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1. 发明专利

TWI404096B 電解電容器的製造方法及電解電容器有权
简体标题：电解电容器的制造方法及电解电容器
公开(公告)号：TWI404096B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW097130493
申请日：2008-08-11
申请人：三洋電機股份有限公司 , SANYO ELECTRIC CO., LTD. , 太陽電子工業股份有限公司 , SUN ELECTRONIC INDUSTRIES CORP.
发明人：鹿熊健二 , KAKUMA, KENJI , 細木雅和 , HOSOGI, MASAKAZU , 竹谷豐 , TAKETANI, YUTAKA , 山下純一 , YAMASHITA, JUNICHI , 奧田裕之 , OKUDA, HIROYUKI , 石原宏三 , ISHIHARA, KOSO
IPC分类号： H01G9/15 , H01G9/022
CPC分类号： H01G9/15 , H01G9/0036 , H01G9/028 , H01G9/151 , H01G11/48 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y10T29/417

2. 发明专利

TWI343587B 固態電解電容器 SOLID ELECTROLYTIC CONDENSER 失效
简体标题：固态电解电容器 SOLID ELECTROLYTIC CONDENSER
公开(公告)号：TWI343587B
公开(公告)日：2011-06-11
申请号：TW095138955
申请日：2006-10-23
申请人：三洋電機股份有限公司
发明人：松岡桂子 , 加藤千博 , 奧田裕之 , 石原宏三
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G9/012 , H01G2/06 , H01G9/042
摘要：本發明為一種固態電解電容器，係具備：於突出設置有陽極端子(31)之陽極體(3)的表面依序設置電介質覆膜(4)及陰極層(5)而組成之電容器元件(30)；包覆該電容器元件(30)之外覆樹脂(6)；連接於上述電容器元件(30)之陽極端子(31)的前端部，並具有從上述外覆樹脂(6)露出之陽極側端子面(10)之陽極引線架(1)；以及連接於上述陰極層(5)，並具有從上述外覆樹脂(6)露出之陰極側端子面(20)之陰極引線架(2)。在此，陽極引線架(1)係於埋入設置於上述外覆樹脂(6)中之區域具有：沿著陽極端子(31)在與陽極端子(31)離開的位置延伸之隔離架部(13)；以及從該隔離架部(13)的中央部朝向陽極端子(31)突出，而接合於陽極端子(31)之接合架部(11)。
简体摘要：本发明为一种固态电解电容器，系具备：于突出设置有阳极端子(31)之阳极体(3)的表面依序设置电介质覆膜(4)及阴极层(5)而组成之电容器组件(30)；包覆该电容器组件(30)之外覆树脂(6)；连接于上述电容器组件(30)之阳极端子(31)的前端部，并具有从上述外覆树脂(6)露出之阳极侧端子面(10)之阳极引线架(1)；以及连接于上述阴极层(5)，并具有从上述外覆树脂(6)露出之阴极侧端子面(20)之阴极引线架(2)。在此，阳极引线架(1)系于埋入设置于上述外覆树脂(6)中之区域具有：沿着阳极端子(31)在与阳极端子(31)离开的位置延伸之隔离架部(13)；以及从该隔离架部(13)的中央部朝向阳极端子(31)突出，而接合于阳极端子(31)之接合架部(11)。

3. 发明专利

TW126726B 磁頭及其製造方法失效
简体标题：磁头及其制造方法
公开(公告)号：TW126726B
公开(公告)日：1990-01-11
申请号：TW078100890
申请日：1989-02-10
申请人：三洋電機股份有限公司
发明人：小倉隆 , 石原宏三 , 伊野一夫 , 清水良昭 , 奧田裕之
IPC分类号： G11B
摘要：磁頭係一對磁心半體（ 1 ａ， 1 ｂ）介二氧化硅等非磁性材料相對以構成工件間隙(2)，並具備強磁性薄膜（ 3 ａ， 3 ｂ）。磁心半體（ 1 ａ， 1 ｂ）係由鐵氧體等強磁性的氧化物所構成，而具有為形成工作間隙而相對的間隙形成面。在一對磁心半體（ 1 ａ， 1 ｂ）之間隙形成面上，則選擇性地形成強磁性金屬薄膜（ 3 ａ， 3 ｂ）。強磁性薄膜（ 3ｂ）之形成係可使一方之磁心半體構件（ 7 ｂ）之間隙形成面之中，至少形成磁道寬度控制溝（13ｂ）和繞溝（13ｃ）和接合料插入溝（13ｄ）的部份（12ｂ，12ｃ，12ｄ）露出。又，強磁性薄膜（ 3 ａ）之形成係可使他方之磁心半體構件（ 7 ａ）之間隙形成面之中，形成磁道寬度控制溝的部份（12ａ）和，至少與形成於一方之磁心半體構件（ 7 ｂ）之間隙形成面的繞溝（13ｃ）和接合料插入溝（13ｄ）之中，任何一個溝相對的部份（12ｅ，12ｆ）露出，此強磁性薄膜（ 3 ａ， 3 ｂ）之選擇性形成係用離子束蝕刻處理的方法進行。在一方之磁心半體（ 1ｂ）形成磁道寬度控制溝（13ｂ）和繞溝（13ｃ）和接合料插入溝（13ｄ）係用使用劃鋸等機械性加工的方法進行。
简体摘要：磁头系一对磁心半体（ 1 ａ， 1 ｂ）介二氧化硅等非磁性材料相对以构成工件间隙(2)，并具备强磁性薄膜（ 3 ａ， 3 ｂ）。磁心半体（ 1 ａ， 1 ｂ）系由铁氧体等强磁性的氧化物所构成，而具有为形成工作间隙而相对的间隙形成面。在一对磁心半体（ 1 ａ， 1 ｂ）之间隙形成面上，则选择性地形成强磁性金属薄膜（ 3 ａ， 3 ｂ）。强磁性薄膜（ 3ｂ）之形成系可使一方之磁心半体构件（ 7 ｂ）之间隙形成面之中，至少形成磁道宽度控制沟（13ｂ）和绕沟（13ｃ）和接合料插入沟（13ｄ）的部份（12ｂ，12ｃ，12ｄ）露出。又，强磁性薄膜（ 3 ａ）之形成系可使他方之磁心半体构件（ 7 ａ）之间隙形成面之中，形成磁道宽度控制沟的部份（12ａ）和，至少与形成于一方之磁心半体构件（ 7 ｂ）之间隙形成面的绕沟（13ｃ）和接合料插入沟（13ｄ）之中，任何一个沟相对的部份（12ｅ，12ｆ）露出，此强磁性薄膜（ 3 ａ， 3 ｂ）之选择性形成系用离子束蚀刻处理的方法进行。在一方之磁心半体（ 1ｂ）形成磁道宽度控制沟（13ｂ）和绕沟（13ｃ）和接合料插入沟（13ｄ）系用使用划锯等机械性加工的方法进行。

4. 发明专利

TW189896B 磁頭失效
简体标题：磁头
公开(公告)号：TW189896B
公开(公告)日：1992-09-01
申请号：TW080109540
申请日：1991-12-05
申请人：三洋電機股份有限公司
发明人：小倉隆 , 玉田穰一 , 田中勳 , 石原宏三 , 伊野一夫 , 奧田裕之 , 龜岡史男
IPC分类号： G11B
摘要：本發明為解決平行型MIG磁頭中疑似間隙問題與提高記錄再生輸出，將使用單結晶肥粒鐵磁心材料時之主磁路構成面與間隙形成面之結晶方位之組合以實驗求出。
本發明之磁頭，係在於肥粒鐵(ferrite)構成之一對磁心半體中至少有一方之磁心半體具備金屬磁性體，前述一方之磁心半體之前述金屬磁性體與另一方之磁心半體對接形成磁性間隙之同時，前述一對磁心半體互相經由設置在前述磁性間隙附近之玻璃接合，前述磁性間隙平行於前述一方之磁心半體與金屬磁性體之境界面之磁頭，而前述玻璃為去除氧原子之玻璃構成中鐵原子(Fe)之含量係在2～13mol%之範圍內為特徵者。
简体摘要：本发明为解决平行型MIG磁头中疑似间隙问题与提高记录再生输出，将使用单结晶肥粒铁磁心材料时之主磁路构成面与间隙形成面之结晶方位之组合以实验求出。本发明之磁头，系在于肥粒铁(ferrite)构成之一对磁心半体中至少有一方之磁心半体具备金属磁性体，前述一方之磁心半体之前述金属磁性体与另一方之磁心半体对接形成磁性间隙之同时，前述一对磁心半体互相经由设置在前述磁性间隙附近之玻璃接合，前述磁性间隙平行于前述一方之磁心半体与金属磁性体之境界面之磁头，而前述玻璃为去除氧原子之玻璃构成中铁原子(Fe)之含量系在2～13mol%之范围内为特征者。

5. 发明专利

TW111687B 磁頭及其製造方法失效
简体标题：磁头及其制造方法
公开(公告)号：TW111687B
公开(公告)日：1989-04-11
申请号：TW077104480
申请日：1988-07-01
申请人：三洋電機股份有限公司
发明人：小倉隆 , 石原宏三 , 伊野一夫 , 清水良昭 , 奧田裕之
IPC分类号： G11B

6. 发明专利

TW193247B 磁頭失效
简体标题：磁头
公开(公告)号：TW193247B
公开(公告)日：1992-10-21
申请号：TW081104060
申请日：1991-12-05
申请人：三洋電機股份有限公司
发明人：小倉隆 , 玉田穰一 , 田中勳 , 石原宏三 , 伊野一夫 , 奧田裕之 , 龜岡史男
IPC分类号： G11B
摘要：本發明為解決平行型MIG磁頭中疑似間隙問題與提高記錄再生輸出，將使用單結晶肥粒鐵磁心材料時之主磁路構成面與間隙形成面之結晶方位之組合以實驗求出。
本發明之磁頭，在於肥粒鐵構成之一對磁心半體中，至少一方之磁心半體之間隙形成面上形成強磁性金屬薄膜，該強磁性金屬薄膜與另一方之磁心半體經過成為磁性間隙之非磁性材料對接形成之磁頭，而對於形成前述強磁性金屬薄膜之磁心半體之主磁路構成面之結晶面約成為{211}面，間隙形成面之結晶面約成為{111}面為特徵者。
简体摘要：本发明为解决平行型MIG磁头中疑似间隙问题与提高记录再生输出，将使用单结晶肥粒铁磁心材料时之主磁路构成面与间隙形成面之结晶方位之组合以实验求出。本发明之磁头，在于肥粒铁构成之一对磁心半体中，至少一方之磁心半体之间隙形成面上形成强磁性金属薄膜，该强磁性金属薄膜与另一方之磁心半体经过成为磁性间隙之非磁性材料对接形成之磁头，而对于形成前述强磁性金属薄膜之磁心半体之主磁路构成面之结晶面约成为{211}面，间隙形成面之结晶面约成为{111}面为特征者。

7. 实用新型

TW097279U 磁性記錄裝置失效
简体标题：磁性记录设备
公开(公告)号：TW097279U
公开(公告)日：1988-03-16
申请号：TW076212353
申请日：1986-10-28
申请人：三洋電機股份有限公司
发明人：土井勝 , 山野孝雄 , 石原宏三 , 伊野一夫 , 清水良昭 , 奧田裕之
IPC分类号： G11B

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