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1. 发明专利

TWI534533B 微影用共聚合物及其製造方法、抗蝕劑組成物、以及基板的製造方法有权
简体标题：微影用共聚合物及其制造方法、抗蚀剂组成物、以及基板的制造方法
公开(公告)号：TWI534533B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW102107723
申请日：2013-03-05
申请人：三菱麗陽股份有限公司 , MITSUBISHI RAYON CO., LTD.
发明人：安田敦 , YASUDA, ATSUSHI , 押切友也 , OSHIKIRI, TOMOYA , 中条美帆 , CHUJO, MIHO
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： C08F24/00 , C08F220/18 , C08F220/20 , C09D4/00 , G03F7/004 , G03F7/0397 , G03F7/20

2. 发明专利

TWI540383B 微影製程用共聚合物及其製造方法、抗蝕劑組成物、形成有圖案的基板的製造方法、共聚合物的評價方法、共聚合物組成分析方法有权
简体标题：微影制程用共聚合物及其制造方法、抗蚀剂组成物、形成有图案的基板的制造方法、共聚合物的评价方法、共聚合物组成分析方法
公开(公告)号：TWI540383B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW100137365
申请日：2011-10-14
申请人：三菱麗陽股份有限公司 , MITSUBISHI RAYON CO., LTD.
发明人：安田敦 , YASUDA, ATSUSHI , 押切友也 , OSHIKIRI, TOMOYA , 百瀬陽 , MOMOSE, HIKARU
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027 , G01N24/08 , G01N33/44 , G06F19/00 , C08L101/00
CPC分类号： G03F7/004 , C08F2/00 , C08F120/28 , C08F220/18 , C08F220/20 , C08F220/28 , C08F2220/283 , C08F2400/02 , G01N24/085 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/20

3. 发明专利

TWI526454B 聚合物及其製造方法有权
简体标题：聚合物及其制造方法
公开(公告)号：TWI526454B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW101119241
申请日：2012-05-30
申请人：三菱麗陽股份有限公司 , MITSUBISHI RAYON CO., LTD.
发明人：押切友也 , OSHIKIRI, TOMOYA , 安田敦 , YASUDA, ATSUSHI
IPC分类号： C08F2/44 , G03F7/028
CPC分类号： C08F2/38 , C08F4/04 , C08F20/18 , C08F220/18 , C08F2438/03 , G03F7/0392 , G03F7/0397

4. 发明专利

TW201348860A 微影用共聚合物及其製造方法、抗蝕劑組成物、以及基板的製造方法审中-公开
简体标题：微影用共聚合物及其制造方法、抗蚀剂组成物、以及基板的制造方法
公开(公告)号：TW201348860A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102107723
申请日：2013-03-05
申请人：三菱麗陽股份有限公司 , MITSUBISHI RAYON CO., LTD.
发明人：安田敦 , YASUDA, ATSUSHI , 押切友也 , OSHIKIRI, TOMOYA , 中条美帆 , CHUJO, MIHO
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： C08F24/00 , C08F220/18 , C08F220/20 , C09D4/00 , G03F7/004 , G03F7/0397 , G03F7/20
摘要：一種微影用共聚合物，其包括含有酸脫離性基的單體單元、及不含酸脫離性基的單體單元，於藉由凝膠滲透層析法(GPC)所獲得的溶出曲線中相當於共聚合物的波峰的溶離液以體積變成均等的方式分割成5個餾分，其中按溶出順序，將自最早溶出的第1個至第4個為止的各餾分中所含有的共聚合物中的含有酸脫離性基的單體單元的比率稱為N(v1)莫耳%~N(v4)莫耳%，並將5個餾分合計所含有的共聚合物中的含有酸脫離性基的單體單元的比率稱為Nave莫耳%，此時N(v1)/Nave為1.01~1.09，N(v2)/Nave、N(v3)/Nave、及N(v4)/Nave均為0.95~1.05。
简体摘要：一种微影用共聚合物，其包括含有酸脱离性基的单体单元、及不含酸脱离性基的单体单元，于借由凝胶渗透层析法(GPC)所获得的溶出曲线中相当于共聚合物的波峰的溶离液以体积变成均等的方式分割成5个馏分，其中按溶出顺序，将自最早溶出的第1个至第4个为止的各馏分中所含有的共聚合物中的含有酸脱离性基的单体单元的比率称为N(v1)莫耳%~N(v4)莫耳%，并将5个馏分合计所含有的共聚合物中的含有酸脱离性基的单体单元的比率称为Nave莫耳%，此时N(v1)/Nave为1.01~1.09，N(v2)/Nave、N(v3)/Nave、及N(v4)/Nave均为0.95~1.05。

5. 发明专利

TWI455948B 聚合體的製造方法、微影用聚合體、光阻組成物及基板的製造方法有权
简体标题：聚合体的制造方法、微影用聚合体、光阻组成物及基板的制造方法
公开(公告)号：TWI455948B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW099122354
申请日：2010-07-07
申请人：三菱麗陽股份有限公司 , MITSUBISHI RAYON CO., LTD.
发明人：安田敦 , YASUDA, ATSUSHI , 押切友也 , OSHIKIRI, TOMOYA , 松本大祐 , MATSUMOTO, DAISUKE , 加藤圭輔 , KATOU, KEISUKE , 前田晉一 , MAEDA, SHINICHI
IPC分类号： C08F2/44 , C08F20/28 , C08F20/18 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C08F24/00 , C08F2/00 , C08F297/026 , C08F2500/06 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/085

6. 发明专利

TW201302805A 聚合物及其製造方法审中-公开
简体标题：聚合物及其制造方法
公开(公告)号：TW201302805A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101119241
申请日：2012-05-30
申请人：三菱麗陽股份有限公司 , MITSUBISHI RAYON CO., LTD.
发明人：押切友也 , OSHIKIRA, TOMOYA , 安田敦 , YASUDA, ATSUSHI
IPC分类号： C08F2/44 , G03F7/028
CPC分类号： C08F2/38 , C08F4/04 , C08F20/18 , C08F220/18 , C08F2438/03 , G03F7/0392 , G03F7/0397
摘要：本發明可藉由以下製造方法以高聚合率製造以下聚合物，該聚合物的殘存於聚合物末端的鏈轉移劑殘基減少，且分子量的不均一得到改善，上述製造方法是將於反應器內至少供給有單體及鏈轉移劑、且反應器內的液體溫度達到預先設定的聚合溫度的時間點作為開始時刻T0，將開始使聚合反應停止的操作的時間點作為結束時刻T1。於自T0起至即將到達[(T1-T0)/2]之前為止之間、及自[(T1-T0)/2]起至T1為止之間，於反應器內供給聚合起始劑。將自T0起至T1為止供給的聚合起始劑的合計質量設定為IA，將自[(T1-T0)/2]起至T1為止供給的聚合起始劑的合計質量設定為IB。IA為聚合起始劑的總量中的50質量%~100質量%，且滿足0.50
简体摘要：本发明可借由以下制造方法以高聚合率制造以下聚合物，该聚合物的残存于聚合物末端的链转移剂残基减少，且分子量的不均一得到改善，上述制造方法是将于反应器内至少供给有单体及链转移剂、且反应器内的液体温度达到预先设置的聚合温度的时间点作为开始时刻T0，将开始使聚合反应停止的操作的时间点作为结束时刻T1。于自T0起至即将到达[(T1-T0)/2]之前为止之间、及自[(T1-T0)/2]起至T1为止之间，于反应器内供给聚合起始剂。将自T0起至T1为止供给的聚合起始剂的合计质量设置为IA，将自[(T1-T0)/2]起至T1为止供给的聚合起始剂的合计质量设置为IB。IA为聚合起始剂的总量中的50质量%~100质量%，且满足0.50

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