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    • 2. 发明专利
    • 研磨液用中和鹽、電子材料用研磨液、研磨方法及電子材料的製造方法
    • 研磨液用中和盐、电子材料用研磨液、研磨方法及电子材料的制造方法
    • TW201307543A
    • 2013-02-16
    • TW101123153
    • 2012-06-28
    • 三洋化成工業股份有限公司SANYO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 山口俊一郎YAMAGUCHI, SHUNICHIRO
    • C09K3/14B24B37/00G11B5/84
    • H01L21/30625B24B37/044C09G1/02
    • 本發明的目的在於提供一種材料、含有該材料的電子材料用研磨液、使用該電子材料用研磨液對電子材料中間物進行研磨的研磨方法、以及包含利用該研磨方法對電子材料中間物進行研磨的步驟的電子材料的製造方法,上述材料於電子材料製造步驟中的研磨步驟中,與先前的研磨液相比刮痕等基板的缺陷少,另外,於後續的清洗步驟中,可容易地去除因研磨而產生的研磨屑,進而,可維持研磨步驟中的研磨速度。本發明是一種用於使用研磨墊對電子材料中間物進行研磨的步驟的特定的中和鹽(AB)、含有該中和鹽(AB)的電子材料用研磨液、使用該電子材料用研磨液對電子材料中間物進行研磨的研磨方法、以及包含利用該研磨方法對電子材料中間物進行研磨的步驟的電子材料的製造方法。此處,中和鹽(AB)是分子內具有至少1個酸基(X)的酸性化合物(A)、與質子加成反應中的生成熱變化(Q2)為10 kcal/mol~152 kcal/mol的含氮鹼性化合物(B)的鹽,且是上述酸基(X)的酸解離反應中的生成熱變化(Q1)為3 kcal/mol~200 kcal/mol的中和鹽。
    • 本发明的目的在于提供一种材料、含有该材料的电子材料用研磨液、使用该电子材料用研磨液对电子材料中间物进行研磨的研磨方法、以及包含利用该研磨方法对电子材料中间物进行研磨的步骤的电子材料的制造方法,上述材料于电子材料制造步骤中的研磨步骤中,与先前的研磨液相比刮痕等基板的缺陷少,另外,于后续的清洗步骤中,可容易地去除因研磨而产生的研磨屑,进而,可维持研磨步骤中的研磨速度。本发明是一种用于使用研磨垫对电子材料中间物进行研磨的步骤的特定的中和盐(AB)、含有该中和盐(AB)的电子材料用研磨液、使用该电子材料用研磨液对电子材料中间物进行研磨的研磨方法、以及包含利用该研磨方法对电子材料中间物进行研磨的步骤的电子材料的制造方法。此处,中和盐(AB)是分子内具有至少1个酸基(X)的酸性化合物(A)、与质子加成反应中的生成热变化(Q2)为10 kcal/mol~152 kcal/mol的含氮碱性化合物(B)的盐,且是上述酸基(X)的酸解离反应中的生成热变化(Q1)为3 kcal/mol~200 kcal/mol的中和盐。