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1. 发明专利

TW200305635A 蝕刻液及蝕刻方法 ETCHANT AND METHOD OF ETCHING 审中-公开
简体标题：蚀刻液及蚀刻方法 ETCHANT AND METHOD OF ETCHING
公开(公告)号：TW200305635A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW092104193
申请日：2003-02-27
申请人：三菱化學股份有限公司 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION , 先進顯示股份有限公司 ADVANCED DISPLAY INC.
发明人：齊藤範之 NORIYUKI SAITOU , 吉田卓司 TAKUJI YOSHIDA , 井上和式 KAZUNORI INOUE , 石川誠 MAKOTO ISHIKAWA , 上原口好夫 YOSHIO KAMIHARAGUCHI
IPC分类号： C09K
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/20
摘要：本發明係提供利用濕式蝕刻法而對金屬薄膜施行圖案化處理用的蝕刻液，以及採用其之蝕刻方法。特別係提供半導體元件或液晶顯示元件等半導體裝置製造之際所採用的蝕刻液及蝕刻方法。本發明的蝕刻液，係磷酸含量35～65重量％、硝酸含量0．5～15重量％的蝕刻液，乃為在由鋁或鋁合金所構成的第1層上具有由含N、O、Si及C中至少一種元素的鋁或鋁合金所構成第2層的層積膜用的蝕刻液。
简体摘要：本发明系提供利用湿式蚀刻法而对金属薄膜施行图案化处理用的蚀刻液，以及采用其之蚀刻方法。特别系提供半导体组件或液晶显示组件等半导体设备制造之际所采用的蚀刻液及蚀刻方法。本发明的蚀刻液，系磷酸含量35～65重量％、硝酸含量0．5～15重量％的蚀刻液，乃为在由铝或铝合金所构成的第1层上具有由含N、O、Si及C中至少一种元素的铝或铝合金所构成第2层的层积膜用的蚀刻液。

2. 发明专利

TW200616071A 蝕刻液及蝕刻方法 ETCHANT AND METHOD OF ETCHING 审中-公开
简体标题：蚀刻液及蚀刻方法 ETCHANT AND METHOD OF ETCHING
公开(公告)号：TW200616071A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW093133799
申请日：2004-11-05
申请人：三菱化學股份有限公司 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION , 先進顯示股份有限公司 ADVANCED DISPLAY INC.
发明人：齊藤範之 NORIYUKI SAITOU , 吉田卓司 , 井上和式 KAZUNORI INOUE , 石川誠 ISHIKAWA, MAKOTO , 上原口好夫 YOSHIO KAMIHARAGUCHI
IPC分类号： H01L
摘要：本發明之課題在於，將於鋁合金所構成之第1層上具有鉬．鈮合金所構成之第2層之層合膜，僅以一次之蝕刻，在同時蝕刻構成該層合膜之兩個膜且防止上層膜成為峰形狀之前提下，以良好的精密度形成細微的佈線形狀。本發明係關於一種蝕刻液，係用以蝕刻具有形成於基板上之鋁合金層以及其上之鈮含量為2～19重量％之鉬．鈮合含層的層合膜之蝕刻液，其特徵在於由磷酸、硝酸及有機酸之混合酸水溶液所構成；以及使用該蝕刻液之蝕刻方法。磷酸濃度Np為50～75重量％，硝酸濃度Nn為2～15重量％，以Np＋(98／63)Nn定義之酸成分濃度以55～85重量％為佳。
简体摘要：本发明之课题在于，将于铝合金所构成之第1层上具有钼．铌合金所构成之第2层之层合膜，仅以一次之蚀刻，在同时蚀刻构成该层合膜之两个膜且防止上层膜成为峰形状之前提下，以良好的精密度形成细微的布线形状。本发明系关于一种蚀刻液，系用以蚀刻具有形成于基板上之铝合金层以及其上之铌含量为2～19重量％之钼．铌合含层的层合膜之蚀刻液，其特征在于由磷酸、硝酸及有机酸之混合酸水溶液所构成；以及使用该蚀刻液之蚀刻方法。磷酸浓度Np为50～75重量％，硝酸浓度Nn为2～15重量％，以Np＋(98／63)Nn定义之酸成分浓度以55～85重量％为佳。

3. 发明专利

TWI245071B 蝕刻液及蝕刻方法 ETCHANT AND METHOD OF ETCHING 有权
简体标题：蚀刻液及蚀刻方法 ETCHANT AND METHOD OF ETCHING
公开(公告)号：TWI245071B
公开(公告)日：2005-12-11
申请号：TW092104193
申请日：2003-02-27
申请人：三菱化學股份有限公司 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION , 先進顯示股份有限公司 ADVANCED DISPLAY INC.
发明人：齊藤範之 NORIYUKI SAITOU , 吉田卓司 TAKUJI YOSHIDA , 井上和式 KAZUNORI INOUE , 石川誠 ISHIKAWA, MAKOTO , 上原口好夫 YOSHIO KAMIHARAGUCHI
IPC分类号： C09K
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/20
摘要：本發明係提供利用濕式蝕刻法而對金屬薄膜施行圖案化處理用的蝕刻液，以及採用其之蝕刻方法。特別係提供半導體元件或液晶顯示元件等半導體裝置製造之際所採用的蝕刻液及蝕刻方法。
本發明的蝕刻液，係磷酸含量35~65重量%、硝酸含量0.5~15重量%的蝕刻液，乃為在由鋁或鋁合金所構成的第1層上具有由含N、O、Si及C中至少一種元素的鋁或鋁合金所構成第2層的層積膜用的蝕刻液。
简体摘要：本发明系提供利用湿式蚀刻法而对金属薄膜施行图案化处理用的蚀刻液，以及采用其之蚀刻方法。特别系提供半导体组件或液晶显示组件等半导体设备制造之际所采用的蚀刻液及蚀刻方法。本发明的蚀刻液，系磷酸含量35~65重量%、硝酸含量0.5~15重量%的蚀刻液，乃为在由铝或铝合金所构成的第1层上具有由含N、O、Si及C中至少一种元素的铝或铝合金所构成第2层的层积膜用的蚀刻液。

4. 发明专利

TW572851B 由含有鉻及鈰之溶液而回收鈰之回收方法失效
简体标题：由含有铬及铈之溶液而回收铈之回收方法
公开(公告)号：TW572851B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW089107975
申请日：2000-04-27
申请人：三菱化學股份有限公司 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
发明人：石川誠 ISHIKAWA, MAKOTO , 上原口好夫 YOSHIO KAMIHARAGUCHI , 山口剛
IPC分类号： C01F , C01C
摘要： [課題] 開發將含有含鉻金屬之硝酸鈰銨溶液予以蝕刻之工程所排出之含有六價鉻及四價鈰般之廢液溶液中，令鈰以高純度之硝酸鈰銨型式予以回收之方法。[解決手段] 由含有鉻及鈰之溶液中，將氫氧化鈰回收之氫氧化鈰回收工程、將氫氧化鈰回收工程所得之氫氧化鈰沈澱物予以水洗之洗淨工程、於經過洗淨工程之氫氧化鈰中添加硝酸及氨源令硝酸鈰銨析出結晶之硝酸鈰銨析出結晶工程、及將硝酸鈰銨析出結晶工程所生成之硝酸鈰銨結晶予以回收之硝酸鈰銨回收工程所構成之由含有鉻及鈰之溶液中回收鈰之回收方法。
简体摘要： [课题] 开发将含有含铬金属之硝酸铈铵溶液予以蚀刻之工程所排出之含有六价铬及四价铈般之废液溶液中，令铈以高纯度之硝酸铈铵型式予以回收之方法。[解决手段] 由含有铬及铈之溶液中，将氢氧化铈回收之氢氧化铈回收工程、将氢氧化铈回收工程所得之氢氧化铈沈淀物予以水洗之洗净工程、于经过洗净工程之氢氧化铈中添加硝酸及氨源令硝酸铈铵析出结晶之硝酸铈铵析出结晶工程、及将硝酸铈铵析出结晶工程所生成之硝酸铈铵结晶予以回收之硝酸铈铵回收工程所构成之由含有铬及铈之溶液中回收铈之回收方法。

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