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1. 发明专利

TW200537509A 將控制資訊進行程式化的方法與裝置 METHOD AND DEVICE FOR PROGRAMMING CONTROL INFORMATION 失效
简体标题：将控制信息进行进程化的方法与设备 METHOD AND DEVICE FOR PROGRAMMING CONTROL INFORMATION
公开(公告)号：TW200537509A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094112519
申请日：2005-04-20
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：黃相元 HWANG, SANG-WON , 李真燁 LEE, JIN-YUB , 金範洙 KIM, BUM-SOO , 李光倫 LEE, KWANG-YOON , 朴贊益 PARK, CHAN-IK
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C16/3468
摘要：一種將諸如旗標(FLAG)、控制旗標(CONTROL FLAG)、標誌(MARK)、控制標誌(CONTROL MARK)等控制資訊(CONTROL INFORMATION)進行程式化的方法(METHOD)與裝置(DEVICE)。此方法與裝置可執行記憶體陣列(MEMORY ARRAY)第一區域(FIRST AREA)中賦予的胞形式(CELL TYPE)較低速程式化、確認記憶體陣列第一區域中賦予的胞形式此較低速程式化之結果、並於確認此較低速程式化結果之後，執行記憶體陣列第二區域(SECOND AREA)中賦予的胞形式較高速程式化(HIGHER–SPEED PROGRAMMING)，其中，此較高速程式化的初始程式化電壓(INITIAL PROGRAMMING VOLTAGE)可能與較低速程式化的不同。第一與第二程式化可能不同，例如：第一程式化可為諸如資料寫入之較低速工作，而第二程式化可為諸如控制資訊寫入之較高速工作。第一與第二程式化方法亦可能不同，例如：第一程式化方法可為不允許過度程式化(OVER–PROGRAMMING)之程式化方法，而第二程式化方法可為允許過度程式化之程式化方法。
简体摘要：一种将诸如旗标(FLAG)、控制旗标(CONTROL FLAG)、标志(MARK)、控制标志(CONTROL MARK)等控制信息(CONTROL INFORMATION)进行进程化的方法(METHOD)与设备(DEVICE)。此方法与设备可运行内存数组(MEMORY ARRAY)第一区域(FIRST AREA)中赋予的胞形式(CELL TYPE)较低速进程化、确认内存数组第一区域中赋予的胞形式此较低速进程化之结果、并于确认此较低速进程化结果之后，运行内存数组第二区域(SECOND AREA)中赋予的胞形式较高速进程化(HIGHER–SPEED PROGRAMMING)，其中，此较高速进程化的初始进程化电压(INITIAL PROGRAMMING VOLTAGE)可能与较低速进程化的不同。第一与第二进程化可能不同，例如：第一进程化可为诸如数据写入之较低速工作，而第二进程化可为诸如控制信息写入之较高速工作。第一与第二进程化方法亦可能不同，例如：第一进程化方法可为不允许过度进程化(OVER–PROGRAMMING)之进程化方法，而第二进程化方法可为允许过度进程化之进程化方法。

2. 发明专利

TWI310944B 具有低負載位元線架構的非揮發性半導體記憶體以及其程式化方法 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY WITH LOW-LOADING BIT LINE ARCHITECTURE AND METHOD OF PROGRAMMING THE SAME 有权
简体标题：具有低负载比特线架构的非挥发性半导体内存以及其进程化方法 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY WITH LOW-LOADING BIT LINE ARCHITECTURE AND METHOD OF PROGRAMMING THE SAME
公开(公告)号：TWI310944B
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：TW095129347
申请日：2006-08-10
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：黃相元 HWANG, SANG-WON
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2216/14
摘要：一種NAND快閃記憶體元件,其包括NAND快閃記憶胞的陣列、連接至NAND快閃記憶胞的多條字元線以及連接至NAND快閃記憶胞的多條位元線。每條位元線包括第一位元線部分、第二位元線部分和開關元件,開關元件是延伸在第一與第二位元線部分之間以選擇性地將第一與第二位元線部分連接在一起。至少第一NAND快閃記憶胞是連接至第一位元線部分,並且至少第二NAND快閃記憶胞是連接至第二位元線部分。藉由包括主頁緩衝器與次頁緩衝器,連接至相同位元線群之記憶胞的兩個頁可在單一程式化運作中程式化以達到"兩倍速度"程式化。
简体摘要：一种NAND闪存组件,其包括NAND快闪记忆胞的数组、连接至NAND快闪记忆胞的多条字符线以及连接至NAND快闪记忆胞的多条比特线。每条比特线包括第一比特线部分、第二比特线部分和开关组件,开关组件是延伸在第一与第二比特线部分之间以选择性地将第一与第二比特线部分连接在一起。至少第一NAND快闪记忆胞是连接至第一比特线部分,并且至少第二NAND快闪记忆胞是连接至第二比特线部分。借由包括主页缓冲器与次页缓冲器,连接至相同比特线群之记忆胞的两个页可在单一进程化运作中进程化以达到"两倍速度"进程化。

3. 发明专利

TW200721179A 具有低負載位元線架構的非揮發性半導體記憶體以及其程式化方法 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY WITH LOW-LOADING BIT LINE ARCHITECTURE AND METHOD OF PROGRAMMING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有低负载比特线架构的非挥发性半导体内存以及其进程化方法 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY WITH LOW-LOADING BIT LINE ARCHITECTURE AND METHOD OF PROGRAMMING THE SAME
公开(公告)号：TW200721179A
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095129347
申请日：2006-08-10
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：黃相元 HWANG, SANG-WON
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2216/14
摘要：一種NAND快閃記憶體元件,其包括NAND快閃記憶胞的陣列、連接至NAND快閃記憶胞的多條字元線以及連接至NAND快閃記憶胞的多條位元線。每條位元線包括第一位元線部分、第二位元線部分和開關元件,開關元件是延伸在第一與第二位元線部分之間以選擇性地將第一與第二位元線部分連接在一起。至少第一NAND快閃記憶胞是連接至第一位元線部分,並且至少第二NAND快閃記憶胞是連接至第二位元線部分。藉由包括主頁緩衝器與次頁緩衝器,連接至相同位元線群之記憶胞的兩個頁可在單一程式化運作中程式化以達到"兩倍速度"程式化。
简体摘要：一种NAND闪存组件,其包括NAND快闪记忆胞的数组、连接至NAND快闪记忆胞的多条字符线以及连接至NAND快闪记忆胞的多条比特线。每条比特线包括第一比特线部分、第二比特线部分和开关组件,开关组件是延伸在第一与第二比特线部分之间以选择性地将第一与第二比特线部分连接在一起。至少第一NAND快闪记忆胞是连接至第一比特线部分,并且至少第二NAND快闪记忆胞是连接至第二比特线部分。借由包括主页缓冲器与次页缓冲器,连接至相同比特线群之记忆胞的两个页可在单一进程化运作中进程化以达到"两倍速度"进程化。

4. 发明专利

TWI270777B 用於施行快取讀取的裝置以及方法 METHOD AND DEVICE FOR PERFORMING CACHE READING 有权
简体标题：用于施行缓存读取的设备以及方法 METHOD AND DEVICE FOR PERFORMING CACHE READING
公开(公告)号：TWI270777B
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：TW094108155
申请日：2005-03-17
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李真燁 LEE, JIN-YUB , 黃相元 HWANG, SANG-WON
IPC分类号： G06F
摘要：一種從一半導體裝置讀取資料的方法和裝置，其中tR是讀取操作時間，tT是緩衝傳輸時間，以及tH是主機傳輸時間，其中tR、tT和tH中至少有兩者可被覆蓋，以減少總傳輸時間。
简体摘要：一种从一半导体设备读取数据的方法和设备，其中tR是读取操作时间，tT是缓冲传输时间，以及tH是主机传输时间，其中tR、tT和tH中至少有两者可被覆盖，以减少总传输时间。

5. 发明专利

TW200638425A 使用奇數態記憶胞支援虛擬頁儲存的非揮發性記憶體元件及其程式化方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICES THAT SUPPORT VIRTUAL PAGE STORAGE USING ODD-STATE MEMORY CELLS AND METHODS OF PROGRAMMING SAME 审中-公开
简体标题：使用奇数态记忆胞支持虚拟页存储的非挥发性内存组件及其进程化方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICES THAT SUPPORT VIRTUAL PAGE STORAGE USING ODD-STATE MEMORY CELLS AND METHODS OF PROGRAMMING SAME
公开(公告)号：TW200638425A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：TW095106512
申请日：2006-02-27
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：黃相元 HWANG, SANG-WON
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C7/1006 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2211/5641
摘要：一位非揮發性記憶體陣列，其中包含三態記憶胞之第一及第二區塊。此等第一及第二區塊經組態以分別作為實體記憶胞之第一及第二區塊進行個別操作，以及作為虛擬記憶胞之額外區塊進行共同操作。可獨立讀取記憶胞之第一區塊及第二區塊以及虛擬記憶胞之額外區塊，以提供總共三個讀取資料區塊。
简体摘要：一位非挥发性内存数组，其中包含三态记忆胞之第一及第二区块。此等第一及第二区块经组态以分别作为实体记忆胞之第一及第二区块进行个别操作，以及作为虚拟记忆胞之额外区块进行共同操作。可独立读取记忆胞之第一区块及第二区块以及虚拟记忆胞之额外区块，以提供总共三个读取数据区块。

6. 发明专利

TWI310189B 使用奇數態記憶胞支援虛擬頁儲存的非揮發性記憶體元件及其程式化方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICES THAT SUPPORT VIRTUAL PAGE STORAGE USING ODD-STATE MEMORY CELLS AND METHODS OF PROGRAMMING SAME 有权
简体标题：使用奇数态记忆胞支持虚拟页存储的非挥发性内存组件及其进程化方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICES THAT SUPPORT VIRTUAL PAGE STORAGE USING ODD-STATE MEMORY CELLS AND METHODS OF PROGRAMMING SAME
公开(公告)号：TWI310189B
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：TW095106512
申请日：2006-02-27
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：黃相元 HWANG, SANG-WON
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C7/1006 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2211/5641
摘要：一種非揮發性記憶體陣列,其中包含三態記憶胞之第一及第二區塊。此等第一及第二區塊經組態以分別作為實體記憶胞之第一及第二區塊進行個別操作,以及作為虛擬記憶胞之額外區塊進行共同操作。可獨立讀取記憶胞之第一區塊及第二區塊以及虛擬記憶胞之額外區塊,以提供總共三個讀取資料區塊。
简体摘要：一种非挥发性内存数组,其中包含三态记忆胞之第一及第二区块。此等第一及第二区块经组态以分别作为实体记忆胞之第一及第二区块进行个别操作,以及作为虚拟记忆胞之额外区块进行共同操作。可独立读取记忆胞之第一区块及第二区块以及虚拟记忆胞之额外区块,以提供总共三个读取数据区块。

7. 发明专利

TWI267864B 將控制資訊進行程式化的方法與裝置 METHOD AND DEVICE FOR PROGRAMMING CONTROL INFORMATION 失效
简体标题：将控制信息进行进程化的方法与设备 METHOD AND DEVICE FOR PROGRAMMING CONTROL INFORMATION
公开(公告)号：TWI267864B
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW094112519
申请日：2005-04-20
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：黃相元 HWANG, SANG-WON , 李真燁 LEE, JIN-YUB , 金範洙 KIM, BUM-SOO , 李光倫 LEE, KWANG-YOON , 朴贊益 PARK, CHAN-IK
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C16/3468
摘要：一種將諸如旗標(FLAG)、控制旗標(CONTROL FLAG)、標誌(MARK)、控制標誌(CONTROL MARK)等控制資訊(CONTROL INFORMATION)進行程式化的方法(METHOD)與裝置(DEVICE)。此方法與裝置可執行記憶體陣列(MEMORY ARRAY)第一區域(FIRST AREA)中賦予的胞形式(CELL TYPE)較低速程式化、確認記憶體陣列第一區域中賦予的胞形式此較低速程式化之結果、並於確認此較低速程式化結果之後，執行記憶體陣列第二區域(SECOND AREA)中賦予的胞形式較高速程式化(HIGHER-SPEED PROGRAMMING)，其中，此較高速程式化的初始程式化電壓(INITIAL PROGRAMMING VOLTAGE)可能與較低速程式化的不同。第一與第二程式化可能不同，例如：第一程式化可為諸如資料寫入之較低速工作，而第二程式化可為諸如控制資訊寫入之較高速工作。第一與第二程式化方法亦可能不同，例如：第一程式化方法可為不允許過度程式化(OVER-PROGRAMMING)之程式化方法，而第二程式化方法可為允許過度程式化之程式化方法。
简体摘要：一种将诸如旗标(FLAG)、控制旗标(CONTROL FLAG)、标志(MARK)、控制标志(CONTROL MARK)等控制信息(CONTROL INFORMATION)进行进程化的方法(METHOD)与设备(DEVICE)。此方法与设备可运行内存数组(MEMORY ARRAY)第一区域(FIRST AREA)中赋予的胞形式(CELL TYPE)较低速进程化、确认内存数组第一区域中赋予的胞形式此较低速进程化之结果、并于确认此较低速进程化结果之后，运行内存数组第二区域(SECOND AREA)中赋予的胞形式较高速进程化(HIGHER-SPEED PROGRAMMING)，其中，此较高速进程化的初始进程化电压(INITIAL PROGRAMMING VOLTAGE)可能与较低速进程化的不同。第一与第二进程化可能不同，例如：第一进程化可为诸如数据写入之较低速工作，而第二进程化可为诸如控制信息写入之较高速工作。第一与第二进程化方法亦可能不同，例如：第一进程化方法可为不允许过度进程化(OVER-PROGRAMMING)之进程化方法，而第二进程化方法可为允许过度进程化之进程化方法。

8. 发明专利

TW200540619A 用於施行快取讀取的裝置以及方法 METHOD AND DEVICE FOR PERFORMING CACHE READING 审中-公开
简体标题：用于施行缓存读取的设备以及方法 METHOD AND DEVICE FOR PERFORMING CACHE READING
公开(公告)号：TW200540619A
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：TW094108155
申请日：2005-03-17
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李真燁 LEE, JIN-YUB , 黃相元 HWANG, SANG-WON
IPC分类号： G06F
摘要：一種從一半導體裝置讀取資料的方法和裝置，其中tR是讀取操作時間，tT是緩衝傳輸時間，以及tH是主機傳輸時間，其中tR、tT和tH中至少有兩者可被覆蓋，以減少總傳輸時間。
简体摘要：一种从一半导体设备读取数据的方法和设备，其中tR是读取操作时间，tT是缓冲传输时间，以及tH是主机传输时间，其中tR、tT和tH中至少有两者可被覆盖，以减少总传输时间。

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