG CHANG , 陳建宏 , CHEN, CHIEN HUNG , 江世裕 , CHIANG, SHIH YU , 趙軒 , CHAO, SHUAN , 李依晴 , LI, I CHING , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： B24B57/00
摘要：一種研磨漿料回收利用方法，適於應用在運作中的切片設備，且切片設備在切片過程中產生切片後研磨漿料。上述研磨漿料回收利用方法的步驟包括：將切片後研磨漿料輸送至第一離心機，並分離成第一輕液及第一重液；將第一輕液輸送至旋風分離組，並分離成溢流及底流；將溢流輸送至第二離心機，並分離成第二輕液及第二重液。其中，第一重液、底流、及第二輕液用以供切片設備再次運用在切片上，而第二重液則為廢棄研磨漿料。此外，本發明另提供一種運用在上述研磨漿料回收利用方法的研磨漿料回收利用設備。
简体摘要：一种研磨浆料回收利用方法，适于应用在运作中的切片设备，且切片设备在切片过程中产生切片后研磨浆料。上述研磨浆料回收利用方法的步骤包括：将切片后研磨浆料输送至第一离心机，并分离成第一轻液及第一重液；将第一轻液输送至旋风分离组，并分离成溢流及底流；将溢流输送至第二离心机，并分离成第二轻液及第二重液。其中，第一重液、底流、及第二轻液用以供切片设备再次运用在切片上，而第二重液则为废弃研磨浆料。此外，本发明另提供一种运用在上述研磨浆料回收利用方法的研磨浆料回收利用设备。

6. 发明专利

TWI481441B 自矽泥中回收切割液的方法及其回收系統有权
简体标题：自硅泥中回收切割液的方法及其回收系统
公开(公告)号：TWI481441B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW102119576
申请日：2013-06-03
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC. , 環球晶圓股份有限公司 , GLOBAL WAFERS CO. LTD. , 國立臺北科技大學 , NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
发明人：蔡子萱 , TSAI, TZU HSUAN , 施郁霈 , SHIH, YU PEI , 鄭大偉 , CHENG, TA WUI , 林欽山 , LIN, CHING SHAN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： B01D21/00 , B01D21/01

7. 发明专利

TW201315847A 矽晶鑄錠及其製造方法（一）审中-公开
简体标题：硅晶铸锭及其制造方法（一）
公开(公告)号：TW201315847A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW100137420
申请日：2011-10-14
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：許松林 , HSU, SUNG LIN , 楊承叡 , YANG, CHENG JUI , 黃培愷 , HUANG, PEI KAI , 倪笙華 , NI, SHENG HUA , 楊瑜民 , YANG, YU MIN , 蕭明恭 , HSIAO, MING KUNG , 余文懷 , YU, WEN HUAI , 林欽山 , LIN, CHING SHAN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING , 藍崇文 , LAN, CHUNG WEN
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/006 , C01B33/02 , C30B9/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/14 , C30B28/06 , C30B29/06
摘要：本發明提供一種矽晶鑄錠及其製造方法。特別地，矽晶鑄錠包含沿其本身之一垂直方向成長的多個矽晶粒。該矽晶鑄錠之一底部處的矽晶粒之一第一平均晶粒尺寸小於約12mm。該矽晶鑄錠距離其底部約250mm之一上區域的矽晶粒之一第二平均晶粒尺寸大於約14mm。
简体摘要：本发明提供一种硅晶铸锭及其制造方法。特别地，硅晶铸锭包含沿其本身之一垂直方向成长的多个硅晶粒。该硅晶铸锭之一底部处的硅晶粒之一第一平均晶粒尺寸小于约12mm。该硅晶铸锭距离其底部约250mm之一上区域的硅晶粒之一第二平均晶粒尺寸大于约14mm。

8. 发明专利

TW201333281A 包含成核促進顆粒之矽晶鑄錠及其製造方法审中-公开
简体标题：包含成核促进颗粒之硅晶铸锭及其制造方法
公开(公告)号：TW201333281A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101104813
申请日：2012-02-15
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：倪笙華 , NI, SHENG HUA , 蕭明恭 , HSIAO, MING KUNG , 林欽山 , LIN, CHING SHAN , 許松林 , HSU, SUNG LIN
IPC分类号： C30B29/06
摘要：一種矽晶鑄錠及其製造方法。該製造方法利用多個成核促進顆粒，讓從一矽熔湯中多個矽晶粒在多個成核促進顆粒上成核且沿垂直方向成長成，直至矽熔湯全部凝固。每一個成核促進顆粒係由一主顆粒以及由接合在主顆粒的表面上之多個次顆粒所構成。多個次顆粒之平均粒徑係小於多個主顆粒之平均粒徑。
简体摘要：一种硅晶铸锭及其制造方法。该制造方法利用多个成核促进颗粒，让从一硅熔汤中多个硅晶粒在多个成核促进颗粒上成核且沿垂直方向成长成，直至硅熔汤全部凝固。每一个成核促进颗粒系由一主颗粒以及由接合在主颗粒的表面上之多个次颗粒所构成。多个次颗粒之平均粒径系小于多个主颗粒之平均粒径。

9. 实用新型

TWM434620U 水旋風分離器 HYDRO CYCLONE 有权
简体标题：水旋风分离器 HYDRO CYCLONE
公开(公告)号：TWM434620U
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW101200511
申请日：2012-01-09
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：吳容銘 , 林欽山 , 羅宏章 , 鄒經緯
IPC分类号： B01D
摘要：一種水旋風分離器，適於分離一懸浮溶液。水旋風分離器包括一本體、一進料部、一溢流部及一底流部。本體包含一第一上部、連接於第一上部之一第一下部及位於第一上部與第一下部內之一空間。第一上部具有一頂面及一側面，且第一下部之截面積隨著遠離第一上部而漸縮。進料部設置於側面且連通於空間，懸浮溶液經過進料部進入空間。溢流部穿設於頂面且連通於空間。溢流部包含一第二上部及一第二下部，第二上部外露於頂面。第二下部位於空間，且第二下部之截面積隨著遠離第二上部而漸縮。底流部連接於第一下部且連通於空間。
简体摘要：一种水旋风分离器，适于分离一悬浮溶液。水旋风分离器包括一本体、一进料部、一溢流部及一底流部。本体包含一第一上部、连接于第一上部之一第一下部及位于第一上部与第一下部内之一空间。第一上部具有一顶面及一侧面，且第一下部之截面积随着远离第一上部而渐缩。进料部设置于侧面且连通于空间，悬浮溶液经过进料部进入空间。溢流部穿设于顶面且连通于空间。溢流部包含一第二上部及一第二下部，第二上部外露于顶面。第二下部位于空间，且第二下部之截面积随着远离第二上部而渐缩。底流部连接于第一下部且连通于空间。

10. 实用新型

TWM491667U 碳化矽回收系統有权
简体标题：碳化硅回收系统
公开(公告)号：TWM491667U
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW103210019
申请日：2014-06-06
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , 國立臺北科技大學
发明人：鄭大偉 , 李韋暤 , 許致瑋 , 林欽山 , 徐文慶
IPC分类号： C02F11/00 , C01B31/36

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