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2. 发明专利

TW201604257A 接著劑組成物、各向異性導電膜及使用其的半導體元件审中-公开
简体标题：接着剂组成物、各向异性导电膜及使用其的半导体组件
公开(公告)号：TW201604257A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104122665
申请日：2015-07-14
申请人：三星SDI股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：朴憬修 , PARK, KYOUNG SOO , 金智軟 , KIM, JI YEON , 朴永祐 , PARK, YOUNG WOO , 孫秉勤 , SON, BYEONG GEUN , 申炅勳 , SHIN, KYOUNG HUN , 申潁株 , SHIN, YOUNG JU , 鄭光珍 , JUNG, KWANG JIN , 韓在善 , HAN, JAE SUN , 黃慈英 , HWANG, JA YOUNG
IPC分类号： C09J163/00 , C09J11/06 , H01B1/20 , H01B5/16 , H01L23/488 , H01L23/52 , H05K3/40
CPC分类号： H01B5/14 , C09J7/20 , C09J11/06 , C09J163/00
摘要：本發明揭露一種接著劑組成物、一種各向異性導電膜以及一種藉由各向異性導電膜連接的半導體元件。接著劑組成物包含：放熱峰值溫度如藉由差示掃描熱量測定（DSC）量測為60℃至105℃的脂環環氧樹脂；由式1表示之陽離子聚合催化劑；以及由式2表示之化合物。 [式1]其中R1 至R5 各自獨立地為氫原子、烷基、乙醯基、烷氧羰基、苯甲醯基或苯甲氧羰基；且R6 及R7 各自獨立地為烷基、苯甲基、鄰甲基苯甲基、間甲基苯甲基、對甲基苯甲基或萘甲基。 [式2]其中R8 至R12 各自獨立地為氫原子、烷基、乙醯基、烷氧羰基、苯甲醯基或苯甲氧羰基；R13 及R14 各自獨立地為烷基、苯甲基、鄰甲基苯甲基、間甲基苯甲基、對甲基苯甲基或萘甲基；且X1 為鹵素原子或硫酸烷基酯。
简体摘要：本发明揭露一种接着剂组成物、一种各向异性导电膜以及一种借由各向异性导电膜连接的半导体组件。接着剂组成物包含：放热峰值温度如借由差示扫描热量测定（DSC）量测为60℃至105℃的脂环环氧树脂；由式1表示之阳离子聚合催化剂；以及由式2表示之化合物。 [式1]其中R1 至R5 各自独立地为氢原子、烷基、乙酰基、烷氧羰基、苯甲酰基或苯甲氧羰基；且R6 及R7 各自独立地为烷基、苯甲基、邻甲基苯甲基、间甲基苯甲基、对甲基苯甲基或萘甲基。 [式2]其中R8 至R12 各自独立地为氢原子、烷基、乙酰基、烷氧羰基、苯甲酰基或苯甲氧羰基；R13 及R14 各自独立地为烷基、苯甲基、邻甲基苯甲基、间甲基苯甲基、对甲基苯甲基或萘甲基；且X1 为卤素原子或硫酸烷基酯。

5. 发明专利

TW201616515A 各向異性導電膜以及使用該導電膜的半導體元件审中-公开
简体标题：各向异性导电膜以及使用该导电膜的半导体组件
公开(公告)号：TW201616515A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104122838
申请日：2015-07-15
申请人：三星SDI 股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：金智軟 , KIM, JI YEON , 朴憬修 , PARK, KYOUNG SOO , 姜炅求 , KANG, KYOUNG KU , 朴永祐 , PARK, YOUNG WOO , 申潁株 , SHIN, YOUNG JU , 鄭光珍 , JUNG, KWANG JIN , 崔賢民 , CHOI, HYUN MIN , 黃慈英 , HWANG, JA YOUNG
IPC分类号： H01B1/16 , H05K3/32 , C09J7/00
CPC分类号： H01B1/22 , H01B5/00
摘要：本發明揭露一種包含絕緣導電粒子及熔點為140℃或小於140℃之金屬合金粒子之各向異性導電膜以及一種藉由所述導電膜連接之半導體元件。
简体摘要：本发明揭露一种包含绝缘导电粒子及熔点为140℃或小于140℃之金属合金粒子之各向异性导电膜以及一种借由所述导电膜连接之半导体组件。

6. 发明专利

TW201610088A 各向異性導電膜和由其連接的半導體裝置审中-公开
简体标题：各向异性导电膜和由其连接的半导体设备
公开(公告)号：TW201610088A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104119198
申请日：2015-06-15
申请人：三星SDI股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：申潁株 , SHIN, YOUNG JU , 姜炅求 , KANG, KYOUNG KU , 金智軟 , KIM, JI YEON , 朴憬修 , PARK, KYOUNG SOO , 朴永祐 , PARK, YOUNG WOO , 孫秉勤 , SON, BYEONG GEUN , 申炅勳 , SHIN, KYOUNG HUN , 鄭光珍 , JUNG, KWANG JIN , 韓在善 , HAN, JAE SUN , 黃慈英 , HWANG, JA YOUNG
IPC分类号： C09J9/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , G02F1/1345
CPC分类号： H01L24/29 , C08G59/687 , C08G59/72 , C08K5/372 , C08K5/55 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J2201/602 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2463/00 , H01B1/20 , H01L24/32 , H01L2224/16238 , H01L2224/2929 , H01L2224/29316 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2939 , H01L2224/29411 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/32225 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014
摘要：本發明公開一種各向異性導電膜和由其連接的半導體裝置。各向異性導電膜在25℃下儲存170小時之後具有如由方程式1所表示的30%或小於30%的模數變化率，並且具有60℃到85℃的差示掃描熱量計(differential scanning calorimeter，DSC)起始溫度。 [方程式1]彈性模數變化率(%)={(M1-M0)/M0}×100 其中M0是如在25℃下測量的所述各向異性導電膜的初始彈性模數(kgf/cm2)，並且M1是所述各向異性導電膜在25℃下單獨靜置170小時之後如在25℃下測量的所述膜的彈性模數(kgf/cm2)。
简体摘要：本发明公开一种各向异性导电膜和由其连接的半导体设备。各向异性导电膜在25℃下存储170小时之后具有如由方进程1所表示的30%或小于30%的模数变化率，并且具有60℃到85℃的差示扫描热量计(differential scanning calorimeter，DSC)起始温度。 [方进程1]弹性模数变化率(%)={(M1-M0)/M0}×100 其中M0是如在25℃下测量的所述各向异性导电膜的初始弹性模数(kgf/cm2)，并且M1是所述各向异性导电膜在25℃下单独静置170小时之后如在25℃下测量的所述膜的弹性模数(kgf/cm2)。

7. 发明专利

TW201606803A 非等向性導電膜及使用其的半導體元件审中-公开
简体标题：非等向性导电膜及使用其的半导体组件
公开(公告)号：TW201606803A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104123798
申请日：2015-07-23
申请人：三星SDI 股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：黃慈英 , HWANG, JA YOUNG , 姜炅求 , KANG, KYOUNG KU , 金智軟 , KIM, JI YEON , 朴憬修 , PARK, KYOUNG SOO , 朴永祐 , PARK, YOUNG WOO , 申潁株 , SHIN, YOUNG JU , 鄭光珍 , JUNG, KWAN JIN
IPC分类号： H01B1/22 , H01L23/488 , H05K3/32 , C09J7/02
CPC分类号： H01B1/20 , H01B5/00
摘要：本發明揭露了一種接著劑組成物、一種非等向性導電膜以及一種經由所述非等向性導電膜連接的半導體元件。接著劑組成物與非等向性導電膜包括由式1所表示的陽離子聚合催化劑，以及由式2或式3所表示的化合物。 [式1]在式1中，R1 至R5 各自獨立為氫原子、烷基、乙醯基、烷氧羰基、苯甲醯基或苯甲氧羰基；以及R6 和R7 各自獨立為烷基、芐基、鄰甲基芐基、間甲基芐基、對甲基芐基或萘甲基。 [式2]在式2中，R8 至R13 中至少一個為羥基；以及剩餘的取代基各自獨立為氫原子或巰基，或剩餘的取代基各自獨立為經取代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的烷硫基、經取代或未經取代的乙醯基、經取代或未經取代的烷氧羰基、經取代或未經取代的苯甲醯基，或經取代或未經取代的苯甲氧羰基。 [式3]在式3中，R14 至R21 中至少一個為羥基，以及剩餘的取代基各自獨立為氫原子或巰基，或剩餘的取代基各自獨立為經取代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的烷硫基、經取代或未經取代的乙醯基、經取代或未經取代的烷氧羰基、經取代或未經取代的苯甲醯基，或經取代或未經取代的苯甲氧羰基。
简体摘要：本发明揭露了一种接着剂组成物、一种非等向性导电膜以及一种经由所述非等向性导电膜连接的半导体组件。接着剂组成物与非等向性导电膜包括由式1所表示的阳离子聚合催化剂，以及由式2或式3所表示的化合物。 [式1]在式1中，R1 至R5 各自独立为氢原子、烷基、乙酰基、烷氧羰基、苯甲酰基或苯甲氧羰基；以及R6 和R7 各自独立为烷基、芐基、邻甲基芐基、间甲基芐基、对甲基芐基或萘甲基。 [式2]在式2中，R8 至R13 中至少一个为羟基；以及剩余的取代基各自独立为氢原子或巯基，或剩余的取代基各自独立为经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烷硫基、经取代或未经取代的乙酰基、经取代或未经取代的烷氧羰基、经取代或未经取代的苯甲酰基，或经取代或未经取代的苯甲氧羰基。 [式3]在式3中，R14 至R21 中至少一个为羟基，以及剩余的取代基各自独立为氢原子或巯基，或剩余的取代基各自独立为经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烷硫基、经取代或未经取代的乙酰基、经取代或未经取代的烷氧羰基、经取代或未经取代的苯甲酰基，或经取代或未经取代的苯甲氧羰基。

8. 发明专利

TWI592947B 各向異性導電膜以及使用該導電膜的半導體元件有权
简体标题：各向异性导电膜以及使用该导电膜的半导体组件
公开(公告)号：TWI592947B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104122838
申请日：2015-07-15
申请人：三星SDI 股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：金智軟 , KIM, JI YEON , 朴憬修 , PARK, KYOUNG SOO , 姜炅求 , KANG, KYOUNG KU , 朴永祐 , PARK, YOUNG WOO , 申潁株 , SHIN, YOUNG JU , 鄭光珍 , JUNG, KWANG JIN , 崔賢民 , CHOI, HYUN MIN , 黃慈英 , HWANG, JA YOUNG
IPC分类号： H01B1/16 , H05K3/32 , C09J7/00
CPC分类号： H01B1/22 , H01B5/00

9. 发明专利

TWI582794B 非等向性導電膜及使用其的半導體元件有权
简体标题：非等向性导电膜及使用其的半导体组件
公开(公告)号：TWI582794B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104123798
申请日：2015-07-23
申请人：三星SDI 股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：黃慈英 , HWANG, JA YOUNG , 姜炅求 , KANG, KYOUNG KU , 金智軟 , KIM, JI YEON , 朴憬修 , PARK, KYOUNG SOO , 朴永祐 , PARK, YOUNG WOO , 申潁株 , SHIN, YOUNG JU , 鄭光珍 , JUNG, KWAN JIN
IPC分类号： H01B1/22 , H01L23/488 , H05K3/32 , C09J7/02
CPC分类号： H01B1/20 , H01B5/00

10. 发明专利

TW201704410A 非等向性導電膜用組成物、非等向性導電膜及使用其的顯示裝置审中-公开
简体标题：非等向性导电膜用组成物、非等向性导电膜及使用其的显示设备
公开(公告)号：TW201704410A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105113206
申请日：2016-04-28
申请人：三星SDI股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：金精燮 , KIM, JUNG SEOB , 姜京喜 , KANG, KYOUNG HEE , 金哈納 , KIM, HA NA , 徐賢柱 , SEO, HYUN JOO , 黃慈英 , HWANG, JA YOUNG , 高連助 , KO, YOUN JO , 權純榮 , KWON, SOON YOUNG , 朴憬修 , PARK, KYOUNG SOO , 宋基態 , SONG, KI TAE
IPC分类号： C09J9/02 , C09J163/00 , C09J11/00 , C09J7/00 , H01B5/16 , G09F9/00
CPC分类号： C08L63/00 , C09J7/00 , C09J9/02 , H01B1/20
摘要：本文揭示非等向性導電膜用組成物、非等向性導電膜及使用其的顯示裝置。非等向性導電膜用組成物包含茀化合物與雙酚型環氧化合物之共聚物；具有150 g/eq或小於150 g/eq之環氧當量的環氧樹脂；固化劑；及導電顆粒。非等向性導電膜包含：茀化合物與雙酚型環氧化合物之共聚物及導電顆粒，且具有10 MPa或大於10 MPa的黏著強度及根據以下方程式1所計算之30%或大於30%的顆粒捕捉率，顆粒捕捉率是在將非等向性導電膜在50℃至80℃及1.0 MPa至3.0 MPa條件下進行初步壓縮1秒至3秒、隨後在120℃至160℃及60 MPa至80 MPa條件下進行主要壓縮3秒至6秒之後來量測： [方程式1] 顆粒捕捉率（%）=（初步壓縮及主要壓縮之後的連接部分中每單位面積（mm2 ）之導電顆粒數目/初步壓縮之前的連接部分中每單位面積（mm2 ）之導電顆粒數目）×100。
简体摘要：本文揭示非等向性导电膜用组成物、非等向性导电膜及使用其的显示设备。非等向性导电膜用组成物包含茀化合物与双酚型环氧化合物之共聚物；具有150 g/eq或小于150 g/eq之环氧当量的环氧树脂；固化剂；及导电颗粒。非等向性导电膜包含：茀化合物与双酚型环氧化合物之共聚物及导电颗粒，且具有10 MPa或大于10 MPa的黏着强度及根据以下方进程1所计算之30%或大于30%的颗粒捕捉率，颗粒捕捉率是在将非等向性导电膜在50℃至80℃及1.0 MPa至3.0 MPa条件下进行初步压缩1秒至3秒、随后在120℃至160℃及60 MPa至80 MPa条件下进行主要压缩3秒至6秒之后来量测： [方进程1] 颗粒捕捉率（%）=（初步压缩及主要压缩之后的连接部分中每单位面积（mm2 ）之导电颗粒数目/初步压缩之前的连接部分中每单位面积（mm2 ）之导电颗粒数目）×100。

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