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2. 发明专利

TW201126029A 直徑至少為４５０毫米之由矽組成之半導體晶圓之製造方法以及直徑為４５０毫米之由矽組成之半導體晶圓 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERSCHEIBEN AUS SILIZIUM MIT EINEM DURCHMESSER VON MINDESTENS 450 MM UND HALBEITER-SCHEIBE AUS SILIZIUM MIT EINEM DURCHMESSER VON 450 MM 审中-公开
简体标题：直径至少为４５０毫米之由硅组成之半导体晶圆之制造方法以及直径为４５０毫米之由硅组成之半导体晶圆 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERSCHEIBEN AUS SILIZIUM MIT EINEM DURCHMESSER VON MINDESTENS 450 MM UND HALBEITER-SCHEIBE AUS SILIZIUM MIT EINEM DURCHMESSER VON 450 MM
公开(公告)号：TW201126029A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW100100460
申请日：2011-01-06
申请人：世創電子材料公司
发明人：雷明喬治 , 赫偉瑟渥特 , 沙特勒安卓亞斯 , 邁爾歐弗雷德
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T428/21
摘要：本發明關於一種由矽組成的半導體晶圓的製造方法,其包括:從一容納於一坩堝中的熔體,以一拉伸速率拉伸一具有直徑增加的圓錐形區段以及一鄰接的直徑至少為450毫米且長度至少為800毫米的圓柱形區段的單晶,在拉伸從該圓錐形區段至該圓柱形區段的過渡段時的拉伸速率係比在拉伸該圓柱形區段時的平均拉伸速率高至少1.8倍;以至少20千瓦的冷卻功率冷卻所生長的單晶;自該坩堝的側壁向所生長的單晶導入熱量,其中在一包圍所生長的單晶的擋熱板與該熔體表面之間係存在一高度至少為70毫米的縫隙;以及自該圓柱形區段切割半導體晶圓,其中多個半導體晶圓包含一從半導體晶圓的中心向半導體晶圓的邊緣延伸的、具有v型缺陷的圓形區域。本發明還關於一種直徑為450毫米的由矽組成的半導體晶圓,其包含一從半導體晶圓的中心向半導體晶圓的邊緣延伸的、具有v型缺陷的區域。
简体摘要：本发明关于一种由硅组成的半导体晶圆的制造方法,其包括:从一容纳于一坩埚中的熔体,以一拉伸速率拉伸一具有直径增加的圆锥形区段以及一邻接的直径至少为450毫米且长度至少为800毫米的圆柱形区段的单晶,在拉伸从该圆锥形区段至该圆柱形区段的过渡段时的拉伸速率系比在拉伸该圆柱形区段时的平均拉伸速率高至少1.8倍;以至少20千瓦的冷却功率冷却所生长的单晶;自该坩埚的侧壁向所生长的单晶导入热量,其中在一包围所生长的单晶的挡热板与该熔体表面之间系存在一高度至少为70毫米的缝隙;以及自该圆柱形区段切割半导体晶圆,其中多个半导体晶圆包含一从半导体晶圆的中心向半导体晶圆的边缘延伸的、具有v型缺陷的圆形区域。本发明还关于一种直径为450毫米的由硅组成的半导体晶圆,其包含一从半导体晶圆的中心向半导体晶圆的边缘延伸的、具有v型缺陷的区域。

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