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1. 发明专利

TW201607191A 放電管及其製造方法审中-公开
简体标题：放电管及其制造方法
公开(公告)号：TW201607191A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104107030
申请日：2015-03-05
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：平野晋吾 , HIRANO, SHINGO , 酒井信智 , SAKAI, SHINJI , 杉本良市 , SUGIMOTO, RYOICHI , 鈴木峻平 , SUZUKI, SYUNPEI , 黒柳次郎 , KUROYANAGI, JIRO
IPC分类号： H01T1/22 , H01T4/12 , H01T21/00
CPC分类号： H01T1/22 , H01T4/12 , H01T21/00
摘要：提供可使對反覆放電的動作電壓的安定性提升的放電管及其製造方法。本發明之放電管係具備有：具有複數開口部的至少一個絕緣性中空體(2)；及將開口部閉塞而在內部密封放電控制氣體的至少(2)個密封電極(3)，在絕緣性中空體內露出的密封電極的表面形成有放電活性層(4)，放電活性層含有Na、Si、Cs、C及O，剩餘部分由不可避免雜質所成，為非晶質，而Na、Si、Cs、C及O呈均一分布。
简体摘要：提供可使对反复放电的动作电压的安定性提升的放电管及其制造方法。本发明之放电管系具备有：具有复数开口部的至少一个绝缘性中空体(2)；及将开口部闭塞而在内部密封放电控制气体的至少(2)个密封电极(3)，在绝缘性中空体内露出的密封电极的表面形成有放电活性层(4)，放电活性层含有Na、Si、Cs、C及O，剩余部分由不可避免杂质所成，为非晶质，而Na、Si、Cs、C及O呈均一分布。

2. 发明专利

TW201724676A 突波防護元件审中-公开
简体标题：突波防护组件
公开(公告)号：TW201724676A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105135973
申请日：2016-11-04
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：黛良享 , MAYUZUMI, YOSHITAKA , 酒井信智 , SAKAI, SHINJI , 杉本良市 , SUGIMOTO, RYOICHI
IPC分类号： H01T19/04
CPC分类号： H01T1/20 , H01T2/02 , H01T4/12
摘要：提供可抑制放電輔助部的昇華消失且可提升耐久性的突波防護元件。具備有：絕緣性管(2)、閉塞絕緣性管的兩端開口部而在內部密封放電控制氣體的一對密封電極、及形成在絕緣性管的內周面的放電輔助部(4)，一對密封電極具有朝內方突出且互相對向的一對突出電極部，放電輔助部係由：以絕緣性材料所形成的絕緣性層(8)、及在絕緣性層的上下分別以離子源材料所形成的離子源層(9)的積層所構成。
简体摘要：提供可抑制放电辅助部的升华消失且可提升耐久性的突波防护组件。具备有：绝缘性管(2)、闭塞绝缘性管的两端开口部而在内部密封放电控制气体的一对密封电极、及形成在绝缘性管的内周面的放电辅助部(4)，一对密封电极具有朝内方突出且互相对向的一对突出电极部，放电辅助部系由：以绝缘性材料所形成的绝缘性层(8)、及在绝缘性层的上下分别以离子源材料所形成的离子源层(9)的积层所构成。

3. 发明专利

TW202015298A 突波防護元件审中-公开
简体标题：突波防护组件
公开(公告)号：TW202015298A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108121675
申请日：2019-06-21
申请人：日商三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：黛良享 , MAYUZUMI, YOSHITAKA , 酒井信智 , SAKAI, SHINJI
IPC分类号： H01T4/12 , H01T1/20 , H01T2/02
摘要：提供可低成本製作，並且可抑制因電弧放電而噴濺之金屬成分的附著所致之短路的突波防護元件。本發明的突波防護元件，係具備絕緣性管(2)、閉塞絕緣性管的兩端開口部且於內部封止放電控制氣體的一對封止電極(3)、及在一對封止電極之間將一部分空出作為放電空間(S)的狀態下，被配置於上下之一對封止電極的對向面挾持，以規定一對封止電極的間隔的間隔調整構件(4)；間隔調整構件，係至少具備一個以絕緣性材料形成的絕緣性薄板(6)；絕緣性薄板之接觸放電空間(S)的周緣部(6a)，係於上下面的至少一方具有沿著放電空間延伸的溝部(6b)；構成溝部之兩側的壁部(6c，6d)中放電空間側(壁部6c)，係比相反側的壁部(6d)還低。
简体摘要：提供可低成本制作，并且可抑制因电弧放电而喷溅之金属成分的附着所致之短路的突波防护组件。本发明的突波防护组件，系具备绝缘性管(2)、闭塞绝缘性管的两端开口部且于内部封止放电控制气体的一对封止电极(3)、及在一对封止电极之间将一部分空出作为放电空间(S)的状态下，被配置于上下之一对封止电极的对向面挟持，以规定一对封止电极的间隔的间隔调整构件(4)；间隔调整构件，系至少具备一个以绝缘性材料形成的绝缘性薄板(6)；绝缘性薄板之接触放电空间(S)的周缘部(6a)，系于上下面的至少一方具有沿着放电空间延伸的沟部(6b)；构成沟部之两侧的壁部(6c，6d)中放电空间侧(壁部6c)，系比相反侧的壁部(6d)还低。

4. 发明专利

TW201810844A 突波防護元件审中-公开
简体标题：突波防护组件
公开(公告)号：TW201810844A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106110167
申请日：2017-03-27
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：黛良享 , MAYUZUMI, YOSHITAKA , 杉本良市 , SUGIMOTO, RYOICHI , 酒井信智 , SAKAI, SHINJI
IPC分类号： H01T4/12
CPC分类号： H01T4/12
摘要：本發明的突波防護元件，係具備絕緣性管(2)，與閉塞絕緣性管的兩端開口部，於內部封止放電控制氣體的一對封止電極(3)；一對前述封止電極具有突出於內方且相互對向之一對突出電極部(5)；於前述絕緣性管的內周面，至少形成1個突出於半徑方向內方，且延伸存在於圓周方向的突出部(2a)。
简体摘要：本发明的突波防护组件，系具备绝缘性管(2)，与闭塞绝缘性管的两端开口部，于内部封止放电控制气体的一对封止电极(3)；一对前述封止电极具有突出于内方且相互对向之一对突出电极部(5)；于前述绝缘性管的内周面，至少形成1个突出于半径方向内方，且延伸存在于圆周方向的突出部(2a)。

5. 发明专利

TW201724675A 放電管审中-公开
简体标题：放电管
公开(公告)号：TW201724675A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105131921
申请日：2016-10-03
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：酒井信智 , SAKAI, SHINJI , 黛良享 , MAYUZUMI, YOSHITAKA , 杉本良市 , SUGIMOTO, RYOICHI
IPC分类号： H01T4/12 , H01T1/20 , H01T2/02
CPC分类号： H01T1/20 , H01T2/02 , H01T4/12
摘要：本發明的課題，係提供可提升對於重複放電之工作電壓的穩定性的放電管。本發明的解決手段，係具備至少於兩端具有開口部之筒狀的絕緣性中空體(2)，與閉塞開口部，於內部封止放電控制氣體，且相互對向的至少一對封止電極(3)；於絕緣性中空體的內周面，設置以導電性材料所形成的放電觸發膜(4)；封止電極係具有突出於絕緣性中空體內的凸狀部(3a)，與以電子放射特性比封止電極的材料還高的材料形成於凸狀部之前端部的放電活性層(5)；放電活性層係於凸狀部的前端部，且前端面的外周緣附近，沿著前述外周緣而形成複數個或延伸形成；凸狀部之前端面的中央部，係設為未形成放電活性層的區域。
简体摘要：本发明的课题，系提供可提升对于重复放电之工作电压的稳定性的放电管。本发明的解决手段，系具备至少于两端具有开口部之筒状的绝缘性中空体(2)，与闭塞开口部，于内部封止放电控制气体，且相互对向的至少一对封止电极(3)；于绝缘性中空体的内周面，设置以导电性材料所形成的放电触发膜(4)；封止电极系具有突出于绝缘性中空体内的凸状部(3a)，与以电子放射特性比封止电极的材料还高的材料形成于凸状部之前端部的放电活性层(5)；放电活性层系于凸状部的前端部，且前端面的外周缘附近，沿着前述外周缘而形成复数个或延伸形成；凸状部之前端面的中央部，系设为未形成放电活性层的区域。

6. 发明专利

TWI699057B 突波防護元件有权
简体标题：突波防护组件
公开(公告)号：TWI699057B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105135973
申请日：2016-11-04
申请人：日商三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：黛良享 , MAYUZUMI, YOSHITAKA , 酒井信智 , SAKAI, SHINJI , 杉本良市 , SUGIMOTO, RYOICHI
IPC分类号： H01T19/04

7. 发明专利

TW201739132A 突波防護元件审中-公开
简体标题：突波防护组件
公开(公告)号：TW201739132A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106110168
申请日：2017-03-27
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：黛良享 , MAYUZUMI, YOSHITAKA , 杉本良市 , SUGIMOTO, RYOICHI , 酒井信智 , SAKAI, SHINJI
IPC分类号： H01T19/04
CPC分类号： H01T4/12
摘要：本發明的突波防護元件，係具備絕緣性管(2)，與閉塞絕緣性管的兩端開口部，於內部封止放電控制氣體的一對封止電極(3)；一對封止電極具有突出於內方且相互對向之一對突出電極部(5)；於絕緣性管的內周面，至少形成1個延伸存在於圓周方向的溝部(2a)。
简体摘要：本发明的突波防护组件，系具备绝缘性管(2)，与闭塞绝缘性管的两端开口部，于内部封止放电控制气体的一对封止电极(3)；一对封止电极具有突出于内方且相互对向之一对突出电极部(5)；于绝缘性管的内周面，至少形成1个延伸存在于圆周方向的沟部(2a)。

8. 发明专利

TW497249B 天線構造體有权
简体标题：天线构造体
公开(公告)号：TW497249B
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：TW089114138
申请日：2000-07-14
申请人：三菱綜合材料股份有限公司
发明人：廣瀨英一郎 , 豐田明和 , 谷所博明 , 酒井信智 , 鄉良臣 , 北原直人
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01Q1/243 , H01Q1/38 , H01Q9/0421 , Y10T29/49016
摘要：本發明之目的在為提供為6面體之誘電體而在其表面有已圖案化之導電性膜之品質優良，價格低廉量具產性之天線構造體。
只在由凹部與凸部所形成之誘電體所成之6面體之表面之上述凸部，形成有導電性皮膜。
简体摘要：本发明之目的在为提供为6面体之诱电体而在其表面有已图案化之导电性膜之品质优良，价格低廉量具产性之天线构造体。只在由凹部与凸部所形成之诱电体所成之6面体之表面之上述凸部，形成有导电性皮膜。

9. 外观设计

TWD142438S 突波吸收器 SURGE ABSORBER 有权
公开(公告)号：TWD142438S
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099304137
申请日：2010-08-18
申请人：三菱綜合材料股份有限公司
设计人：田中芳幸 , 酒井信智
摘要：【物品用途】
本創作的物品係突波吸收器，通常安裝於各種電子機器之電源部分，例如：可吸收因落雷所產生之突波，以保護各種機器，防止事故產生。
【創作特點】
從各視圖觀之，本物品係於一個中央突出之透明玻璃管，內部放置一個上、下內縮之板狀絕緣體，且該絕緣體之前、後面中間，各有一個導電性材料形成之直長方形觸發器；而板狀絕體體之兩端，則配設著一對封裝電極，封住透明玻璃管兩端部，再將一對導線之一端，分別安置於封裝電極上；該整體造型的新穎設計，為本創作特點。
简体摘要：【物品用途】本创作的物品系突波吸收器，通常安装于各种电子机器之电源部分，例如：可吸收因落雷所产生之突波，以保护各种机器，防止事故产生。【创作特点】从各视图观之，本物品系于一个中央突出之透明玻璃管，内部放置一个上、下内缩之板状绝缘体，且该绝缘体之前、后面中间，各有一个导电性材料形成之直长方形触发器；而板状绝体体之两端，则配设着一对封装电极，封住透明玻璃管两端部，再将一对导线之一端，分别安置于封装电极上；该整体造型的新颖设计，为本创作特点。

10. 发明专利

TW478204B 天線裝置以及天線裝置組裝體有权
简体标题：天线设备以及天线设备组装体
公开(公告)号：TW478204B
公开(公告)日：2002-03-01
申请号：TW089115947
申请日：2000-08-08
申请人：三菱綜合材料股份有限公司
发明人：廣瀨英一郎 , 豐田明和 , 谷所博明 , 酒井信智 , 鄉良臣 , 北原直人
IPC分类号： H01Q
摘要：本發明有關於攜帶型通訊機器等所用之天線裝置，以減低其製造成本為目的者。
(解決手段)：備有上面21，下面22，同時備有交互地形成有凹部231及凸部232之一對側面23，而由介電體及磁性體中之至少一方所成之基體2，及形成於基體2之上下面21，22及一對側面23之凸部232或凹部231之整體來看螺旋狀的圍繞基體2之導體層3，4，5而構成。
简体摘要：本发明有关于便携式通信机器等所用之天线设备，以减低其制造成本为目的者。 (解决手段)：备有上面21，下面22，同时备有交互地形成有凹部231及凸部232之一对侧面23，而由介电体及磁性体中之至少一方所成之基体2，及形成于基体2之上下面21，22及一对侧面23之凸部232或凹部231之整体来看螺旋状的围绕基体2之导体层3，4，5而构成。

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